ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Mega-Bit Memory Technology - From Mega-Bit to Giga-Bit-From Mega-Bit to Giga-Bit

دانلود کتاب فناوری حافظه مگا بیت - از مگا بیت تا گیگا بیت-از مگا بیت تا گیگا بیت

Mega-Bit Memory Technology - From Mega-Bit to Giga-Bit-From Mega-Bit to Giga-Bit

مشخصات کتاب

Mega-Bit Memory Technology - From Mega-Bit to Giga-Bit-From Mega-Bit to Giga-Bit

ویرایش: 1 
نویسندگان:   
سری:  
ISBN (شابک) : 9789056990985, 9781000673418 
ناشر: CRC Press 
سال نشر: 1998 
تعداد صفحات: 311 
زبان:  
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 51 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 50,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 4


در صورت تبدیل فایل کتاب Mega-Bit Memory Technology - From Mega-Bit to Giga-Bit-From Mega-Bit to Giga-Bit به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب فناوری حافظه مگا بیت - از مگا بیت تا گیگا بیت-از مگا بیت تا گیگا بیت نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی



فهرست مطالب

Preface to the Series -- Preface -- Contributors -- 1. MOS Device Technology/Hiroyuki Tango -- 1.1. Introduction -- 1.2. MOS device technology -- 1.3. Scaling law for lower sub-micron MOS devices -- 1.4. Toward Gbit and beyond -- 1.5. Si quantum devices -- 2. Memory Cell Technology/Hiroyuki Tango -- 2.1. Memory cell technology trend -- 2.2. Trench capacitor cells -- 2.3. Stacked capacitor cell -- 2.4. High e and ferroelectric films for the gigabit generation -- 3. Lithography/Masataka Miyamura -- 3.1. Introduction -- 3.2. Photolithography -- 3.3. Resist and resist process -- 3.4. EB lithography -- 3.5. X-ray lithography -- 4. Dry Etching/Makoto Sekine -- 4.1. Introduction -- 4.2. Basic etching hardware and process technologies -- 4.3. Emerging etching process technologies -- 5. Thin Film Insulator/Kikuo Yamabe -- 5.7. Introduction -- 5.2. Oxide breakdown defect -- 5.3. Trench corner oxidation -- 5.4. Fatigue breakdown -- 5.5. Polysilicon oxide -- 5.6. Trapping center -- 5.7. Stress induced leakage current -- 5.8. Summary -- 6. Impurity Doping/Kikuo Yamabe -- 6.1. Introduction -- 6.2. Impurity doping -- 6.3. Macroscopic diffusion mechanism -- 6.4. Microscopic diffusion mechanism -- 6.5. Point defect control technology -- 6.6. Summary -- 7. Metallization/Kyoichi Suguro -- 7.1. Gate electrodes -- 7.2. Source and drain contacts -- 7.3. Interconnects -- 7.4. Summary -- 8. Chemical Vapor Deposition (CVD)/Nobuo Hayasaka 196 -- 8.1. Introduction -- 8.2. CVD of poly crystalline silicon -- 8.3. CVD of metals -- 8.4. CVD of insulators -- 9. Crystal Technology/Yoshiaki Matsusita -- 9.1. Introduction -- 9.2. Silicon crystal growth technology -- 9.3. Crystalline defect control -- 9.4. Epitaxial wafer -- 9.5. SOI technology -- 9.6. Hereafter subject of crystal technology -- 10. Process and Device Simulation/Tetsunori Wada -- 10.1. Introduction -- 10.2. Process simulation -- 10.3. Device simulation -- 10.4. Conclusion -- 11. SOI Technology/Makoto Yoshimi -- 11.1. History of SOI technology -- 11.2. Thin-film SOI structure -- 11.3. SOI substrate technology -- 11.4. Application to ULSI circuits -- 11.5. Summary -- Index.





نظرات کاربران