ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Materials Fundamentals of Molecular Beam Epitaxy

دانلود کتاب مبانی مواد اپیتاکسی پرتو مولکولی

Materials Fundamentals of Molecular Beam Epitaxy

مشخصات کتاب

Materials Fundamentals of Molecular Beam Epitaxy

ویرایش:  
نویسندگان:   
سری:  
ISBN (شابک) : 9780080571355, 0080571352 
ناشر: Academic Press 
سال نشر: 1993 
تعداد صفحات: 305 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 19 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 52,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 13


در صورت تبدیل فایل کتاب Materials Fundamentals of Molecular Beam Epitaxy به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب مبانی مواد اپیتاکسی پرتو مولکولی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب مبانی مواد اپیتاکسی پرتو مولکولی

فناوری رشد کریستال در طول دو دهه گذشته بسیار پیشرفت کرده است. در میان این پیشرفت ها، توسعه و اصلاح اپیتاکسی پرتو مولکولی (MBE) از جمله موارد مهم بوده است. بلورهایی که توسط MBE رشد می‌کنند با دقت بیشتری نسبت به سایر روش‌ها کنترل می‌شوند و امروزه پایه و اساس پیشرفته‌ترین ساختارهای دستگاه در فیزیک حالت جامد، الکترونیک، و اپتوالکترونیک. به عنوان مثال، شکل 0.1 ساختار لیزری ساطع کننده سطح حفره عمودی را نشان می دهد که توسط MBE رشد کرده است. درمان جامع مواد اولیه و اصول علوم سطحی را ارائه می دهد که برای اپیتاکسی پرتو مولکولی اعمال می شود. به اندازه کافی کامل است که به نفع محققان اپیتاکسی پرتو مولکولی باشد. به اندازه کافی گسترده است که به نفع محققان مواد، سطح و دستگاه باشد. مقاله‌های مرجع در خط مقدم تحقیقات مدرن و همچنین مقالاتی که مورد علاقه تاریخی هستند. بیشتر بخوانید... < br>
چکیده: فناوری رشد کریستال در دو دهه گذشته پیشرفت چشمگیری داشته است. در میان این پیشرفت ها، توسعه و اصلاح اپیتاکسی پرتو مولکولی (MBE) از جمله موارد مهم بوده است. بلورهای رشد یافته توسط MBE با دقت بیشتری نسبت به آنهایی که با هر روش دیگری رشد می کنند کنترل می شوند و امروزه پایه و اساس پیشرفته ترین ساختارهای دستگاه در فیزیک حالت جامد، الکترونیک و اپتوالکترونیک را تشکیل می دهند. به عنوان مثال، شکل 0.1 ساختار لیزری ساطع کننده سطح حفره عمودی را نشان می دهد که توسط MBE رشد کرده است. درمان جامع مواد اولیه و اصول علوم سطحی را ارائه می دهد که برای اپیتاکسی پرتو مولکولی اعمال می شود. به اندازه کافی کامل است که به نفع محققان اپیتاکسی پرتو مولکولی باشد. به اندازه کافی گسترده است که به نفع محققان مواد، سطح و دستگاه باشد. مقالات مرجع در خط مقدم تحقیقات مدرن و همچنین مقالات مورد علاقه تاریخی


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

The technology of crystal growth has advanced enormously during the past two decades. Among, these advances, the development and refinement of molecular beam epitaxy (MBE) has been among the msot important. Crystals grown by MBE are more precisely controlled than those grown by any other method, and today they form the basis for the most advanced device structures in solid-state physics, electronics, and optoelectronics. As an example, Figure 0.1 shows a vertical-cavity surface emitting laser structure grown by MBE. Provides comprehensive treatment of the basic materials and surface science principles that apply to molecular beam epitaxy. Thorough enough to benefit molecular beam epitaxy researchers. Broad enough to benefit materials, surface, and device researchers. Referenes articles at the forefront of modern research as well as those of historical interest. Read more...

Abstract: The technology of crystal growth has advanced enormously during the past two decades. Among, these advances, the development and refinement of molecular beam epitaxy (MBE) has been among the msot important. Crystals grown by MBE are more precisely controlled than those grown by any other method, and today they form the basis for the most advanced device structures in solid-state physics, electronics, and optoelectronics. As an example, Figure 0.1 shows a vertical-cavity surface emitting laser structure grown by MBE. Provides comprehensive treatment of the basic materials and surface science principles that apply to molecular beam epitaxy. Thorough enough to benefit molecular beam epitaxy researchers. Broad enough to benefit materials, surface, and device researchers. Referenes articles at the forefront of modern research as well as those of historical interest



فهرست مطالب

Content: 
Front Matter, Page iii
Copyright, Page iv
Dedication, Page v
Preface, Pages xi-xvi
List of Figures, Pages xvii-xix
List of Tables, Page xxi
Part I - Introduction to Bulk Phase Equilibria, Page 1
Chapter 1 - Free Energies and Open Systems, Pages 3-11
Chapter 2 - Elemental Phases, Pages 13-41
Chapter 3 - Alloy Phases, Pages 43-89
Part II - Introduction to Thin Film Structure and Microstructure, Page 91
Chapter 4 - Ordering and Clustering, Pages 93-150
Chapter 5 - Coherency and Semi-coherency, Pages 151-197
Part III - Introduction to Surface Morphology and Composition, Page 199
Chapter 6 - Surface Morphology, Pages 201-257
Chapter 7 - Surface Composition, Pages 259-285
Index, Pages 287-301




نظرات کاربران