دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش:
نویسندگان: Jeffrey Y. Tsao (Auth.)
سری:
ISBN (شابک) : 9780080571355, 0080571352
ناشر: Academic Press
سال نشر: 1993
تعداد صفحات: 305
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 19 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Materials Fundamentals of Molecular Beam Epitaxy به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب مبانی مواد اپیتاکسی پرتو مولکولی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
فناوری رشد کریستال در طول دو دهه گذشته بسیار پیشرفت کرده است.
در میان این پیشرفت ها، توسعه و اصلاح اپیتاکسی پرتو مولکولی
(MBE) از جمله موارد مهم بوده است. بلورهایی که توسط MBE رشد
میکنند با دقت بیشتری نسبت به سایر روشها کنترل میشوند و
امروزه پایه و اساس پیشرفتهترین ساختارهای دستگاه در فیزیک حالت
جامد، الکترونیک، و اپتوالکترونیک. به عنوان مثال،
شکل 0.1 ساختار لیزری ساطع کننده سطح حفره عمودی را نشان می دهد
که توسط MBE رشد کرده است. درمان جامع مواد اولیه و اصول علوم
سطحی را ارائه می دهد که برای اپیتاکسی پرتو مولکولی اعمال می
شود. به اندازه کافی کامل است که به نفع محققان اپیتاکسی پرتو
مولکولی باشد. به اندازه کافی گسترده است که به نفع محققان مواد،
سطح و دستگاه باشد. مقالههای مرجع در خط مقدم تحقیقات مدرن و
همچنین مقالاتی که مورد علاقه تاریخی هستند. بیشتر
بخوانید... < br>
چکیده: فناوری رشد کریستال در دو دهه گذشته پیشرفت چشمگیری داشته
است. در میان این پیشرفت ها، توسعه و اصلاح اپیتاکسی پرتو مولکولی
(MBE) از جمله موارد مهم بوده است. بلورهای رشد یافته توسط MBE با
دقت بیشتری نسبت به آنهایی که با هر روش دیگری رشد می کنند کنترل
می شوند و امروزه پایه و اساس پیشرفته ترین ساختارهای دستگاه در
فیزیک حالت جامد، الکترونیک و اپتوالکترونیک را تشکیل می دهند. به
عنوان مثال، شکل 0.1 ساختار لیزری ساطع کننده سطح حفره عمودی را
نشان می دهد که توسط MBE رشد کرده است. درمان جامع مواد اولیه و
اصول علوم سطحی را ارائه می دهد که برای اپیتاکسی پرتو مولکولی
اعمال می شود. به اندازه کافی کامل است که به نفع محققان اپیتاکسی
پرتو مولکولی باشد. به اندازه کافی گسترده است که به نفع محققان
مواد، سطح و دستگاه باشد. مقالات مرجع در خط مقدم تحقیقات مدرن و
همچنین مقالات مورد علاقه تاریخی
The technology of crystal growth has advanced enormously during
the past two decades. Among, these advances, the development
and refinement of molecular beam epitaxy (MBE) has been among
the msot important. Crystals grown by MBE are more precisely
controlled than those grown by any other method, and today they
form the basis for the most advanced device structures in
solid-state physics, electronics, and optoelectronics. As an example,
Figure 0.1 shows a vertical-cavity surface emitting laser
structure grown by MBE. Provides comprehensive treatment of the
basic materials and surface science principles that apply to
molecular beam epitaxy. Thorough enough to benefit molecular
beam epitaxy researchers. Broad enough to benefit materials,
surface, and device researchers. Referenes articles at the
forefront of modern research as well as those of historical
interest. Read
more...
Abstract: The technology of crystal growth has advanced
enormously during the past two decades. Among, these advances,
the development and refinement of molecular beam epitaxy (MBE)
has been among the msot important. Crystals grown by MBE are
more precisely controlled than those grown by any other method,
and today they form the basis for the most advanced device
structures in solid-state physics, electronics, and
optoelectronics. As an example, Figure 0.1 shows a
vertical-cavity surface emitting laser structure grown by MBE.
Provides comprehensive treatment of the basic materials and
surface science principles that apply to molecular beam
epitaxy. Thorough enough to benefit molecular beam epitaxy
researchers. Broad enough to benefit materials, surface, and
device researchers. Referenes articles at the forefront of
modern research as well as those of historical interest
Content:
Front Matter, Page iii
Copyright, Page iv
Dedication, Page v
Preface, Pages xi-xvi
List of Figures, Pages xvii-xix
List of Tables, Page xxi
Part I - Introduction to Bulk Phase Equilibria, Page 1
Chapter 1 - Free Energies and Open Systems, Pages 3-11
Chapter 2 - Elemental Phases, Pages 13-41
Chapter 3 - Alloy Phases, Pages 43-89
Part II - Introduction to Thin Film Structure and Microstructure, Page 91
Chapter 4 - Ordering and Clustering, Pages 93-150
Chapter 5 - Coherency and Semi-coherency, Pages 151-197
Part III - Introduction to Surface Morphology and Composition, Page 199
Chapter 6 - Surface Morphology, Pages 201-257
Chapter 7 - Surface Composition, Pages 259-285
Index, Pages 287-301