Low-Dimensional Structures in Semiconductors: From Basic Physics to Applications

این جلد شامل مجموعه ای از بررسی های ارائه شده در موسسه مطالعات پیشرفته ناتو در مورد "ساختارهای کم ابعاد در نیمه هادی ها ... از فیزیک پایه تا کاربردها" است. این بخشی از دانشکده بین المللی علوم مواد و در سال 1990 در مرکز اتوره مایورانا در سیسیل بود. فناوری که در جولای برگزار شد، تنها چند سال پیش، ساختارهای کم‌بعدی یک مفهوم باطنی بود، اما اکنون آشکار است که احتمالاً نقش مهمی در نسل بعدی دستگاه‌های الکترونیکی ایفا خواهند کرد. موضوع مدرسه این بلوغ به سرعت در حال توسعه را تصدیق کرد. مشارکت در این حجم نه تنها فیزیک ضروری را در نظر می گیرد، بلکه دید وسیع تری از موضوع را در نظر می گیرد، از رشد و پردازش مواد شروع می شود، سپس به برنامه ها ادامه می دهد و در مورد استفاده احتمالی از دستگاه های با ابعاد کم در سیستم ها بحث می شود. مقالات در چهار بخش تنظیم شده اند که بخش اول به مفاهیم اولیه سیستم های نیمه هادی و سیستم های با ابعاد کم می پردازد. بخش دوم در مورد رشد و ساخت، بررسی روش‌های MBE و MOVPE و بحث در مورد دستاوردها و محدودیت‌های تکنیک‌های کاهش سازه‌ها به حوزه‌های یک و صفر است. بخش سوم موضوع مهم رابط ها را پوشش می دهد در حالی که بخش پایانی به دستگاه ها و فیزیک دستگاه می پردازد.

This volume contains a sequence of reviews presented at the NATO Advanced Study Institute on 'Low Dimensional Structures in Semiconductors ... from Basic Physics to Applications.' This was part of the International School of Materials Science and 1990 at the Ettore Majorana Centre in Sicily. Technology held in July Only a few years ago, Low Dimensional Structures was an esoteric concept, but now it is apparent they are likely to playa major role in the next generation of electronic devices. The theme of the School acknowledged this rapidly developing maturity.' The contributions to the volume consider not only the essential physics, but take a wider view of the topic, starting from material growth and processing, then prog­ ressing right through to applications with some discussion of the likely use of low dimensional devices in systems. The papers are arranged into four sections, the first of which deals with basic con­ cepts of semiconductor and low dimensional systems. The second section is on growth and fabrication, reviewing MBE and MOVPE methods and discussing the achievements and limitations of techniques to reduce structures into the realms of one and zero dimensions. The third section covers the crucial issue of interfaces while the final section deals with devices and device physics.