دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Long-Term Reliability of Nanometer VLSI Systems: Modeling, Analysis and Optimization
دانلود کتاب قابلیت اطمینان طولانی مدت سیستم های Nanometer VLSI: مدل سازی ، تجزیه و تحلیل و بهینه سازی
مشخصات کتاب
Long-Term Reliability of Nanometer VLSI Systems: Modeling, Analysis and Optimization
ویرایش: 1 نویسندگان: Sheldon Tan, Mehdi Tahoori, Taeyoung Kim, Shengcheng Wang, Zeyu Sun, Saman Kiamehr سری: ISBN (شابک) : 3030261719, 9783030261719 ناشر: Springer سال نشر: 2019 تعداد صفحات: 0 زبان: English فرمت فایل : EPUB (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 64 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 48,000
در صورت تبدیل فایل کتاب Long-Term Reliability of Nanometer VLSI Systems: Modeling, Analysis and Optimization به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب قابلیت اطمینان طولانی مدت سیستم های Nanometer VLSI: مدل سازی ، تجزیه و تحلیل و بهینه سازی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب قابلیت اطمینان طولانی مدت سیستم های Nanometer VLSI: مدل سازی ، تجزیه و تحلیل و بهینه سازی
این کتاب به خوانندگان مرجع مفصلی در مورد دو مورد از مهم‌ترین
اثرات بلندمدت قابلیت اطمینان و پیری بر روی سیستم‌های یکپارچه
نانومتری، مهاجرت‌های الکتریکی (EM) برای اتصال به هم و ناپایداری
دمایی بایاس (BTI) برای دستگاه‌های CMOS ارائه می‌کند. نویسندگان
به تفصیل درباره تحولات اخیر در مدل‌سازی، تحلیل و بهینه‌سازی
اثرات قابلیت اطمینان ناشی از خرابی‌های EM و BTI در سطوح مدار،
معماری و سیستم انتزاع بحث می‌کنند. خوانندگان از تمرکز بر
موضوعاتی مانند اخیراً توسعه‌یافته، مدل‌سازی EM مبتنی بر فیزیک،
مدل‌سازی EM برای سیم‌های چند بخش، تحلیل شبکه برق جدید آگاه از
EM، و تکنیک‌های بهینه‌سازی و مدیریت قابلیت اطمینان ناشی از EM
در سطح سیستم بهره‌مند خواهند شد.
- مدلهای کلاسیک Electromigration (EM) و همچنین مدلهای خرابی EM موجود را بررسی می کند و محدودیت های آن مدل ها را مورد بحث قرار می دهد؛
- یک EM پویا را معرفی می کند. مدلی برای رسیدگی به تکامل تنش گذرا، که در آن سیم‌ها تحت فشار جریان‌های متغیر با زمان و اثرات بازیابی EM قرار می‌گیرند. همچنین شامل مدلهای EM مبتنی بر جریان DC معادل جدید و پارامتر شده برای پرداختن به بازیابی و اثرات گذرا است؛
- رویکردی بین لایه‌ای برای مدل‌سازی، تحلیل و کاهش پیری ترانزیستور ارائه می‌دهد که سطوح انتزاعی متعدد را در بر می‌گیرد.
- خوانندگان را برای مدیریت قابلیت اطمینان پویا ناشی از EM و تکنیک‌های بهینه‌سازی انرژی یا طول عمر، برای ریزپردازنده‌های سیلیکونی تیره چند هسته‌ای، سیستم‌های جاسازی شده، پردازنده‌های چند هسته‌ای کم‌توان و مراکز داده مجهز می‌کند.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
This book provides readers with a detailed reference regarding
two of the most important long-term reliability and aging
effects on nanometer integrated systems, electromigrations (EM)
for interconnect and biased temperature instability (BTI) for
CMOS devices. The authors discuss in detail recent
developments in the modeling, analysis and optimization of the
reliability effects from EM and BTI induced failures at the
circuit, architecture and system levels of abstraction.
Readers will benefit from a focus on topics such as recently
developed, physics-based EM modeling, EM modeling for
multi-segment wires, new EM-aware power grid analysis, and
system level EM-induced reliability optimization and management
techniques.
- Reviews classic Electromigration (EM) models, as well as existing EM failure models and discusses the limitations of those models;
- Introduces a dynamic EM model to address transient stress evolution, in which wires are stressed under time-varying current flows, and the EM recovery effects. Also includes new, parameterized equivalent DC current based EM models to address the recovery and transient effects;
- Presents a cross-layer approach to transistor aging modeling, analysis and mitigation, spanning multiple abstraction levels;
- Equips readers for EM-induced dynamic reliability management and energy or lifetime optimization techniques, for many-core dark silicon microprocessors, embedded systems, lower power many-core processors and datacenters.
فهرست مطالب
Front Matter ....Pages i-xli
Front Matter ....Pages 1-1
Introduction (Sheldon Tan, Mehdi Tahoori, Taeyoung Kim, Shengcheng Wang, Zeyu Sun, Saman Kiamehr)....Pages 3-12
Physics-Based EM Modeling (Sheldon Tan, Mehdi Tahoori, Taeyoung Kim, Shengcheng Wang, Zeyu Sun, Saman Kiamehr)....Pages 13-45
Fast EM Stress Evolution Analysis Using Krylov Subspace Method (Sheldon Tan, Mehdi Tahoori, Taeyoung Kim, Shengcheng Wang, Zeyu Sun, Saman Kiamehr)....Pages 47-66
Fast EM Immortality Analysis for Multi-Segment Copper Interconnect Wires (Sheldon Tan, Mehdi Tahoori, Taeyoung Kim, Shengcheng Wang, Zeyu Sun, Saman Kiamehr)....Pages 67-96
Dynamic EM Models for Transient Stress Evolution and Recovery (Sheldon Tan, Mehdi Tahoori, Taeyoung Kim, Shengcheng Wang, Zeyu Sun, Saman Kiamehr)....Pages 97-120
Compact EM Models for Multi-Segment Interconnect Wires (Sheldon Tan, Mehdi Tahoori, Taeyoung Kim, Shengcheng Wang, Zeyu Sun, Saman Kiamehr)....Pages 121-151
EM Assessment for Power Grid Networks (Sheldon Tan, Mehdi Tahoori, Taeyoung Kim, Shengcheng Wang, Zeyu Sun, Saman Kiamehr)....Pages 153-175
Resource-Based EM Modeling DRM for Multi-Core Microprocessors (Sheldon Tan, Mehdi Tahoori, Taeyoung Kim, Shengcheng Wang, Zeyu Sun, Saman Kiamehr)....Pages 177-194
DRM and Optimization for Real-Time Embedded Systems (Sheldon Tan, Mehdi Tahoori, Taeyoung Kim, Shengcheng Wang, Zeyu Sun, Saman Kiamehr)....Pages 195-215
Learning-Based DRM and Energy Optimization for Manycore Dark Silicon Processors (Sheldon Tan, Mehdi Tahoori, Taeyoung Kim, Shengcheng Wang, Zeyu Sun, Saman Kiamehr)....Pages 217-245
Recovery-Aware DRM for Near-Threshold Dark Silicon Processors (Sheldon Tan, Mehdi Tahoori, Taeyoung Kim, Shengcheng Wang, Zeyu Sun, Saman Kiamehr)....Pages 247-262
Cross-Layer DRM and Optimization for Datacenter Systems (Sheldon Tan, Mehdi Tahoori, Taeyoung Kim, Shengcheng Wang, Zeyu Sun, Saman Kiamehr)....Pages 263-275
Front Matter ....Pages 277-277
Introduction (Sheldon Tan, Mehdi Tahoori, Taeyoung Kim, Shengcheng Wang, Zeyu Sun, Saman Kiamehr)....Pages 279-304
Aging-Aware Timing Analysis (Sheldon Tan, Mehdi Tahoori, Taeyoung Kim, Shengcheng Wang, Zeyu Sun, Saman Kiamehr)....Pages 305-321
Aging-Aware Standard Cell Library Optimization Methods (Sheldon Tan, Mehdi Tahoori, Taeyoung Kim, Shengcheng Wang, Zeyu Sun, Saman Kiamehr)....Pages 323-342
Aging Effects in Sequential Elements (Sheldon Tan, Mehdi Tahoori, Taeyoung Kim, Shengcheng Wang, Zeyu Sun, Saman Kiamehr)....Pages 343-356
Aging Guardband Reduction Through Selective Flip-Flop Optimization (Sheldon Tan, Mehdi Tahoori, Taeyoung Kim, Shengcheng Wang, Zeyu Sun, Saman Kiamehr)....Pages 357-372
Workload-Aware Static Aging Monitoring and Mitigation of Timing-Critical Flip-Flops (Sheldon Tan, Mehdi Tahoori, Taeyoung Kim, Shengcheng Wang, Zeyu Sun, Saman Kiamehr)....Pages 373-399
Aging Relaxation at Microarchitecture Level Using Special NOPs (Sheldon Tan, Mehdi Tahoori, Taeyoung Kim, Shengcheng Wang, Zeyu Sun, Saman Kiamehr)....Pages 401-414
ExtraTime: Modeling and Analysis of Transistor Aging at Microarchitecture-Level (Sheldon Tan, Mehdi Tahoori, Taeyoung Kim, Shengcheng Wang, Zeyu Sun, Saman Kiamehr)....Pages 415-438
Reducing Processor Wearout by Exploiting the Timing Slack of Instructions (Sheldon Tan, Mehdi Tahoori, Taeyoung Kim, Shengcheng Wang, Zeyu Sun, Saman Kiamehr)....Pages 439-455
Back Matter ....Pages 457-460
