دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Latchup
دانلود کتاب چفت تا
مشخصات کتاب
Latchup
ویرایش: 1
نویسندگان: Steven H. Voldman
سری:
ISBN (شابک) : 0470016426, 9780470516164
ناشر:
سال نشر: 2008
تعداد صفحات: 475
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 6 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 55,000
در صورت تبدیل فایل کتاب Latchup به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب چفت تا نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب چفت تا
علاقه به Latchup با تکامل فناوری نیمه هادی اکسید فلزی (CMOS)، مقیاس بندی ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلزی-نیمه هادی (MOSFET) و ادغام سطح بالا سیستم روی تراشه (SOC) در حال تجدید است. روش‌های واضح که حفاظت در برابر لچ‌آپ، با بینش فیزیک، فناوری و مسائل مربوط به مدار، تقاضای فزاینده‌ای دارد. این کتاب فناوری نیمه‌رسانای CMOS و BiCMOS و حساسیت آن‌ها را به پدیده‌های لچاپ امروزی، از شرایط اولیه اضافه ولتاژ و جریان بیش از حد توصیف می‌کند. ، رویدادهای تک رویداد (SEL) و رویدادهای تخلیه کابل (CDE)، به پدیده های دومینو لچاپ. این شامل فصل‌هایی است که بر فیزیک دوقطبی، تئوری لچ‌آپ، ساختارهای مشخصه حلقه و محافظ، تست خصوصیات، سیستم‌های تست سطح محصول، تست سطح محصول و نتایج تجربی تمرکز دارند. بحث‌هایی در مورد پیشرفته‌ترین فرآیندهای نیمه‌رسانا، طرح‌بندی طراحی، و راه‌حل‌های لچ‌آپ سطح مدار و سطح سیستم، و همچنین: راه‌حل‌های فرآیند نیمه‌رسانا لچاپ برای هر دو CMOS تا BiCMOS، مانند ترانشه کم‌عمق، ترانچ عمیق، رتروگراد نیز گنجانده شده است. چاه‌ها، ایمپلنت‌های اتصال، جمع‌کننده‌های فرعی، لایه‌های مدفون با دوپ شدید، و شبکه‌های مدفون - از CMOS تک تا سه‌چاهی. روش‌های عملی طراحی لچ‌آپ، روش‌ها و تکنیک‌های تست لچ‌آپ خودکار و سطح رومیزی، تئوری لچ‌آپ فضای مقاومت لگاریتمی، فضای آلفای تعمیم‌یافته، فضای بتا (ب)، روش‌های طراحی لچ‌آپ جدید – اتصال تحلیل نظری به تحلیل عملی، و ؛نمونه‌هایی از روش‌های طراحی به کمک رایانه (CAD)، از بررسی قوانین طراحی (DRC) و طراحی منطقی تا فیزیکی، تا روش‌های جدید CAD latchup که به Latchup برای Latchup داخلی و خارجی در سطح طراحی محلی و همچنین جهانی می‌پردازند. Latchup به عنوان یک متن همراه برای سری کتاب های نویسنده در مورد حفاظت از ESD (تخلیه الکترواستاتیک) عمل می کند و به عنوان یک مرجع ارزشمند برای تراشه های نیمه هادی حرفه ای و مهندس ESD در سطح سیستم عمل می کند. دستگاه های نیمه هادی، طراحان فرآیند و مدار، و مهندسین کیفیت، قابلیت اطمینان و تجزیه و تحلیل خرابی، آن را در مورد مسائلی که با فناوری مدرن CMOS مواجه است، آموزنده می یابند. پزشکان در صنایع خودروسازی و هوافضا نیز آن را مفید خواهند یافت. علاوه بر این، درمان آکادمیک آن برای دانشجویان ارشد و فارغ التحصیلان علاقه مند به فرآیند نیمه هادی، فیزیک دستگاه، طراحی به کمک کامپیوتر و ادغام طراحی جذاب خواهد بود.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
Interest in latchup is being renewed with the evolution of complimentary metal-oxide semiconductor (CMOS) technology, metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) scaling, and high-level system-on-chip (SOC) integration.Clear methodologies that grant protection from latchup, with insight into the physics, technology and circuit issues involved, are in increasing demand.This book describes CMOS and BiCMOS semiconductor technology and their sensitivity to present day latchup phenomena, from basic over-voltage and over-current conditions, single event latchup (SEL) and cable discharge events (CDE), to latchup domino phenomena. It contains chapters focusing on bipolar physics, latchup theory, latchup and guard ring characterization structures, characterization testing, product level test systems, product level testing and experimental results. Discussions on state-of-the-art semiconductor processes, design layout, and circuit level and system level latchup solutions are also included, as well as:latchup semiconductor process solutions for both CMOS to BiCMOS, such as shallow trench, deep trench, retrograde wells, connecting implants, sub-collectors, heavily-doped buried layers, and buried grids – from single- to triple-well CMOS; practical latchup design methods, automated and bench-level latchup testing methods and techniques, latchup theory of logarithm resistance space, generalized alpha (a) space, beta (b) space, new latchup design methods– connecting the theoretical to the practical analysis, and;examples of latchup computer aided design (CAD) methodologies, from design rule checking (DRC) and logical-to-physical design, to new latchup CAD methodologies that address latchup for internal and external latchup on a local as well as global design level.Latchup acts as a companion text to the author’s series of books on ESD (electrostatic discharge) protection, serving as an invaluable reference for the professional semiconductor chip and system-level ESD engineer. Semiconductor device, process and circuit designers, and quality, reliability and failure analysis engineers will find it informative on the issues that confront modern CMOS technology. Practitioners in the automotive and aerospace industries will also find it useful. In addition, its academic treatment will appeal to both senior and graduate students with interests in semiconductor process, device physics, computer aided design and design integration.
