دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش:
نویسندگان: Moore. Thomas M
سری:
ISBN (شابک) : 0871707888, 9780871707888
ناشر: A S M International
سال نشر: 2003
تعداد صفحات: 533
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 93 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب ISTFA 2003 مجموعه مقالات بیست و نهمین سمپوزیوم بین المللی برای تست و تجزیه و تحلیل شکست، 2-6 نوامبر 2003، مرکز کنوانسیون سانتا کلارا، سانتا کلارا، کالیفرنیا: دستگاه ها و لوازم الکترونیکی -- آزمایش -- کنگره ها. کتاب های الکترونیکی -- محلی الکترونیک -- مواد -- آزمایش -- کنگره ها.
در صورت تبدیل فایل کتاب ISTFA 2003 Proceedings of the 29th International Symposium for Testing and Failure Analysis, 2-6 November 2003, Santa Clara Convention Center, Santa Clara, California به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب ISTFA 2003 مجموعه مقالات بیست و نهمین سمپوزیوم بین المللی برای تست و تجزیه و تحلیل شکست، 2-6 نوامبر 2003، مرکز کنوانسیون سانتا کلارا، سانتا کلارا، کالیفرنیا نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این جلد جلسات، پوشش عمیقی از آخرین پیشرفتها و پیشرفتهترین تکنیکها برای تجزیه و تحلیل خرابی میکروالکترونیک ارائه میکند. CD-ROM محتوای کامل کتاب را با فرمت Adobe Acrobat PDF قابل جستجو ارائه می دهد. محتویات: جداسازی خطای خرابی الکتریکی در ارائه نمونه. تصویربرداری و تجزیه و تحلیل مواد؛ جریان فرآیند تجزیه و تحلیل شکست بر روی اجزای فردی. عملکرد در سطح سیستم؛ افزایش بازده تولید؛ مسائل و راه حل های بسته بندی؛ موضوعات داغ مانند کاوش نوری و تجزیه و تحلیل شکست مبتنی بر تستر
This proceedings volume presents in-depth coverage of the latest developments and the most advanced techniques for microelectronics failure analysis. The CD-ROM presents the complete content of the book in fully searchable Adobe Acrobat PDF format. Contents: Fault Isolation of the Electrical Fail over Sample Presentation; Imaging and Material Analysis; Failure Analysis Process Flows on Individual Components; System-Level Performance; Manufacturing yield Enhancements; Packaging Issues and Solutions; Hot Topics such as Optical Probing and Tester-Driven Failure Analysis
Content: \"\"ISTFA 2003 Organizing Committee\"\"
\"\"EDFAS 2003 � 2004 Board Of Directors\"\"
\"\"ISTFA 2003 Subcommittee Members\"\"
\"\"Preface\"\"
\"\"Table of Contents\"\"
\"\"Session 1: Advanced Techniques \"\"
\"\"Scanning magnetoresistive microscopy for die-level sub-micron current density mapping\"\"
\"\"High Resolution Current Imaging by Direct Magnetic Field Sensing\"\"
\"\"Fault Isolation of High Resistance Defects using Comparative Magnetic Field Imaging\"\"
\"\"High Resolution Backside Thermography using a Numerical Aperture Increasing Lens\"\"
\"\"Session 2: Optical Techniques\"\" \"\"Study of Critical Factors Determining Latchup Sensitivity of ICs using Emission Microscopy\"\"\"\"New Applications of Thermal Laser Signal Injection Microscopy (T-LSIM)\"\"
\"\"PC Card Based Optical Probing of Advanced Graphics Processor using Time Resolved Emission\"\"
\"\"Time-Resolved Optical Measurements from 0.13µm CMOS Technology Microprocessor using a Superconducting Single- Photon Detector\"\"
\"\"IC Diagnostic with Time Resolved Photon Emission and CAD Auto-channeling\"\"
\"\"Session 3: Package Level Analysis 1\"\"
\"\"3D X-ray Computed Tomography (CT) for Electronic Packages\"\" \"\"High- Angle Electron Microscopy Technique for Analysis of Thin Film Contamination on IC Package Exteriors\"\"\"\"Solder bump defects in ceramic flip chip packages and their acoustic signatures.\"\"
\"\"Copper Bond over Active Circuit (BOAC) and Copper over Anything ( COA) Failure Analysis\"\"
\"\"Investigation of Bond-pad Related Inter-metal Dielectric Crack\"\"
\"\"Session 4: Sample Preparation 1 \"\"
\"\"Enhanced SEM Doping Contrast\"\"
\"\"Interconnect and Gate Level Delayering Techniques for Cu/ Low k Technology Failure Analysis\"\" \"\"Backside Deprocessing of CMOS SOI Devices for Physical Defect and Failure Analysis\"\"\"\"A Novel Approach to Front-side Deprocessing for Thinned Die after Backside Failure Isolation\"\"
\"\"Session 5: System Level Analysis \"\"
\"\"Dynamic Infrared System Level Fault Isolation\"\"
\"\"X-ray Laminography Benchmarking and Failure Analysis of Solder Joint Interfaces\"\"
\"\"XRF Correlation of Board Reseats due to Intermittent Failures from the use of Thin Gold Plating finish on the Contact Fingers\"\"
\"\"Session 6: Metrology and Materials Analysis 1 \"\" \"\"Real Time SEM Imaging of FIB Milling Processes for Extended Accuracy on TEM Samples for EFTEM Analysis\"\"\"\"A Method for Exact Determination of DRAM Deep Trench Surface Area\"\"
\"\"A Review of TEM Observations of Failures of the Memory Cell in a Deep Trench Capacitor DRAM\"\"
\"\"The Effect of TEM Specimen Preparation Method on Ultra-thin Gate Dielectric Analysis\"\"
\"\"Forward Scattered Scanning Electron Microscopy for Semiconductor Metrology and Failure Analysis\"\"
\"\"Session 7: Failure Analysis Process \"\"
\"\"Contributions of a Formal Analysis Metaprocess to Breakthrough Failure Analysis Results\"\"