دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Iron distribution in the implanted silicon under the action of high-power pulsed ion and laser beams
دانلود کتاب توزیع آهن در سیلیکون کاشته شده تحت تأثیر پرتوهای یون پالسی و لیزر پرقدرت
مشخصات کتاب
Iron distribution in the implanted silicon under the action of high-power pulsed ion and laser beams
دسته بندی: مهندسی مکانیک ویرایش: نویسندگان: Bayazitov R., Batalov R., Nurutdinov R., Shustov V., Gaiduk P., Dezsi I., Kotai E. سری: ناشر: سال نشر: تعداد صفحات: 5 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 160 کیلوبایت
قیمت کتاب (تومان) : 34,000
در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد
کلمات کلیدی مربوط به کتاب توزیع آهن در سیلیکون کاشته شده تحت تأثیر پرتوهای یون پالسی و لیزر پرقدرت: مهندسی مکانیک و پردازش مواد، روش های پردازش با انرژی بالا
در صورت تبدیل فایل کتاب Iron distribution in the implanted silicon under the action of high-power pulsed ion and laser beams به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب توزیع آهن در سیلیکون کاشته شده تحت تأثیر پرتوهای یون پالسی و لیزر پرقدرت نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب توزیع آهن در سیلیکون کاشته شده تحت تأثیر پرتوهای یون پالسی و لیزر پرقدرت
الزیور ابزار و روش‌های هسته‌ای در تحقیقات فیزیک B 240 (2005)
224-228
نتایج بررسی ترکیب فاز، ریزساختار و توزیع عمق ناخالص در لایه‌های
سیلیکونی کاشته‌شده با یون‌های آهن و بازپخت با یون پالسی و
پرتوهای لیزر داده شده. داده های پراش اشعه ایکس انتقال فاز
FeSi→β-FeSi2 را با افزایش چگالی انرژی پالس نشان می دهد. پس از
کاشت یون و درمان های پالسی، لایه های سیلیکون دارای ساختار سلولی
مرتبط با حلالیت کم آهن در سیلیکون هستند. بسته به غلظت اتمی آهن،
یا جدا شدن ماده ناخالص به سطح یا انتشار به سیلیکون صورت می
گیرد. این وابستگی با انتشار سریع آهن در سیلیکون مایع و افزایش
ضریب توزیع ناخالص هنگام افزایش غلظت ناخالص توضیح داده می شود.
نتایج شبیه‌سازی کامپیوتری به خوبی با داده‌های تجربی در مورد
توزیع عمق آهن مطابقت دارد و ضریب تفکیک نزدیک به 1 را در
بالاترین غلظت ناخالصی می‌دهد.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
Elseiver. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B
240 (2005) 224–228
The results of the investigation of the phase composition,
microstructure and dopant depth distribution in silicon layers
implanted with iron ions and annealed with pulsed ion and laser
beams are given. X-ray diffraction data indicate the phase
transition FeSi→β -FeSi2 with increasing of the pulse energy
density. After ion implantation and pulsed treatments, silicon
layers have a cellular structure related with the low
solubility of iron in silicon. Depending on the iron atomic
concentration, either segregation of the dopant to the surface
or diffusion into silicon takes place. This dependence is
explained by rapid diffusion of iron in liquid silicon and
increase of the dopant distribution coefficient when increasing
dopant concentration. The results of the computer simulation
agree well with experimental data on the iron depth
distribution and give the segregation co-efficient close to 1
at the highest dopant concentration.
نظرات کاربران
کتاب های مرتبط
دانلود کتاب Magnetiс-abrasive machining of silicon wafer - a novel approach
دانلود کتاب Mechanics of Engineering Materials
دانلود کتاب Gear cutting tools : fundamentals of design and computation
دانلود کتاب New Ironbased SiC Spherical Composite Magnetic Abrasive for Magnetic Abrasive Finishing
دانلود کتاب Blueprint Reading for Welders , Eighth Edition
دانلود کتاب Personal APT, Reference guide, NC/CNC programming software
