ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Ion Tracks and Microtechnology: Principles and Applications

دانلود کتاب Ion Tracks and Microtechnology: اصول و کاربردها

Ion Tracks and Microtechnology: Principles and Applications

مشخصات کتاب

Ion Tracks and Microtechnology: Principles and Applications

ویرایش: 1 
نویسندگان: ,   
سری:  
ISBN (شابک) : 9783322831040, 9783322831033 
ناشر: Vieweg+Teubner Verlag 
سال نشر: 1990 
تعداد صفحات: 282 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 14 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 41,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب Ion Tracks and Microtechnology: اصول و کاربردها: مهندسی، عمومی



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 3


در صورت تبدیل فایل کتاب Ion Tracks and Microtechnology: Principles and Applications به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب Ion Tracks and Microtechnology: اصول و کاربردها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب Ion Tracks and Microtechnology: اصول و کاربردها

نفوذ ذرات باردار سنگین از طریق ماده از روزهای اولیه مدل اتمی بور موضوع تحقیقات بوده است. مدت‌ها بعد مشخص شد که آثار به‌دست‌آمده ابعادی نزدیک به مقیاس اتمی دارند و می‌توانند در قالب الگوهای fme آشکار شوند. اخیراً، این ویژگی کاربردهایی را در میکرو الکترونیک و مکانیک، زیست شناسی و پزشکی، فناوری سطح و غشاء، مغناطیس اپتیک و فیزیک دمای پایین به خود جلب کرده است - برنامه هایی که نیاز به ظرافت بالایی از کنترل هندسی در مقیاس میکروسکوپی دارند. پیشرفت در فناوری های پیشرفته به طور اساسی به اصلاح ابزارهای موجود بستگی دارد. در مسیر ورود به رژیم زیر میکرون، لیتوگرافی های مرسوم با استفاده از نور مرئی و فرابنفش، اشعه ایکس و الکترون ها به طور پیوسته به محدودیت های فیزیکی خود نزدیک می شوند. نکته اصلی در جستجوی ابزارهای بهتر، بهبود فناوری تابش است. یون‌ها دارای محدوده نفوذ مشخصی هستند، انزجار محلی بالایی از انرژی رسوب‌شده دارند و می‌توانند به راحتی در مقادیر زیاد تولید شوند. مناطق آسیب ایجاد شده را می توان به طور نامحدود در بسیاری از عایق ها ذخیره کرد و برای شروع یک فرآیند تبدیل فاز که باعث تغییر، حذف یا جمع آوری مواد در مسیرهای نهان می شود، استفاده کرد. تا به حال رایج ترین فرآیند توسعه، حکاکی مسیر است، که به عنوان یک تقویت کننده شیمیایی عمل می کند که ناحیه آسیب دیده مسیرهای نهفته را ترجیحاً حل می کند و حفره ها یا کانال هایی را ایجاد می کند که می توانند بسیار ظریف باشند، از حدود 10 نانومتر شروع می شوند و به صورت خطی چین می شوند. زمان حکاکی


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

The penetration of heavy charged particles through matter has been the subject of investigations since the early days of Bohr's atomic model. Much later it was found that the resulting traces have dimensions close to the atomic scale and can be revealed in the form of fme patterns. Quite recently, this characteristic attracts applications in micro­ electronics and -mechanics, biology and medicine, surface and membrane technology, magneto-optics and low temperature physics - applications which require a high subtlety of geometric control on a microscopic scale. Progress in advanced technologies depends crucially on the refinement of the available tools. On the road into the submicron regime, customary lithographies using visible and ultraviolet light, x rays, and electrons are steadily nearing their physical limits. A central point in the search for better tools is the improvement of irradiation technology. Ions have a well-defined range of penetration, a high local confmement of the deposited energy and can be generated conveniently in great quantity. The generated dam­ age zones can be stored indefmitely in many insulators and be used to initiate a phase transformation process that changes, removes, or collects material along the latent tracks. Up to now the most common development process is track etching, which acts as a chemical amplifier that dissolves the damaged zone of the latent tracks preferentially and creates etch pits or channels that can be extremely fine, starting around 10 nm and in­ creasing .linearly with the etching time.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages I-X
Introduction....Pages 1-13
Irradiation technology....Pages 14-48
Energy-loss phenomena....Pages 49-92
Formation of the latent track....Pages 93-125
Development of ion tracks....Pages 126-154
Observation of ion tracks....Pages 155-166
Resulting structures....Pages 167-182
Single-ion tracks....Pages 183-210
Multiple ion tracks....Pages 211-229
Bulk properties....Pages 230-245
Growth areas....Pages 246-261
Concluding remarks....Pages 262-262
Back Matter....Pages 263-274




نظرات کاربران