ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Ion Implantation and Synthesis of Materials

دانلود کتاب ایمپلنت یون و سنتز مواد

Ion Implantation and Synthesis of Materials

مشخصات کتاب

Ion Implantation and Synthesis of Materials

دسته بندی: مهندسی مکانیک
ویرایش: 1 
نویسندگان:   
سری: Springer Series in Materials Science 
ISBN (شابک) : 3540236740, 9783540452980 
ناشر: Springer-Verlag 
سال نشر: 2006 
تعداد صفحات: 273 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 5 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 33,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب ایمپلنت یون و سنتز مواد: مهندسی مکانیک و پردازش مواد، علم مواد و TCM، مقالات و مجموعه‌های علمی



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 11


در صورت تبدیل فایل کتاب Ion Implantation and Synthesis of Materials به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب ایمپلنت یون و سنتز مواد نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب ایمپلنت یون و سنتز مواد

کاشت یون یکی از مراحل کلیدی پردازش در فناوری مدارهای مجتمع سیلیکونی است. برخی از مدارهای مجتمع به 17 مرحله کاشت نیاز دارند و مدارها به ندرت با کمتر از 10 مرحله کاشت پردازش می شوند. دوپینگ کنترل شده در اعماق کنترل شده یکی از ویژگی های ضروری کاشت است. پردازش پرتو یونی همچنین می تواند برای بهبود مقاومت در برابر خوردگی، سخت شدن سطوح، کاهش سایش و به طور کلی بهبود خواص مواد استفاده شود. این کتاب فیزیک و علم مواد کاشت یون و اصلاح پرتو یونی مواد را ارائه می دهد. این فعل و انفعالات یون-جامد را پوشش می دهد که برای پیش بینی محدوده یونی، شکست یون و اختلال شبکه استفاده می شود. همچنین تشکیل پیوند کم عمق و برش سیلیکون با پرتوهای یون هیدروژن درمان می شود. موضوعات مهم برای اصلاح مواد، مانند اختلاط پرتو یونی، تنش ها، و کندوپاش نیز شرح داده شده است.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Ion implantation is one of the key processing steps in silicon integrated circuit technology. Some integrated circuits require up to 17 implantation steps and circuits are seldom processed with less than 10 implantation steps. Controlled doping at controlled depths is an essential feature of implantation. Ion beam processing can also be used to improve corrosion resistance, to harden surfaces, to reduce wear and, in general, to improve materials properties. This book presents the physics and materials science of ion implantation and ion beam modification of materials. It covers ion-solid interactions used to predict ion ranges, ion straggling and lattice disorder. Also treated are shallow-junction formation and slicing silicon with hydrogen ion beams. Topics important for materials modification, such as ion-beam mixing, stresses, and sputtering, are also described.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages i-xiii
General Features and Fundamental Concepts....Pages 1-10
Particle Interactions....Pages 11-21
Dynamics of Binary Elastic Collisions....Pages 23-36
Cross-Section....Pages 37-48
Ion Stopping....Pages 49-61
Ion Range and Range Distribution....Pages 63-76
Displacements and Radiation Damage....Pages 77-92
Channeling....Pages 93-106
Doping, Diffusion and Defects in Ion-Implanted Si....Pages 107-126
Crystallization and Regrowth of Amorphous Si....Pages 127-142
Si Slicing and Layer Transfer: Ion-Cut....Pages 143-158
Surface Erosion During Implantation: Sputtering....Pages 159-178
Ion-Induced Atomic Intermixing at the Interface: Ion Beam Mixing....Pages 179-192
Application of Ion Implantation Techniques in CMOS Fabrication....Pages 193-211
Ion implantation in CMOS Technology: Machine Challenges....Pages 213-238
Back Matter....Pages 239-263




نظرات کاربران

تمامی حقوق معنوی و مادی وبسایت متعلق به اینترنشنال لایبرری می باشد
نماد اعتماد الکترونیکی