دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Introduction to Nanoelectronic Single-Electron Circuit Design
دانلود کتاب مقدمه ای بر طراحی نانوالکترونیک تک مداری
مشخصات کتاب
Introduction to Nanoelectronic Single-Electron Circuit Design
ویرایش: 1
نویسندگان: Jaap Hoekstra (Author)
سری:
ISBN (شابک) : 9789814241939, 9780429067136
ناشر: Jenny Stanford Publishing
سال نشر: 2009
تعداد صفحات: 308
زبان:
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 72 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 67,000
کلمات کلیدی مربوط به کتاب مقدمه ای بر طراحی نانوالکترونیک تک مداری: مهندسی و فناوری، مهندسی برق و الکترونیک، الکترومغناطیسی و مایکروویو، الکترونیک، علوم فیزیکی، علم مواد
در صورت تبدیل فایل کتاب Introduction to Nanoelectronic Single-Electron Circuit Design به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب مقدمه ای بر طراحی نانوالکترونیک تک مداری نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب مقدمه ای بر طراحی نانوالکترونیک تک مداری
این کتاب مدارهای تک الکترونی را به عنوان مقدمه ای بر حوزه به سرعت در حال گسترش نانوالکترونیک بررسی می کند. این مقاله هم تجزیه و تحلیل و هم سنتز مدارها را با دستگاه اتصال تونل زنی تک الکترونی فلزی نانوالکترونیکی (SET) مورد بحث قرار می دهد. پدیده های فیزیکی اساسی مورد بررسی عبارتند از تونل زنی مکانیکی کوانتومی الکترون ها از طریق یک شکاف عایق کوچک بین دو سیم فلزی، بلوک کولن و نوسانات کولن - دو مورد آخر ناشی از کوانتیزه شدن بار. نویسنده از یک رویکرد غیر متعارف در توضیح عملکرد و طراحی مدارهای تک الکترونی استفاده می کند.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
This book examines single-electron circuits as an introduction to the rapidly expanding field of nanoelectronics. It discusses both the analysis and synthesis of circuits with the nanoelectronic metallic single-electron tunneling (SET) junction device. The basic physical phenomena under consideration are the quantum mechanical tunneling of electrons through a small insulating gap between two metal leads, the Coulomb blockade and Coulomb oscillations — the last two resulting from the quantization of charge. The author employs an unconventional approach in explaining the operation and design of single-electron circuits.
فهرست مطالب
Content: 1. Introduction. 1.1. Scope. 1.2. Electron tunneling. 1.3. Tunneling capacitors and island charges. 1.4. Energy in simple capacitor circuits, bounded and unbounded currents. 1.5. Operational temperature. 1.6. Research questions --
2. Tunneling experiments in nanoelectronics. 2.1. Tunneling in the tunnel diode. 2.2. Tunneling capacitor --
3. Current in electrodynamics and circuit theory. 3.1. Charges in electrodynamics. 3.2. Conservation of charge and continuity equation. 3.3. Electromagnetics\' field equations in vacuum. 3.4. Equations in the presence of charges and currents. 3.5. Conservation of energy and Poynting\'s theorem. 3.6. Steady-state and constant currents. 3.7. Time-dependent current flow. 3.8. Towards circuit theory --
4. Free electrons in quantum mechanics. 4.1. Particles, fields, wave packets, and uncertainty relations. 4.2. Schrödinger\'s equation. 4.3. Free electrons. 4.4. Free electrons meeting a boundary. 4.5. Electrons in potential wells --
5. Current and tunnel current in quantum physics. 5.1. Electrical conductivity in metals. 5.2. Current in quantum physics. 5.3. Tunneling and tunnel current. 5.4. Shrinking dimensions and quantized conductance --
6. Energy in circuit theory. 6.1. Lumped circuits. 6.2. Circuit theorems --
7. Energy in the switched two-capacitor circuit. 7.1. Problem statement. 7.2. Continuity property in linear networks. 7.3. Unbounded currents. 7.4. Zero initial capacitor voltage (zero state). 7.5. Initial charge models. 7.6. Solution A : bounded currents. 7.7. Solution B : unbounded currents. 7.8. Unbounded or bounded currents through circuits --
8. Impulse circuit model for single-electron tunneling --
zero tunneling time. 8.1. SET junction excited by an ideal current source --
zero tunneling time. 8.2. SET junction excited by an ideal voltage source. 8.3. Basic assumptions. 8.4. Conditions for tunneling. 8.5. Tunnel condition : mathematical formulation --
9. Impulse circuit model for single-electron tunneling --
nonzero tunneling times. 9.1. SET junction excited by an ideal current source --
nonzero tunneling time. 9.2. SET junction excited by a nonideal current or voltage source. 9.3. Tunneling of many electrons, stochastic tunneling, and resistive behavior --
10. Generalizing the theory to multi-junction circuits. 10.1. How much energy is needed to tunnel onto a metallic island? 10.2. Electron box excited by an ideal current source, zero tunneling time. 10.3. Electron box excited by an ideal voltage source. 10.4. Electron box excited by a current source, nonzero tunneling time. 10.5. Initial island charges and random background charges --
11. Single-electron tunneling circuit examples. 11.1. Electron-box. 11.2. Double junction structure. 11.3. SET transistor. 11.4. Three junction structure. 11.5. SET inverter --
12. Circuit design methodologies. 12.1. Introduction and challenges. 12.2. Nanoelectronic design issues. 12.3. SET circuit design issues. 12.4. Circuit simulator. 12.5. Random background charges. 12.6. An outlook to system design : fuzzy logic and neural networks --
13. More potential applications and challenges. 13.1. Logic circuits. 13.2. Analog functionality.
