مشخصات کتاب

Introduction to magnetic random-access memory

ویرایش: 1 
نویسندگان: Dieny. Bernard,  Goldfarb. Ronald Barry,  Lee. Kyung-Jin  
سری:  
ISBN (شابک) : 111900974X, 1119079357 
ناشر: Wiley-IEEE Press 
سال نشر: 2017 
تعداد صفحات: 255 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 89 مگابایت 

کلمات کلیدی مربوط به کتاب مقدمه ای بر حافظه با دسترسی تصادفی مغناطیسی: حافظه با دسترسی تصادفی، حافظه مغناطیسی (کامپیوتر)

در صورت تبدیل فایل کتاب Introduction to magnetic random-access memory به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب مقدمه ای بر حافظه با دسترسی تصادفی مغناطیسی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب مقدمه ای بر حافظه با دسترسی تصادفی مغناطیسی

حافظه با دسترسی تصادفی مغناطیسی (MRAM) برای جایگزینی حافظه سنتی رایانه مبتنی بر نیمه هادی های اکسید فلزی مکمل (CMOS) آماده است. MRAM از نظر عدم فراریت، اتلاف انرژی کم، سرعت سوئیچینگ سریع، سختی تابش و دوام از همه انواع دیگر دستگاه های حافظه پیشی خواهد گرفت. اگرچه toggle-MRAM در حال حاضر یک محصول تجاری است، اما واضح است که پیشرفت‌های آینده در MRAM مبتنی بر گشتاور انتقال اسپین خواهد بود، که از تکانه زاویه‌ای اسپین الکترون‌ها به جای بار آنها استفاده می‌کند.

MRAM به ترکیبی از فناوری‌های مغناطیسی و میکروالکترونیک نیاز دارد. با این حال، محققان و توسعه دهندگان در مغناطیسی و میکروالکترونیک در کنفرانس های فنی مختلف شرکت می کنند، در مجلات مختلف منتشر می کنند، از ابزارهای مختلف استفاده می کنند، و پیشینه های متفاوتی در فیزیک مواد متراکم، مهندسی برق، و علم مواد دارند.

این کتاب است. مقدمه ای بر MRAM برای مهندسان میکروالکترونیک که توسط متخصصان مواد و دستگاه های مغناطیسی نوشته شده است. این پدیده‌های اساسی درگیر در MRAM، مواد و پشته‌های فیلم مورد استفاده، اصول اولیه انواع مختلف MRAM (گشتاور چرخشی و چرخشی مغناطیسی در صفحه یا عمود بر صفحه)، مغناطیسی انتهایی را ارائه می‌کند. فناوری، و پیشرفت‌های اخیر به سمت معماری‌های منطقی در حافظه. این به پر کردن شکاف فرهنگی بین جوامع میکروالکترونیک و مغناطیسی کمک می کند.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Magnetic random-access memory (MRAM) is poised to replace traditional computer memory based on complementary metal-oxide semiconductors (CMOS). MRAM will surpass all other types of memory devices in terms of nonvolatility, low energy dissipation, fast switching speed, radiation hardness, and durability. Although toggle-MRAM is currently a commercial product, it is clear that future developments in MRAM will be based on spin-transfer torque, which makes use of electrons’ spin angular momentum instead of their charge.

MRAM will require an amalgamation of magnetics and microelectronics technologies. However, researchers and developers in magnetics and in microelectronics attend different technical conferences, publish in different journals, use different tools, and have different backgrounds in condensed-matter physics, electrical engineering, and materials science.

This book is an introduction to MRAM for microelectronics engineers written by specialists in magnetic materials and devices. It presents the basic phenomena involved in MRAM, the materials and film stacks being used, the basic principles of the various types of MRAM (toggle and spin-transfer torque magnetized in-plane or perpendicular-to-plane), the back-end magnetic technology, and recent developments toward logic-in-memory architectures. It helps bridge the cultural gap between the microelectronics and magnetics communities.

فهرست مطالب

Content: Basic Spintronic Transport Phenomena / Nicolas Locatelli, Vincent Cros --
Magnetic Properties of Materials for MRAM / Shinji Yuasa --
Micromagnetism Applied to Magnetic Nanostructures / Liliana D Buda-Prejbeanu --
Magnetization Dynamics / William E Bailey --
Magnetic Random-Access Memory / Bernard Dieny, I Lucian Prejbeanu --
Magnetic Back-End Technology / Michael C Gaidis --
Beyond MRAM: Nonvolatile Logic-in-Memory VLSI / Takahiro Hanyu, Tetsuo Endoh, Shoji Ikeda, Tadahiko Sugibayashi, Naoki Kasai, Daisuke Suzuki, Masanori Natsui, Hiroki Koike, Hideo Ohno --
Appendix: Units for Magnetic Properties.

نظرات کاربران

کتاب های تصادفی

دانلود کتاب Foundations of Network Optimization and Games

دانلود کتاب The Archaeology and History of Pueblo San Marcos: Change and Stability

دانلود کتاب The Lord Chandos Letter

دانلود کتاب Coal and Peat Fires: A Global Perspective: Volume 3: Case Studies - Coal Fires

دانلود کتاب 21st century security and CPTED : designing for critical infrastructure protection and crime prevention