Intrinsic Point Defects, Impurities, and Their Diffusion in Silicon

اساساً تمام خواص دستگاه های نیمه هادی تحت تأثیر توزیع عیوب نقطه ای در مناطق فعال آنها قرار می گیرد. این کتاب شامل اولین بررسی جامع از خواص عیوب نقطه ذاتی، ناخالصی های گیرنده و دهنده، اتم های ایزووالانت، کالکوژن ها و هالوژن ها در سیلیکون و همچنین کمپلکس های آنها می باشد. تاکید ویژه بر گردآوری ساختارها، خواص انرژی، سطوح الکتریکی شناسایی شده و امضاهای طیف‌سنجی، و رفتار انتشار از تحقیقات تجربی و نظری است. علاوه بر این، این کتاب مفاهیم اساسی سیلیکون و نقص های آن، سیستم الکترونی، انتشار، ترمودینامیک و سینتیک واکنش را مورد بحث قرار می دهد که مبنای علمی مورد نیاز برای درک کامل متن را تشکیل می دهد. از این رو، کتاب می‌تواند مقدمه‌ای برای تازه واردان در این زمینه تا مرجعی جامع برای متخصصان فناوری فرآیند، فیزیک حالت جامد و شبیه‌سازی فرآیندهای نیمه‌رسانا باشد.

Basically all properties of semiconductor devices are influenced by the distribution of point defects in their active areas. This book contains the first comprehensive review of the properties of intrinsic point defects, acceptor and donor impurities, isovalent atoms, chalcogens, and halogens in silicon, as well as of their complexes. Special emphasis is placed on compiling the structures, energetic properties, identified electrical levels and spectroscopic signatures, and the diffusion behavior from experimental and theoretical investigations. In addition, the book discusses the fundamental concepts of silicon and its defects, the electron system, diffusion, thermodynamics, and reaction kinetics which form the scientific basis needed for a thorough understanding of the text. Therefore, the book is able to provide an introduction to newcomers in this field up to a comprehensive reference for experts in process technology, solid-state physics, and simulation of semiconductor processes.