ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Intersubband Transitions in Quantum Wells

دانلود کتاب انتقال بین زیر باندی در چاه های کوانتومی

Intersubband Transitions in Quantum Wells

مشخصات کتاب

Intersubband Transitions in Quantum Wells

ویرایش: 1 
نویسندگان: , , , ,   
سری: NATO ASI Series 288 
ISBN (شابک) : 9781461364757, 9781461533467 
ناشر: Springer US 
سال نشر: 1992 
تعداد صفحات: 340 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 24 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 46,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب انتقال بین زیر باندی در چاه های کوانتومی: اپتیک، اپتوالکترونیک، پلاسمونیک و دستگاه های نوری، آکوستیک، فیزیک حالت جامد، طیف سنجی و میکروسکوپ، فیزیک ماده متراکم، کریستالوگرافی



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 12


در صورت تبدیل فایل کتاب Intersubband Transitions in Quantum Wells به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب انتقال بین زیر باندی در چاه های کوانتومی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب انتقال بین زیر باندی در چاه های کوانتومی



این کتاب شامل سخنرانی‌های ارائه شده در کارگاه تحقیقاتی پیشرفته ناتو در مورد \"انتقالات بین باندی در چاه‌های کوانتومی\" است که در Cargese، فرانسه، بین ساعت 9 و 14 سپتامبر 1991 برگزار شد. درخواست این کارگاه آموزشی بود. با رشد چشمگیر کارهای مربوط به این موضوع طی دو یا سه سال گذشته توجیه شده است. در واقع، به لطف پیشرفت‌های اخیر تکنیک‌های رشد همپایه، مانند اپیتاکسی پرتو مولکولی، اکنون می‌توان لایه‌های نیمه‌رسانا (به‌عنوان مثال GaAs) با ضخامت‌های کنترل‌شده در یک لایه اتمی، که بین لایه‌های عایق (مانند AlGaAs) قرار گرفته‌اند، ایجاد کرد. هنگامی که لایه نیمه هادی بسیار نازک است، یعنی کمتر از 15 نانومتر، انرژی حامل های مربوط به حرکت آنها عمود بر این لایه ها کوانتیزه می شود و زیر باندهایی از انرژی های مجاز را تشکیل می دهد. به دلیل جرم موثر کم در این مواد نیمه هادی، قدرت نوسان ساز مربوط به انتقال بین زیر باند بسیار زیاد است و اثرات نوری کوانتومی در محدوده 5 تا 20 ~ غول می شود: یونیزاسیون نوری، غیرخطی های نوری، ... علاوه بر این، یک شگفتی نظری بزرگ است. که - به لطف استحکام نظریه جرم مؤثر - این چاه‌های کوانتومی یک تحقق واقعی از کتاب درسی قدیمی ما ایده‌آل چاه کوانتومی تک بعدی هستند. سپس پدیده های فیزیکی پیچیده را می توان در یک سیستم مدل ساده بررسی کرد.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

This book contains the lectures delivered at the NATO Advanced Research Workshop on the "Intersubband Transistions in Quantum Wells" held in Cargese, France, between the t 9 h and the 14th of September 1991. The urge for this Workshop was justified by the impressive growth of work dealing with this subject during the last two or three years. Indeed, thanks to recent progresses of epitaxial growth techniques, such as Molecular Beam Epitaxy, it is now possible to realize semiconductor layers ( e.g. GaAs) with thicknesses controlled within one atomic layer, sandwiched between insulating layers (e.g. AlGaAs). When the semiconducting layer is very thin, i.e. less than 15 nm, the energy of the carriers corresponding to their motion perpendicular to these layers is quantized, forming subbands of allowed energies. Because of the low effective masses in these semiconducting materials, the oscillator strengths corresponding to intersubband transitions are extremely large and quantum optical effects become giant in the 5 - 20 ~ range: photoionization, optical nonlinearities, ... Moreover, a great theoretical surprise is that - thanks to the robustness of the effective mass theory - these quantum wells are a real life materialization of our old text book one-dimensional quantum well ideal. Complex physical phenomena may then be investigated on a simple model system.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages i-ix
Coupling of Radiation into Quantum Well Infrared Detectors by the Use of Reflection Gratings and Waveguide Structures....Pages 1-13
Fundamental Limits in Quantum Well Intersubband Detection....Pages 15-30
Performance Trade Offs in the Quantum Well Infra-Red Detector....Pages 31-42
Recent Progress in Quantum Well Infrared Photodetectors....Pages 43-55
Effects of the Upper State Position and the Number of Wells on the Performance of Intersubband Quantum Well Detectors....Pages 57-63
Intersubband Transition and Electron Transport in Potential-Inserted Quantum Well Structures and their Potentials for Infrared Photodetector....Pages 65-72
Photovoltaic Intersubband Photodetectors Using GaAs Quantum Wells Confined by AlAs Tunnel Barriers....Pages 73-81
Photon Drag IR-Detectors — the Doppler Effect in the Intersubband Resonance of 2-D Electron Systems....Pages 83-91
Application of Multiple-Quantum-Well Infrared Detectors to Present and Future Infrared Sensor Systems....Pages 93-103
Phonon Scattering and Relaxation Properties of Lower Dimensional Electron Gases....Pages 105-118
Spectroscopy of Quantum-Dot Atoms....Pages 119-132
Electron Transfer Infrared Modulator (ETIM)....Pages 133-140
Far-Infrared Emission and Absorption Spectroscopy of Quantum Wells and Superlattices....Pages 141-149
Room-Temperature Photo-Induced Intersubband Absorption in GaAs/AlGaAs Quantum Wells....Pages 151-161
Second-Harmonic Generation in Asymmetric AlGaAs Quantum Wells....Pages 163-172
Model System for Optical Nonlinearities: Asymmetric Quantum Wells....Pages 173-182
Third Order Intersubband Kerr Effect in GaAs/AlGaAs Quantum Wells....Pages 183-196
Optical Bistability Related to Intersubband Absorption in Asymmetric Quantum Wells....Pages 197-207
Feasibility of Optically-Pumped Four-Level Infrared Lasers....Pages 209-217
Quantum Well Engineering for Intersubband Transitions-General Conduction Band Extrema and Valence Valley....Pages 219-226
Internal Photoemission of Asymmetrical Pt/Si/ErSi 1.7 Heterostructures with Tunable Cutoff Wavelength....Pages 227-241
Intersubband Absorption in the Conduction Band of Si/Si 1-x Ge x Multiple Quantum Wells....Pages 243-251
Inelastic Light Scattering of Electronic Excitations in Quantum Wells....Pages 253-260
Photo-Induced Intersubband Transitions in Quantum Wells....Pages 261-262
Subpicosecond Luminescence Study of Capture and Intersubband Relaxation in Quantum Wells....Pages 263-273
Intersubband Infrared Absorption in a GaAs/Al 0.3 Ga 0.7 As Multiple Quantum Well....Pages 275-286
Electric Field Effects on Bound to Quasibound Intersubband Absorption and Photocurrent in GaAs/AlGaAs Quantum Wells....Pages 287-297
Intersubband Relaxation in Modulation Doped Quantum Well Structures....Pages 299-308
Theory of Optical Intersubband Transitions....Pages 309-318
Bound to Free State Infrared Absorption and Selection Rules in Quantum Wells....Pages 319-328
Back Matter....Pages 329-340
....Pages 341-345




نظرات کاربران

تمامی حقوق معنوی و مادی وبسایت متعلق به اینترنشنال لایبرری می باشد
نماد اعتماد الکترونیکی