دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: الکترونیک: VLSI ویرایش: نویسندگان: Simon Deleonibus سری: Pan Stanford Series on Intelligent Nanosystems 1 ISBN (شابک) : 9814411426, 9789814411424 ناشر: Pan Stanford Publishing سال نشر: 2014 تعداد صفحات: 518 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 65 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Intelligent Integrated Systems: Devices, Technologies, and Architectures به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب سیستم های مجتمع هوشمند: دستگاه ها ، فناوری ها و معماری ها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این کتاب یک نمای کلی پیشرفته توسط محققان بینالمللی شناخته شده از معماری دستگاههای پیشرو مورد نیاز برای اولین کتاب سیستمهای یکپارچه هوشمند آینده در سری پان استنفورد در مورد نانوسیستمهای هوشمند ارائه میدهد. هم فناوریهای CMOS مبتنی بر سیلیکون پیشرفته و هم فناوریهای CMOS سیلیکون تقویتشده، که به ترتیب در بخش اول و بخش دوم ظاهر میشوند، دارای دستگاههای More Moore، More Than Moore و Beyond هستند که برای ساختن سیستمهای یکپارچه ناهمگن مورد علاقه هستند. بخش اول، فناوریهای CMOS مبتنی بر سیلیکون پیشرفته با ماسفتهای کاملاً تخلیهشده مسطح، تریگیت و نانوسیم، معماریهای منبع و زهکشی شاتکی و مواد احتمالی کانالی را که باید با عایق سیلیکونی مانند Ge، III-V و کربن یا کانال سیلیکونی ایزوله ادغام شوند، برجسته میکند. با الماس دستگاههای جدید و معماریهای عملکردی نیز توسط ترانزیستورهای اثر میدان تونلسازی و ادغام سهبعدی یکپارچه بررسی شدهاند که احتمالاً مواد جایگزین میتوانند در آینده از آنها استفاده کنند. روشی که ما میتوانیم فناوریهای سیلیکون را تقویت کنیم، با ادغام انواع جدیدی از دستگاهها مانند حافظههای مولکولی و مقاومتی، حافظههای مبتنی بر Spintronics، حسگرهای هوشمند با استفاده از ویژگیهای مقیاس نانو که با CMOS سیلیکونی یا بالاتر از آن ادغام شدهاند، نشان داده شده است. ادغام سه بعدی و بسته بندی سطح ویفر نیز برای بسته بندی عملکردها و محصولات جدید در راه است. چالش هایی که باید به آنها پرداخته شود و راه حل های ممکن در این کتاب شرح داده شده است.
This book gives a state-of-the-art overview by internationally-recognized researchers of the breakthrough devices architectures required for Future Intelligent Integrated Systems first book in the Pan Stanford Series on Intelligent Nanosystems. Both Advanced Silicon based CMOS Technologies and New Paths to Augmented Silicon CMOS Technologies, appearing in the first section and the second section respectively, feature More Moore, More Than Moore and Beyond type of devices of interest to building Heterogeneous integrated systems. The First section highlights Advanced Silicon based CMOS Technologies with Fully Depleted Planar, Trigate and Nanowire MOSFETs, Schottky source and drains architectures and possible candidates channel materials to be co integrated with Silicon On Insulator such as Ge, III-V and Carbon or isolate silicon channel with Diamond. New Device and Functional architectures are as well reviewed by Tunneling Field Effect Transistors and 3D Monolithic Integration which the alternative materials could possibly use in the future. The way we could Augment Silicon Technologies is illustrated by the co-integration of new types of devices such as Molecular and Resistive, Spintronics based Memories, Smart Sensors using Nano scale features co-integrated with silicon CMOS or above it. 3D integration and Wafer Level Packaging are coming up as well to pack up new functions and products. The challenges to be addressed and possible solutions are described in this book.
Advanced Silicon-Based CMOS Technologies. From Planar to Trigate and Nanowires Fully Depleted Transistors. Schottky Source/Drain MOSFETs. Advances in Silicon-On-Diamond Technology. GeOI, SiGeOI and New Devices Architectures. 3D Monolithic Integration. III-V Quantum-Well FETs. Carbon Integrated Electronics. New Paths to Augmented Silicon CMOS Technologies. Tunneling Field-Effect Transistors - Challenges and Perspectives. Molecular Memories. Resistive Memories. High frequency vibrating nanowire. Spintronics. Smart Multiphysics Sensors. 3D Integration and Wafer Level Packaging.