مشخصات کتاب

Fundamentals of Modern VLSI Devices

دسته بندی: الکترونیک: VLSI
ویرایش: 2 
نویسندگان: Yuan Taur. Tak H. Ning  
سری:  
ISBN (شابک) : 0521832942, 9780521832946 
ناشر: Cambridge University Press 
سال نشر: 2009 
تعداد صفحات: 340 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 32 مگابایت 

در صورت تبدیل فایل کتاب Fundamentals of Modern VLSI Devices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب مبانی دستگاه های مدرن VLSI نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب مبانی دستگاه های مدرن VLSI

با این نسخه دوم کاملاً به‌روز شده، ویژگی‌ها و طراحی‌های دستگاه‌های مدرن VLSI و همچنین عوامل مؤثر بر عملکرد را بیاموزید. نسخه اول به طور گسترده ای به عنوان یک کتاب درسی استاندارد در میکروالکترونیک در بسیاری از دانشگاه های بزرگ ایالات متحده و در سراسر جهان پذیرفته شده است. نویسندگان مشهور بین‌المللی، وابستگی‌های متقابل پیچیده و مبادلات ظریف بین پارامترهای مختلف عملا مهم دستگاه را برجسته می‌کنند و همچنین بحثی عمیق در مورد مقیاس‌بندی دستگاه و محدودیت‌های مقیاس‌بندی دستگاه‌های CMOS و دوقطبی ارائه می‌کنند. معادلات و پارامترهای ارائه شده به طور مداوم در برابر واقعیت داده های سیلیکونی بررسی می شوند و این کتاب را در طراحی عملی ترانزیستور و در کلاس درس به همان اندازه مفید می کند. هر فصل به‌روزرسانی شده است تا آخرین پیشرفت‌ها را شامل شود، مانند نظریه طول مقیاس ماسفت، مدل حمل و نقل با میدان بالا، و دستگاه‌های دوقطبی مبتنی بر SiGe.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Learn the basic properties and designs of modern VLSI devices, as well as the factors affecting performance, with this thoroughly updated second edition. The first edition has been widely adopted as a standard textbook in microelectronics in many major US universities and worldwide. The internationally-renowned authors highlight the intricate interdependencies and subtle tradeoffs between various practically important device parameters, and also provide an in-depth discussion of device scaling and scaling limits of CMOS and bipolar devices. Equations and parameters provided are checked continuously against the reality of silicon data, making the book equally useful in practical transistor design and in the classroom. Every chapter has been updated to include the latest developments, such as MOSFET scale length theory, high-field transport model, and SiGe-base bipolar devices.

فهرست مطالب

1. Introduction
2. Basic Device Physics
3. MOSFETS Devices
4. CMOS Device Design
5. CMOS Performance Factors
6. Bipolar Devices
7. Bipolar Device Design
8. Bipolar Performance Factors
9. Memory Devices
10. Silicon on Insulator Devices

Appendices (1 to 18)
References
Indexes

نظرات کاربران

کتاب های مرتبط

دانلود کتاب Operation and Modeling of the MOS Transistor

دانلود کتاب Intelligent Integrated Systems: Devices, Technologies, and Architectures

دانلود کتاب Analog VLSI Design Automation

دانلود کتاب VLSI Placement and Routing: The PI Project

دانلود کتاب CMOS IC Layout: Concepts, Methodologies, and Tools