Insulating Films on Semiconductors: Proceedings of the Second International Conference, INFOS 81, Erlangen, Fed. Rep. of Germany, April 27–29, 1981

کنفرانس INFOS 81 در مورد فیلم های عایق بر روی نیمه هادی ها در دانشگاه ارلانگن-نورنبرگ در ارلانگن از 27 تا 29 آوریل 1981 برگزار شد. این کنفرانس دنباله ای بر اولین کنفرانس INFOS 79 بود که در دورهام برگزار شد. INFOS 81 170 شرکت کننده از دانشگاه ها، موسسات تحقیقاتی و صنعت را جذب کرد. شرکت کنندگان از 15 کشور ثبت نام کردند. مجموعه کنفرانس های موضوعی دوسالانه توسط INFOS 83 ادامه خواهد یافت تا در آیندهوون، هلند، در آوریل 1983 برگزار شود. مجموعه مقالات کنفرانس شامل کلیه مقالات دعوت شده (Y) و contrlDUtea (42) ارائه شده در جلسه است. موضوعات از درک فیزیکی اولیه از خواص فیلم های عایق و رابط آنها تا نیمه هادی ها تا بحث پایداری و استحکام دی الکتریک و همچنین تکنیک های رشد و رسوب گذاری که برای کاربردهای فنی مرتبط هستند، متغیر است. تاکید زیادی بر سیلیکون نیمه هادی و اکسید بومی آن داده شد. با این حال، جلسات مربوط به نیمه هادی های مرکب و سایر فیلم های عایق نیز توجه زیادی را برانگیخت. این اقدامات وضعیت کنونی درک ما از سیستم فیلم های عایق روی نیمه هادی ها را بررسی می کند. به عنوان یک جنبه جدید از موضوع، خواص نیمه هادی های رسوب شده و پردازش لیزری بر روی فیلم های عایق برای اولین بار گنجانده شد.

The INFOS 81 Conference on Insulating Films on Semiconductors was held at the University of Erlangen-NUrnberg in Erlangen from 27 to 29 April 1981. This conference was a sequel to the first conference INFOS 79 held in Durham. INFOS 81 attracted 170 participants from universities, research institutes and industry. Attendants were registered from 15 nations. The biannual topical conference series will be continued by INFOS 83 to be held in Eindhoven, The Netherlands, in April 1983. The conference proceedings include all the invited (Y) and contrlDUtea (42) papers presented at the meeting. The topics range from the basic physical understanding of the properties of insulating films and their interface to semiconductors to the discussion of stability and dielectric strength as well as growing and deposition techniques which are relevant for technical applications. Strong emphasis was given to the semiconductor silicon and its native oxide; however, sessions on compound semiconductors and other insulating films also raised strong interest. The proceedings survey the present state of our understanding of the system of insulating films on semiconductors. As a new aspect of the topic, the properties of semiconductors deposited and laser processed on insulating films was in­ cluded for the first time.