ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design (Ieee Press Series on Microelectronic Systems)

دانلود کتاب تئوری و طراحی IGBT ترانزیستور دو قطبی عایق دروازه (سری Ieee Press در سیستم های میکروالکترونیک)

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design (Ieee Press Series on Microelectronic Systems)

مشخصات کتاب

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design (Ieee Press Series on Microelectronic Systems)

ویرایش: 1 
نویسندگان:   
سری:  
ISBN (شابک) : 0471238457, 9780471238454 
ناشر: Wiley-IEEE Press 
سال نشر: 2003 
تعداد صفحات: 642 
زبان: English  
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 34 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 80,000

در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 18


در صورت تبدیل فایل کتاب Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design (Ieee Press Series on Microelectronic Systems) به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب تئوری و طراحی IGBT ترانزیستور دو قطبی عایق دروازه (سری Ieee Press در سیستم های میکروالکترونیک) نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب تئوری و طراحی IGBT ترانزیستور دو قطبی عایق دروازه (سری Ieee Press در سیستم های میکروالکترونیک)

پوشش جامع و "به روز" طراحی و ساخت IGBT. منبع همه در یک مبانی MOS و فیزیک دوقطبی را توضیح می دهد. عملیات IGBT، طراحی دستگاه و فرآیند، ماژول های قدرت، و ساختارهای جدید IGBT


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

A comprehensive and "state-of-the-art" coverage of the design and fabrication of IGBT.All-in-one resourceExplains the fundamentals of MOS and bipolar physics.Covers IGBT operation, device and process design, power modules, and new IGBT structures.





نظرات کاربران