دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1
نویسندگان: Vinod Kumar Khanna
سری:
ISBN (شابک) : 0471238457, 9780471238454
ناشر: Wiley-IEEE Press
سال نشر: 2003
تعداد صفحات: 642
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 34 مگابایت
در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد
در صورت تبدیل فایل کتاب Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design (Ieee Press Series on Microelectronic Systems) به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب تئوری و طراحی IGBT ترانزیستور دو قطبی عایق دروازه (سری Ieee Press در سیستم های میکروالکترونیک) نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
پوشش جامع و "به روز" طراحی و ساخت IGBT. منبع همه در یک مبانی MOS و فیزیک دوقطبی را توضیح می دهد. عملیات IGBT، طراحی دستگاه و فرآیند، ماژول های قدرت، و ساختارهای جدید IGBT
A comprehensive and "state-of-the-art" coverage of the design and fabrication of IGBT.All-in-one resourceExplains the fundamentals of MOS and bipolar physics.Covers IGBT operation, device and process design, power modules, and new IGBT structures.