دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Impurity Doping Processes in Silicon
دانلود کتاب فرآیندهای دوپینگ ناخالصی در سیلیکون
مشخصات کتاب
Impurity Doping Processes in Silicon
ویرایش:
نویسندگان: F.F.Y. WANG (Eds.)
سری: Materials Processing: Theory and Practices 2
ISBN (شابک) : 9780444860958
ناشر: Elsevier Science Ltd
سال نشر: 1981
تعداد صفحات: 645
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 59 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 79,000
در صورت تبدیل فایل کتاب Impurity Doping Processes in Silicon به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب فرآیندهای دوپینگ ناخالصی در سیلیکون نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب فرآیندهای دوپینگ ناخالصی در سیلیکون
این کتاب چندین فرآیند مهم دوپینگ ناخالصی در سیلیکون را به افراد غیر متخصص معرفی می کند و در ادامه به روش های تعیین غلظت مواد ناخالص در سیلیکون می پردازد. روش مرسوم مورد استفاده فرآیند بحث است، اما از آنجایی که در بسیاری از متون به اندازه کافی پوشش داده شده است، این کار روش انتشار دوگانه را توصیف می کند.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
This book introduces to non-experts several important processes of impurity doping in silicon and goes on to discuss the methods of determination of the concentration of dopants in silicon. The conventional method used is the discussion process, but, since it has been sufficiently covered in many texts, this work describes the double-diffusion method
فهرست مطالب
Content:
Front Matter
Page iii
Copyright page
Page iv
Introduction to the Series
Page v
Franklin F.Y. WANG
Preface to Volume 2
Page vi
Franklin F.Y. WANG
Advisory Board
Page vii
CHAPTER 1 - Double-Diffusion Processes in Silicon
Pages 1-53
A.F.W. WILLOUGHBY
CHAPTER 2 - Ion Implantation Processes in Silicon
Pages 55-146
J.L. STONE, J.C. PLUNKETT
CHAPTER 3 - Source Feed Materials in Ion Beam Technology
Pages 147-174
A. AXMANN
CHAPTER 4 - Growth of Doped Silicon Layers by Molecular Beam Epitaxy
Pages 175-215
J.C. BEAN
CHAPTER 5 - Neutron Transmutation Doping of Silicon
Pages 217-257
BOBBIE D. STONE
CHAPTER 6 - Cvd Doping of Silicon
Pages 259-314
MCDONALD ROBINSON
CHAPTER 7 - Concentration Profiles of Diffused Dopants in Silicon
Pages 315-442
RICHARD B. FAIR
CHAPTER 8 - Impurity Profile of Implanted Ions in Silicon
Pages 443-638
H. MAES, W. VANDERVORST, R. VAN OVERSTRAETEN
Subject Index
Pages 639-643
نظرات کاربران
کتاب های تصادفی
دانلود کتاب Geochronology, Dating, and Precambrian Time: The Beginning of the World As We Know It (The Geologic History of Earth)
دانلود کتاب Álgebra Linear - aulas teóricas
دانلود کتاب Building Wealth Through REITS
