Impurities Confined in Quantum Structures

وارد شدن ناخالصی ها، حتی در غلظت های بسیار کم، در یک نیمه هادی می تواند خواص نوری و الکتریکی آن را به طور کامل تغییر دهد. این ویژگی نیمه هادی ها در چند برابری کاربردهای آنها استفاده می شود. در این کتاب، پیشرفت در روشن کردن خواص فیزیکی ناخالصی‌های محصور در ساختارهای کوانتومی با تأکید بر جنبه‌های تجربی بررسی می‌شود. نتایج عمده انواع مختلف خصوصیات، مانند طیف‌سنجی مادون قرمز، اندازه‌گیری‌های رامان، مشخصه‌های لومینسانس، طیف‌سنجی اغتشاش و مطالعات دینامیکی ناخالصی‌های محدود بررسی می‌شوند، اما همچنین مبنای نظری برای محاسبه ساختار الکترونیکی اهداکنندگان و پذیرندگان محدود ارائه شده است. . این مونوگراف همچنین جنبه‌های خاص ناخالصی‌های محدود مانند خواص در رژیم دوپینگ بالا و اثرات غیرفعال شدن هیدروژن را توصیف می‌کند.

The introduction of impurities, even in very small concentrations, in a semiconductor can change its optical and electrical properties entirely. This attribute of the semiconductor is utilized in the manifoldness of their applications. In this book, the progress on elucidating the physical properties of impurities confined in quantum structures are reviewed with an emphasis on the experimental aspects. The major results of various kinds of characterization, such as infrared spectroscopy, Raman measurements, luminescence characterization, perturbation spectroscopy and dynamical studies of the confined impurities are reviewed, but also the theoretical basis to calculate the electronic structure of the confined donors and acceptors are presented. This monograph also describes more specific aspects of the confined impurities such as the properties in the high doping regime and the effects of hydrogen passivation.