III-Nitride Based Light Emitting Diodes and Applications

ویرایش: 2 
نویسندگان: Tae-Yeon Seong,  Jung Han,  Hiroshi Amano,  Hadis Morkoç (eds.)  
سری: Topics in Applied Physics 133 
ISBN (شابک) : 9789811037559, 9789811037542 
ناشر: Springer Singapore 
سال نشر: 2017 
تعداد صفحات: 497 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 21 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 46,000



نسخه اصلاح شده این کتاب مهم پوشش به روز شده و گسترده ای از دیودهای ساطع نور (LED) بر اساس GaN هترواپیتاکسیال روی بسترهای Si ارائه می کند و شامل فصل های جدیدی در LED های اتصال تونل، LED های سبز/زرد و LED های فرابنفش است. .

در طول دو دهه گذشته، پیشرفت قابل توجهی در رشد، دوپینگ و فناوری های پردازش نیمه هادی های مبتنی بر نیترید III حاصل شده است که منجر به انتظارات قابل توجهی برای نیمه هادی های نیترید در طیف گسترده ای از کاربردها شده است. LED ها در حال حاضر در علائم راهنمایی و رانندگی، روشنایی علائم و کاربردهای خودرو استفاده می شوند، با هدف نهایی جایگزینی جهانی لامپ های رشته ای و فلورسنت سنتی، در نتیجه کاهش مصرف انرژی و کاهش انتشار دی اکسید کربن.

با این حال، برخی از مسائل مهم باید مورد توجه قرار گیرد تا امکان بهبودهای بیشتر مورد نیاز برای تحقق مقیاس بزرگ روشنایی حالت جامد فراهم شود، و این کتاب قصد دارد جزئیات برخی از مسائل معاصر را که عملکرد LED ها به طور جدی به آنها وابسته است، در اختیار خوانندگان قرار دهد. مهم‌تر از همه، توضیح می‌دهد که چرا باید پیشرفتی در رشد لایه‌های اپیتاکسیال نیمه‌رسانای نیترید با کیفیت بالا با چگالی کم دررفتگی‌ها، به‌ویژه، در رشد نیمه‌هادی‌های مبتنی بر GaN غنی و غنی وجود داشته باشد. کیفیت مواد به طور مستقیم به بسترهای مورد استفاده مانند یاقوت کبود و Si بستگی دارد و کتاب در مورد این موارد و همچنین موضوعاتی مانند افت بازده، رشد در جهت‌گیری‌های مختلف، قطبش و فناوری‌های پردازش و بسته‌بندی تراشه بحث می‌کند.

این کتاب با ارائه نمای کلی از وضعیت هنر در علم و فناوری III-Nitride LED، مرجع اصلی برای محققان و مهندسین درگیر با پیشرفت‌های روشنایی حالت جامد و مطالعه مورد نیاز برای دانشجویانی که وارد این رشته می‌شوند، خواهد بود.

The revised edition of this important book presents updated and expanded coverage of light emitting diodes (LEDs) based on heteroepitaxial GaN on Si substrates, and includes new chapters on tunnel junction LEDs, green/yellow LEDs, and ultraviolet LEDs.

Over the last two decades, significant progress has been made in the growth, doping and processing technologies of III-nitride based semiconductors, leading to considerable expectations for nitride semiconductors across a wide range of applications. LEDs are already used in traffic signals, signage lighting, and automotive applications, with the ultimate goal of the global replacement of traditional incandescent and fluorescent lamps, thus reducing energy consumption and cutting down on carbon-dioxide emission.

However, some critical issues must be addressed to allow the further improvements required for the large-scale realization of solid-state lighting, and this book aims to provide the readers with details of some contemporary issues on which the performance of LEDs is seriously dependent. Most importantly, it describes why there must be a breakthrough in the growth of high-quality nitride semiconductor epitaxial layers with a low density of dislocations, in particular, in the growth of Al-rich and In-rich GaN-based semiconductors. The quality of materials is directly dependent on the substrates used, such as sapphire and Si, and the book discusses these as well as topics such as efficiency droop, growth in different orientations, polarization, and chip processing and packaging technologies.

Offering an overview of the state of the art in III-Nitride LED science and technology, the book will be a core reference for researchers and engineers involved with the developments of solid state lighting, and required reading for students entering the field.

Front Matter....Pages i-ix
Progress and Prospect of Growth of Wide-Band-Gap Group III Nitrides....Pages 1-9
Ultra-Efficient Solid-State Lighting: Likely Characteristics, Economic Benefits, Technological Approaches....Pages 11-28
LEDs Based on Heteroepitaxial GaN on Si Substrates....Pages 29-67
Epitaxial Growth of GaN on Patterned Sapphire Substrates....Pages 69-92
Growth and Optical Properties of GaN-Based Non- and Semipolar LEDs....Pages 93-128
Internal Quantum Efficiency in Light-Emitting Diodes....Pages 129-161
Internal Quantum Efficiency....Pages 163-207
III-Nitride Tunnel Junctions and Their Applications....Pages 209-238
Green, Yellow, and Red LEDs....Pages 239-266
AlGaN-Based Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes....Pages 267-299
Ray Tracing for Light Extraction Efficiency (LEE) Modeling in Nitride LEDs....Pages 301-340
Light Extraction of High-Efficient Light-Emitting Diodes....Pages 341-361
Electrical Properties, Reliability Issues, and ESD Robustness of InGaN-Based LEDs....Pages 363-395
Phosphors and White LED Packaging....Pages 397-432
High-Voltage LEDs....Pages 433-455
Color Quality of White LEDs....Pages 457-480
Emerging System Level Applications for LED Technology....Pages 481-492
Back Matter....Pages 493-495