Hot Carrier Design Considerations for MOS Devices and Circuits

با کاهش ابعاد دستگاه، اثرات حامل داغ، که عمدتاً به دلیل وجود میدان الکتریکی بالا در داخل دستگاه است، به یکی از دغدغه‌های اصلی طراحی تبدیل می‌شود. از یک طرف، اثرات مضر - مانند تخریب ترانس رسانایی و تغییر آستانه - باید به حداقل برسد یا در صورت امکان به طور کامل اجتناب شود. از سوی دیگر، عملکردی مانند راندمان برنامه‌ریزی حافظه‌های غیرفرار یا سرعت حامل در داخل دستگاه‌ها نیاز به حفظ یا بهبود از طریق استفاده از فناوری‌های زیر میکرون، حتی در حضور منبع تغذیه کاهش یافته دارند. در نتیجه، یکی از چالش‌های عمده‌ای که امروزه مهندسان طراحی MOS با آن مواجه هستند، مهار اثرات حامل داغ است، به طوری که، بدون به خطر انداختن عملکرد محصول، می‌توان تخریب را به حداقل رساند و یک طراحی قابل اعتماد به دست آورد. برای انجام این کار، مکانیسم های فیزیکی مسئول تخریب ابتدا باید به طور تجربی شناسایی و مشخص شوند. با مدل‌های کافی به‌دست‌آمده، می‌توان گام‌هایی برای بهینه‌سازی طراحی برداشت تا به سطح مناسبی از تضمین کیفیت در عملکرد دستگاه یا مدار دست یابد. این آگهی کتاب به این مسائل طراحی حامل داغ برای دستگاه‌ها و مدارهای MOS می‌پردازد و عمدتاً به‌عنوان راهنمای حرفه‌ای برای مهندسان توسعه فرآیند، مهندسان دستگاه‌ها و طراحان مدار که به آخرین پیشرفت‌ها در مدل‌سازی تخریب حامل داغ علاقه‌مند هستند، استفاده می‌شود. تکنیک‌های طراحی قابلیت اطمینان حامل داغ همچنین ممکن است به عنوان یک کتاب مرجع برای دانشجویان فارغ التحصیل در نظر گرفته شود که علایق تحقیقاتی در این زمینه هیجان انگیز و در عین حال گاهی بحث برانگیز دارند.

As device dimensions decrease, hot-carrier effects, which are due mainly to the presence of a high electric field inside the device, are becoming a major design concern. On the one hand, the detrimental effects-such as transconductance degradation and threshold shift-need to be minimized or, if possible, avoided altogether. On the other hand, performance­ such as the programming efficiency of nonvolatile memories or the carrier velocity inside the devices-need to be maintained or improved through the use of submicron technologies, even in the presence of a reduced power supply. As a result, one of the major challenges facing MOS design engineers today is to harness the hot-carrier effects so that, without sacrificing product performance, degradation can be kept to a minimum and a reli­ able design obtained. To accomplish this, the physical mechanisms re­ sponsible for the degradations should first be experimentally identified and characterized. With adequate models thus obtained, steps can be taken to optimize the design, so that an adequate level of quality assur­ ance in device or circuit performance can be achieved. This book ad­ dresses these hot-carrier design issues for MOS devices and circuits, and is used primarily as a professional guide for process development engi­ neers, device engineers, and circuit designers who are interested in the latest developments in hot-carrier degradation modeling and hot-carrier reliability design techniques. It may also be considered as a reference book for graduate students who have some research interests in this excit­ ing, yet sometime controversial, field.