مشخصات کتاب

High-Power Ion beam Sources for Semiconductor's Technologies

دسته بندی: مهندسی مکانیک
ویرایش:  
نویسندگان: Opekounov M.S.,  Grushin I.I.  
سری:  
 
ناشر:  
سال نشر:  
تعداد صفحات: 5 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 484 کیلوبایت 

کلمات کلیدی مربوط به کتاب منابع پرتو یونی پرقدرت برای فناوری های نیمه هادی: مهندسی مکانیک و پردازش مواد، روش های پردازش با انرژی بالا

در صورت تبدیل فایل کتاب High-Power Ion beam Sources for Semiconductor's Technologies به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب منابع پرتو یونی پرقدرت برای فناوری های نیمه هادی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب منابع پرتو یونی پرقدرت برای فناوری های نیمه هادی

موسسه مهندسین برق و الکترونیک (IEEE). فیزیک کوروس 2001 0-7803-7008-2/01 p.366-370
در این گزارش دو منبع پرتوهای یونی پرقدرت با مدت زمان نانوثانیه شرح داده شده است، یک واحد MUK و یک واحد TEMP. آنها پرتوهای یونی با انرژی یونی تا 500 کو تولید می کنند. مدت زمان مکش به ترتیب 20-200 و 50 ثانیه است. دو حالت عملیاتی وجود دارد که به ترتیب MUK و TEMP برای آنها تعیین شده است. اولین مورد، کاشت یون سنگین است، پارامترهای پرتو به شرح زیر است: ترکیب پرتو را می توان از طیف وسیعی از H+، Cn+، Aln+، Mgn+، Fen+، Wn+ و غیره تغییر داد. چگالی جریان از 1 تا 20 A/cm2 در هر پالس. شار انرژی کل تا 20 ژول. و دومی که عمدتاً برای اعمال تأثیر انرژی استفاده می شود پارامترهای زیر را دارد: ترکیب پرتو یون های H+ و Cn+ مخلوط است. چگالی جریان 40-200 A/cm2 در هر پالس. شار انرژی کل 0,3-0,5 کیلوژول. منابع را می توان با سیستم های دیودی مختلف تهیه کرد. آنها را می توان در تحقیقات مواد و فناوری نیمه هادی ها به کار برد.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE). KORUS Physics. 2001 0-7803-7008-2/01 p.366-370
In this report two sources of high-power ion beams of nanosecond duration are described, a MUK and a TEMP units. They generate ion beams with ion energies of up to 500 keV; puse duration is 20-200 and 50 ns respectively. There are two operations modes to which MUK and TEMP are designated respectively. The first one is heavy ion implantation, beam parametrs are as follows: beam composition can be varied from a range of H+, Cn+, Aln+, Mgn+, Fen+, Wn+, etc.; current density from1 to 20 A/cm2 per pulse; total energy flux up to 20 J. And the second one which is used mainly for energetic influence application has the following parametrs: beam composition is mixed H+ and Cn+ ions; current density 40-200 A/cm2 per pulse; total energy flux 0,3-0,5 kJ. The sources can be provided with various diode systems. They can be applied in material research and semiconductor's technology.

نظرات کاربران

کتاب های مرتبط

دانلود کتاب Міцність зварних з’єднань

دانلود کتاب Верстати для магнітно-абразивної обробки на базі магнітної системи типу кільцева ванна: кінематика обробки дрібномодульних зубчастих коліс

دانلود کتاب Діагностика електронних систем автомобіля

دانلود کتاب Ternary Alloy Systems Phase Diagrams, Crystallographic and Thermodynamic Data critically evaluated by MSIT - Subvolume C: Non-Ferrous Metal Systems - Part 4: Selected Nuclear Materials and Engineering Systems

دانلود کتاب Micromachining Techniques for Fabrication of Micro and Nano Structures

دانلود کتاب TSPSC & APPSC-Civil Engineering: Volume 2

دانلود کتاب Engineering Machanics (Statics and Dynamics)

دانلود کتاب Advancing Small Parts Manufacturing Tooling for swiss-type cnc machines ver.10.11

دانلود کتاب Study of the surface modification resulting from an internal magnetic abrasive finishing process

دانلود کتاب Konstruktionsleitfaden Fertigungstechnik: Anwendungsbeispiele aus der Praxis