ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب High Permittivity Gate Dielectric Materials

دانلود کتاب مواد دی الکتریک دروازه با نفوذ بالا

High Permittivity Gate Dielectric Materials

مشخصات کتاب

High Permittivity Gate Dielectric Materials

ویرایش: [1 ed.] 
نویسندگان: ,   
سری: Springer Series in Advanced Microelectronics 43 
ISBN (شابک) : 9783642365348, 9783642365355 
ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg 
سال نشر: 2013 
تعداد صفحات: 489
[515] 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 15 Mb 

قیمت کتاب (تومان) : 79,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 8


در صورت تبدیل فایل کتاب High Permittivity Gate Dielectric Materials به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب مواد دی الکتریک دروازه با نفوذ بالا نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب مواد دی الکتریک دروازه با نفوذ بالا



\"The book comprehensively covers all the current and the emerging areas of the physics and the technology of high permittivity gate dielectric materials, including, topics such as MOSFET basics and characteristics, hafnium-based gate dielectric materials, Hf-based gate dielectric processing, metal gate electrodes, flat-band and threshold voltage tuning, channel mobility, high-k gate stack degradation and reliability, مواد پشته دروازه High-K مبتنی بر Lanthanide ، فیلم های پشته دروازه High-K مبتنی بر Lanthanide ، اکسیدهای High-K کریستالی ، بسترهای با تحرک بالا و استخراج پارامترها با اصول لازم برای درک موضوع آغاز می شود ، و به دنبال یک بررسی جامع از ادبیات ، و در نهایت فارغ التحصیل شدن در مورد آینده ما چشم انداز. \"

.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

"The book comprehensively covers all the current and the emerging areas of the physics and the technology of high permittivity gate dielectric materials, including, topics such as MOSFET basics and characteristics, hafnium-based gate dielectric materials, Hf-based gate dielectric processing, metal gate electrodes, flat-band and threshold voltage tuning, channel mobility, high-k gate stack degradation and reliability, lanthanide-based high-k gate stack materials, ternary hafnia and lanthania based high-k gate stack films, crystalline high-k oxides, high mobility substrates, and parameter extraction. Each chapter begins with the basics necessary for understanding the topic, followed by a comprehensive review of the literature, and ultimately graduating to the current status of the technology and our scientific understanding and the future prospects."

.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages i-xxxii
Introduction to High-k Gate Stacks....Pages 1-45
MOSFET: Basics, Characteristics, and Characterization....Pages 47-152
Hafnium-Based Gate Dielectric Materials....Pages 153-181
Hf-Based High-k Gate Dielectric Processing....Pages 183-234
Metal Gate Electrodes....Pages 235-262
V FB / V TH Anomaly in High-k Gate Stacks....Pages 263-282
Channel Mobility....Pages 283-308
Reliability Implications of Fast and Slow Degradation Processes in High-k Gate Stacks....Pages 309-341
Lanthanide-Based High-k Gate Dielectric Materials....Pages 343-369
Ternary HfO 2 and La 2 O 3 Based High- k Gate Dielectric Films for Advanced CMOS Applications....Pages 371-394
Crystalline Oxides on Silicon....Pages 395-423
High Mobility Channels....Pages 425-457
Back Matter....Pages 459-489




نظرات کاربران