دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: [1 ed.] نویسندگان: Samares Kar (auth.), Samares Kar (eds.) سری: Springer Series in Advanced Microelectronics 43 ISBN (شابک) : 9783642365348, 9783642365355 ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg سال نشر: 2013 تعداد صفحات: 489 [515] زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 15 Mb
در صورت تبدیل فایل کتاب High Permittivity Gate Dielectric Materials به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب مواد دی الکتریک دروازه با نفوذ بالا نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
\"The book comprehensively covers all the current and the emerging areas of the physics and the technology of high permittivity gate dielectric materials, including, topics such as MOSFET basics and characteristics, hafnium-based gate dielectric materials, Hf-based gate dielectric processing, metal gate electrodes, flat-band and threshold voltage tuning, channel mobility, high-k gate stack degradation and reliability, مواد پشته دروازه High-K مبتنی بر Lanthanide ، فیلم های پشته دروازه High-K مبتنی بر Lanthanide ، اکسیدهای High-K کریستالی ، بسترهای با تحرک بالا و استخراج پارامترها با اصول لازم برای درک موضوع آغاز می شود ، و به دنبال یک بررسی جامع از ادبیات ، و در نهایت فارغ التحصیل شدن در مورد آینده ما چشم انداز. \"
.
"The book comprehensively covers all the current and the emerging areas of the physics and the technology of high permittivity gate dielectric materials, including, topics such as MOSFET basics and characteristics, hafnium-based gate dielectric materials, Hf-based gate dielectric processing, metal gate electrodes, flat-band and threshold voltage tuning, channel mobility, high-k gate stack degradation and reliability, lanthanide-based high-k gate stack materials, ternary hafnia and lanthania based high-k gate stack films, crystalline high-k oxides, high mobility substrates, and parameter extraction. Each chapter begins with the basics necessary for understanding the topic, followed by a comprehensive review of the literature, and ultimately graduating to the current status of the technology and our scientific understanding and the future prospects."
.
Front Matter....Pages i-xxxii
Introduction to High-k Gate Stacks....Pages 1-45
MOSFET: Basics, Characteristics, and Characterization....Pages 47-152
Hafnium-Based Gate Dielectric Materials....Pages 153-181
Hf-Based High-k Gate Dielectric Processing....Pages 183-234
Metal Gate Electrodes....Pages 235-262
V FB / V TH Anomaly in High-k Gate Stacks....Pages 263-282
Channel Mobility....Pages 283-308
Reliability Implications of Fast and Slow Degradation Processes in High-k Gate Stacks....Pages 309-341
Lanthanide-Based High-k Gate Dielectric Materials....Pages 343-369
Ternary HfO 2 and La 2 O 3 Based High- k Gate Dielectric Films for Advanced CMOS Applications....Pages 371-394
Crystalline Oxides on Silicon....Pages 395-423
High Mobility Channels....Pages 425-457
Back Matter....Pages 459-489