ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب High performance CMOS range imaging : device technology and systems considerations

دانلود کتاب تصویربرداری محدوده CMOS با کارایی بالا: فناوری دستگاه و ملاحظات سیستم

High performance CMOS range imaging : device technology and systems considerations

مشخصات کتاب

High performance CMOS range imaging : device technology and systems considerations

ویرایش:  
نویسندگان:   
سری: Devices circuits and systems 
ISBN (شابک) : 1138029122, 131564388X 
ناشر: CRC Press 
سال نشر: 2016 
تعداد صفحات: 261 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 84 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 43,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 18


در صورت تبدیل فایل کتاب High performance CMOS range imaging : device technology and systems considerations به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب تصویربرداری محدوده CMOS با کارایی بالا: فناوری دستگاه و ملاحظات سیستم نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب تصویربرداری محدوده CMOS با کارایی بالا: فناوری دستگاه و ملاحظات سیستم



این کار به تصویربرداری مبتنی بر CMOS با تأکید بر مدل‌سازی نویز، مشخصه‌سازی و بهینه‌سازی به منظور کمک به طراحی تصویرگرهای با کارایی بالا به طور کلی و تصویرگرهای محدوده به طور خاص اختصاص داده شده است. CMOS به دلیل انعطاف پذیری آن از نظر قابلیت های یکپارچه سازی، برتر از CCD شناخته شده است، اما معمولاً برای رقابت در پارامترهایی مانند نویز، محدوده دینامیکی یا پاسخ طیفی باید تقویت شود. نویز زمانی موضوع مهمی است، زیرا یکی از مهم ترین پارامترهایی است که در نهایت عملکرد را محدود می کند و قابل اصلاح نیست. این کار تئوری گسترده در مورد نویز را جمع‌آوری می‌کند و نظریه را با یک الگوریتم کارآمد غیر دقیق اما محاسباتی بالقوه برای تخمین نویز در سیستم‌های نمونه‌برداری شده گسترش می‌دهد.
این کار به دو نسل از سنسورهای تصویر محدوده ToF مبتنی بر LDPD کمک کرد و رویکرد جدیدی را برای اجرای اصل MSI PM ToF پیشنهاد کرد. این تأیید شد که انتقال شارژ سریعتر، خطی بودن بهتر، جریان تاریک و عملکرد تطبیق را به ارمغان می آورد. یک مدل غیر خطی و متغیر زمانی ارائه شده است که پدیده‌های نامطلوب مانند سرعت انتقال بار محدود و حساسیت انگلی به نور زمانی که شاترها باید خاموش بمانند را در نظر می‌گیرد تا امکان بررسی ویژگی‌های سیگنال بزرگ، حساسیت و دقت را فراهم کند. نشان داده شد که مدل به یک مدل آشکارساز نوری استاندارد همگرا می شود و به درستی شبیه اندازه گیری ها است. در نهایت تاثیر این پدیده های نامطلوب بر عملکرد اندازه گیری محدوده نشان داده شده است.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

This work is dedicated to CMOS based imaging with the emphasis on the noise modeling, characterization and optimization in order to contribute to the design of high performance imagers in general and range imagers in particular. CMOS is known to be superior to CCD due to its flexibility in terms of integration capabilities, but typically has to be enhanced to compete at parameters as for instance noise, dynamic range or spectral response. Temporal noise is an important topic, since it is one of the most crucial parameters that ultimately limits the performance and cannot be corrected. This work gathers the widespread theory on noise and extends the theory by a non-rigorous but potentially computing efficient algorithm to estimate noise in time sampled systems. 
This work contributed to two generations of LDPD based ToF range image sensors and proposed a new approach to implement the MSI PM ToF principle. This was verified to yield a significantly faster charge transfer, better linearity, dark current and matching performance. A non-linear and time-variant model is provided that takes into account undesired phenomena such as finite charge transfer speed and a parasitic sensitivity to light when the shutters should remain OFF, to allow for investigations of largesignal characteristics, sensitivity and precision. It was demonstrated that the model converges to a standard photodetector model and properly resembles the measurements. Finally the impact of these undesired phenomena on the range measurement performance is demonstrated.



فهرست مطالب

Content: 1 Introduction    2 State of the art range imaging    2.1 Triangulation     2.2 Interferometry    2.3 Time-of-flight    2.3.1 Direct time-of-flight    2.3.2 Continuous wave method    2.3.3 Pulsed wave method    2.4 Comparison of optical range imaging methods    3 Temporal noise    3.1 Introduction to noise analysis    3.1.1 Basic probabilistic concepts for the analysis of uncertainties     3.1.2 Stochastic processes    3.1.3 Propagation of noise in linear time-invariant circuits    3.2 Noise analysis in non-linear and time-variant systems     3.2.1 Transformation of probability density functions     3.2.2 Employing z-transform for noise analysis     3.2.3 LPTV methods     3.2.4 Propagation of noise in non-linear time-variant systems     3.2.5 Noise in the time domain     3.2.6 A sequential method using a switching time-frequency domain     3.3 Fundamental noise processes in electronic devices     3.3.1 Thermal noise     3.3.2 Shot noise and photon noise     3.3.3 Remarks on thermal noise     3.3.4 Generation-recombination noise     3.3.5 Random telegraph signal noise - burst noise     3.3.6 Flicker noise     3.4 Noise processes under time-varying bias     3.5 Impedance field method     4 Noise performance of devices available in the 0.35mum CMOS process     4.1 Transistor noise basics     4.1.1 Bipolar transistor noise model     4.1.2 Field-effect transistor noise modeling     4.2 Noise performance of standard MOS Field-Effect Transistors     4.3 Noise performance of available bipolar devices     5 Noise in active pixel sensors     5.1 Photodetector principle     5.2 Photodetector noise and reduction techniques     5.2.1 Dark noise     5.2.2 Photon noise     5.2.3 Reset noise     5.2.4 Thermal, flicker and RTS noise     5.3 Correlated double sampling     5.4 Novel JFET readout structure for CMOS APS     6 On the design of PM-ToF range imagers     6.1 Basic concept and constraints     6.2 Physical limitations due to photon induced shot noise     6.3 Design objectives and considerations    6.3.1 Design objectives     6.3.2 Photodetector selection     6.3.3 Sensor system architecture     6.3.4 Fabrication technology     6.4 Detector design and evaluation     6.4.1 Readout circuitry     6.4.2 ToF-LDPD design     6.4.3 Evaluation of the first generation LDPD based PM-ToF imager    6.5 Speed considerations for ldpd based TOF image sensors    6.5.1 Design Considerations for charge transfer speed improvement     6.5.2 Evaluation of the second generation LDPD based PM-ToF imager     6.6 Matching considerations    6.6.1 Alternative ToF-LDPD concept     6.6.2 Evaluation of the third generation LDPD based PM-ToF imager    6.7 Impact of finite charge transfer speed and parasitic light sensitivity on PM-TOF     6.7.1 Concept of the generalized MSI ToF model    6.7.2 Verification     6.7.3 Fitting and comparison of the ToF-LDPD designs     6.7.4 Impact on precision     7 Conclusions     Appendix A Derivation of the autocorrelation formula of shot noise    Appendix B Measurement setups     B.1 Noise measurement setup     B.2 Setup to measure according to the emulated TOF principle     Appendix C Photon transfer method     Nomenclature    Abbreviations    Bibliography    Index




نظرات کاربران