دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب High mobility materials for CMOS applications
دانلود کتاب مواد با تحرک بالا برای برنامه های کاربردی CMOS
مشخصات کتاب
High mobility materials for CMOS applications
ویرایش:
نویسندگان: Collaert. Nadine
سری: Woodhead Publishing series in electronic and optical materials.
ISBN (شابک) : 9780081020623, 9780081020616
ناشر: Woodhead Publishing
سال نشر: 2018
تعداد صفحات: 390
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 47 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 68,000
کلمات کلیدی مربوط به کتاب مواد با تحرک بالا برای برنامه های کاربردی CMOS: نیمه هادی های اکسید فلز، مکمل، فنی و مهندسی / مکانیک
در صورت تبدیل فایل کتاب High mobility materials for CMOS applications به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب مواد با تحرک بالا برای برنامه های کاربردی CMOS نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب مواد با تحرک بالا برای برنامه های کاربردی CMOS
مواد با تحرک بالا برای برنامه های کاربردی CMOS یک مرور کلی از پیشرفت های اخیر در زمینه مواد (Si)Ge و III-V و ادغام آنها در Si ارائه می دهد. این کتاب رشد مواد و ادغام در Si را پوشش میدهد، از طراحی دستگاه تا مدار. در حالی که تمرکز کتاب بر برنامههای دیجیتال است، تعدادی از فصلها نیز به استفاده از III-V برای برنامههای RF و آنالوگ و در اپتوالکترونیک میپردازند. با این حال، با حرکت فناوری CMOS به گره 10 نانومتری و فراتر از آن، نگرانی های شدیدی در مورد اتلاف توان و عملکرد ایجاد می شود، بنابراین نیاز به این کار به موقع بر روی مزایا و چالش های این فناوری است. بیشتر بخوانید...
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
High Mobility Materials for CMOS Applications provides a comprehensive overview of recent developments in the field of (Si)Ge and III-V materials and their integration on Si. The book covers material growth and integration on Si, going all the way from device to circuit design. While the book's focus is on digital applications, a number of chapters also address the use of III-V for RF and analog applications, and in optoelectronics. With CMOS technology moving to the 10nm node and beyond, however, severe concerns with power dissipation and performance are arising, hence the need for this timely work on the advantages and challenges of the technology. Read more...
فهرست مطالب
1. CMOS and Beyond CMOS: Scaling Challenges 2. Opportunities for high mobility materials integrated on a Si platform 3. Monolithic integration of InGaAs on Si(001) substrate for Logic devices 4. III-N epitaxy on Si for power electronics 5. Impact of defects on the performance of high-mobility semiconductor devices 6. (Si)Ge devices 7. III-V Devices and Technology for CMOS 8. Beyond CMOS 9. Optoelectronic devices integrated on silicon 10. High mobility devices for digital applications
