دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: ابزار ویرایش: نویسندگان: Rogalski A. سری: ناشر: سال نشر: تعداد صفحات: 70 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 3 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب مواد آشکارساز مادون قرمز HgCdTe: تاریخچه، وضعیت و چشم انداز: ابزار دقیق، اپتوالکترونیک
در صورت تبدیل فایل کتاب HgCdTe infrared detector material: history, status and outlook به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب مواد آشکارساز مادون قرمز HgCdTe: تاریخچه، وضعیت و چشم انداز نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
گزارش های مربوط به پیشرفت در فیزیک 68 (2005) 2267-2336
این مقاله تاریخچه، وضعیت فعلی و پیشرفت های احتمالی آینده
HgCdTe
آلیاژ سه تایی برای کاربردهای آشکارساز مادون قرمز (IR) را بررسی
می کند. آشکارسازهای IR HgCdTe از زمان اولین سنتز این ماده در
سال 1958 به شدت توسعه یافته اند. این مقاله خصوصیات اساسی این
نیمه هادی شکاف باریک همه کاره را خلاصه می کند و ویژگی های ماده
را به کاربردهای موفق آن مرتبط می کند. به عنوان یک ماده رسانای
نور مادون قرمز و آشکارساز فتوولتائیک
. تأکید بر تحولات کلیدی در رشد کریستال و تأثیر آنها بر تکامل
دستگاه است. فناوری های رقابتی برای آلیاژ سه تایی HgCdTe نیز
ارائه شده است.
پیشرفت های اخیر فتودیودهای هتروجانکشن HgCdTe با نور پشتی، نسل
سوم ابزارهای چندطیفی را برای کاربردهای سنجش از دور فعال کرده
و
به عملی بودن چند باند منجر شده است. فناوری آرایه صفحه کانونی
IR. در نهایت، ارزیابی
HgCdTe برای کاربردهای IR با طول موج بلند دمای اتاق ارائه شده
است.
REPORTS ON PROGRESS IN PHYSICS 68 (2005) 2267-2336
This article reviews the history, the present status and
possible future developments of HgCdTe
ternary alloy for infrared (IR) detector applications. HgCdTe
IRdetectors have been intensively
developed since the first synthesis of this material in 1958.
This article summarizes the
fundamental properties of this versatile narrow gap
semiconductor, and relates the material
properties to its successful applications as an IR
photoconductive and photovoltaic detector
material. An emphasis is put on key developments in the crystal
growth and their influence on
device evolution. Competitive technologies to HgCdTe ternary
alloy are also presented.
Recent advances of backside illuminated HgCdTe heterojunction
photodiodes have
enabled a third generation of multispectral instruments for
remote sensing applications and
have led to the practicality of multiband IR focal plane array
technology. Finally, evaluation
of HgCdTe for room temperature long wavelength IR applications
is presented.