دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: الکترونیک ویرایش: 1 نویسندگان: Jianjun Gao سری: ISBN (شابک) : 1118921526, 9781118921524 ناشر: Wiley سال نشر: 2015 تعداد صفحات: 278 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 4 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب ترانزیستورهای دو قطبی Heterojunction برای طراحی مدار: مدل سازی مایکروویو و استخراج پارامتر: ابزار دقیق، الکترونیک حالت جامد
در صورت تبدیل فایل کتاب Heterojunction Bipolar Transistors for Circuit Design: Microwave Modeling and Parameter Extraction به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب ترانزیستورهای دو قطبی Heterojunction برای طراحی مدار: مدل سازی مایکروویو و استخراج پارامتر نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
خلاصهای بسیار جامع در مورد تکنیکهای مدلسازی مرتبط با مدار و
روشهای استخراج پارامتر برای ترانزیستورهای دوقطبی ناهمگون
• ترانزیستور دوقطبی ناهمگون (HBT) یکی از مهمترین دستگاهها
برای کاربردهای مایکروویو است. این کتاب جزئیات مدلسازی دقیق
دستگاه برای HBT و طراحی IC سطح بالا با استفاده از HBTs را ارائه
میکند
• مرجع ارزشمندی به مسائل مدلسازی اولیه و مدلهای دستگاه
نیمهرسانای خاص که در شبیهسازهای مداری با آنها مواجه میشوند،
با فهرست مرجع کامل در پایان هر فصل ارائه میکند. برای یادگیری
آینده
• مروری بر تکنیک های مدل سازی و روش های استخراج پارامتر برای
ترانزیستورهای دوقطبی ناهمگون با تمرکز بر شبیه سازی و طراحی مدار
ارائه می دهد
• نظریه و ابزارهای مرتبط با مهندسی برق/RF را ارائه می دهد و
مدارهای معادل و ماتریس آنها را شامل می شود. توضیحات، نویز، روش
های تجزیه و تحلیل سیگنال های کوچک و بزرگ
A highly comprehensive summary on circuit related modeling
techniques and parameter extraction methods for heterojunction
bipolar transistors
• Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) is one of the most
important devices for microwave applications. The book details
the accurate device modeling for HBTs and high level IC design
using HBTs
• Provides a valuable reference to basic modeling issues and
specific semiconductor device models encountered in circuit
simulators, with a thorough reference list at the end of each
chapter for onward learning
• Offers an overview on modeling techniques and parameter
extraction methods for heterojunction bipolar transistors
focusing on circuit simulation and design
• Presents electrical/RF engineering-related theory and tools
and include equivalent circuits and their matrix descriptions,
noise, small and large signal analysis methods