دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Herstellung und Untersuchung von Galliumarsenid-Einkristallen
دانلود کتاب ساخت و بررسی تک بلورهای گالیم آرسنید
مشخصات کتاب
Herstellung und Untersuchung von Galliumarsenid-Einkristallen
ویرایش: 1 نویسندگان: Prof. Dr. Heinz Beneking, Dr. Ulrich Langmann, Dipl.-Phys. Peter Lenz (auth.) سری: Forschungsberichte des Landes Nordrhein-Westfalen 2382 ISBN (شابک) : 9783531023823, 9783322880963 ناشر: VS Verlag für Sozialwissenschaften سال نشر: 1974 تعداد صفحات: 92 زبان: German فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 2 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 50,000
کلمات کلیدی مربوط به کتاب ساخت و بررسی تک بلورهای گالیم آرسنید: علم، عمومی
در صورت تبدیل فایل کتاب Herstellung und Untersuchung von Galliumarsenid-Einkristallen به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب ساخت و بررسی تک بلورهای گالیم آرسنید نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب ساخت و بررسی تک بلورهای گالیم آرسنید
کتابشناسی 47 58 شکل 86 فهرست نامگذاری ها برای بخش 5 - 1 - تولید و بررسی تک کریستال های آرسنید گالیم کار حاضر در مورد تلاش ها برای تولید تک کریستال های آرسنید گالیم و تحقیقات مواد روی چنین بلورهای نیمه هادی گزارش می دهد. روش GREMMELMAIER به عنوان روش رشد کریستال +) در نظر گرفته می شود. 1. مقدمه آرسنید گالیم متعلق به گروه نیمه هادی های مرکب III-V است که خواص آن برای اولین بار توسط NELKER [1] در سال 1952 گزارش شد. خواص آرسنید گالیم منجر به توسعه تعداد زیادی از اجزای الکترونیکی W"» (شکل 1) [3 - 10، 12J. در ساخت قطعات، آماده سازی تک بلورها در ابتدای یک سری قرار دارد. از مراحل فرآیند (شکل 2 بنابراین، تقاضاهای زیادی بر روی خواص کریستالوگرافی و الکتریکی این کریستال ها اعمال می شود. برای تولید اقتصادی تک بلورها، ترجیحاً از فرآیندهای تبلور از مذاب استوکیومتری استفاده می شود: 1. فرآیند BRIDGMAN: در اینجا مذاب از طریق یک گرادیان درجه حرارت تند اجرا می شود. 2 3. فرآیند NACKEN-KYROPOULOS: در اینجا یک بلور بذر سرد شده در مذاب فرو می رود.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
Lite raturve rz eichnis 47 58 Abbildungen 86 Liste der Bezeichnungen zu Abschnitt 5 - 1 - Herstellung und Untersuchung von Galliumarsenid - Einkristallen Die vorliegende Arbeit berichtet tiber Versuche zur Herstellung von Galliumarsenid-Einkristallen und tiber Materialuntersuchungen an solchen Halbleiterkristallen. Als Kristallzuchtverfahren wird das GREMMELMAIER-Verfahren behandelt +) • 1m Mittelpunkt der Ma terialuntersuchungen stehen Messungen der Tragerlebensdauer an Epitaxieschichten. 1. Einleitung Galliumarsenid geh6rt zur Gruppe der III-V-Verbindungshalbleiter, tiber deren Eigenschaften NELKER [1 J im Jahre 1952 zuerst be richtet hat. Die Eigenschaften von Galliumarsenid haben zur Ent wicklung einer Vielzahl von elektronischen Bauelementen W"'fiihrt (Abb. 1) [3 - 10, 12J. In der Herstellung von Bauelementen steht die Praparation von Ein kristallen am Anfang einer Reihe von Verfahrensschritten (Abb. 2). Daher werden an die kristallographischen und elektrischen Eigenschaften dieser Kristalle besonders-hohe Anforderungen gestellt. Zur wirtschaftlichen Herstellung von Einkristallen werden vorzugsweise Kristallisationsverfahren aus einer st6chiometrischen Schmelze verwendet: 1. Das BRIDGMAN -Verfahren: Hier wird die Schmelze durch einen steilen Temperaturgradienten gefahren. 2. Das NACKEN-KYROPOULOS-Verfahren: Hier wird ein gektihlter Keimkristall in die Schmelze getaucht. 3. Das CZOCHRALSKI-Verfahren: Hier wird ein Keimkristall lang sam aus der Schmelze herausgezogen [11].
فهرست مطالب
Front Matter....Pages i-iv
Einleitung....Pages 1-3
Kristallqualität [14]....Pages 4-12
Beschreibung eines Kristallziehversuches [14]....Pages 12-17
Versuche zur Optimierung der Kristallzuchtparameter [14]....Pages 17-29
Meßtechnische Untersuchungen an GaAs-Einkristallen [64]....Pages 30-46
Zusammenfassung....Pages 46-46
Back Matter....Pages 47-88
