Heavily-Doped 2D-Quantized Structures and the Einstein Relation

این کتاب رابطه انیشتین (ER) را در ساختارهای کوانتیزه دوبعدی (2 بعدی) به شدت دوپ شده (HD) ارائه می کند. مواد در نظر گرفته شده ساختارهای کوانتیزه شده از نوری غیرخطی HD، III-V، II-VI، Ge، Te، آنتیمونید پلاتین، مواد تحت تنش، GaP، گالیوم آنتیموناید، II-V، تلورید بیسموت همراه با انواع مختلف ابرشبکه های HD و همتایان کوانتیزه شده آنها به ترتیب. ER در مواد نوری-الکترونیکی HD و نانوساختارهای آنها در حضور امواج نوری قوی و میدان‌های الکتریکی شدید بر اساس قوانین جدید پراکندگی الکترون فرمول‌بندی شده‌ای که مطالعات چنین دستگاه‌های اثر کوانتومی را کنترل می‌کنند، مورد مطالعه قرار می‌گیرد. پیشنهاد برای تعیین تجربی ERهای HD 2D و 3D و اهمیت اندازه‌گیری شکاف باند در مواد اپتوالکترونیک HD تحت میدان الکتریکی داخلی شدید در نانودستگاه‌ها و تحریک عکس خارجی قوی (برای اندازه‌گیری خواص فیزیکی ناشی از فوتون) نیز در این مقاله مورد بحث قرار گرفته است. این زمینه تأثیر میدان‌های مغناطیسی الکتریکی و کوانتیزاسیون متقاطع بر روی ER ساختارهای کوانتیزه دو بعدی HD مختلف (چاه‌های کوانتومی، لایه‌های وارونگی و تجمع، ابرشبکه‌های HD چاه کوانتومی و ساختارهای نیپی) تحت شرایط فیزیکی مختلف به تفصیل مورد بحث قرار گرفته است. این تک نگاری شامل 100 مسئله تحقیقاتی باز است که بخش جدایی ناپذیر متن را تشکیل می دهد و هم برای داوطلبان دکتری و هم برای محققان در زمینه های فیزیک ماده چگال، علوم حالت جامد، علم مواد، علوم و فناوری نانو و زمینه های مرتبط مفید است. .

This book presents the Einstein Relation(ER) in two-dimensional (2-D) Heavily Doped (HD) Quantized Structures. The materials considered are quantized structures of HD non-linear optical, III-V, II-VI, Ge, Te, Platinum Antimonide, stressed materials, GaP, Gallium Antimonide, II-V, Bismuth Telluride together with various types of HD superlattices and their Quantized counterparts respectively. The ER in HD opto-electronic materials and their nanostructures is studied in the presence of strong light waves and intense electric fields on the basis of newly formulated electron dispersion laws that control the studies of such quantum effect devices. The suggestion for the experimental determination of HD 2D and 3D ERs and the importance of measurement of band gap in HD optoelectronic materials under intense built-in electric field in nanodevices and strong external photo excitation (for measuring photon induced physical properties) are also discussed in this context. The influence of crossed electric and quantizing magnetic fields on the ER of the different 2D HD quantized structures (quantum wells, inversion and accumulation layers, quantum well HD superlattices and nipi structures) under different physical conditions is discussed in detail. This monograph contains 100 open research problems which form the integral part of the text and are useful for both Ph.D aspirants and researchers in the fields of condensed matter physics, solid-state sciences, materials science, nano-science and technology and allied fields.