ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Handbook of Semiconductor Technology: Electronic Structure and Properties of Semiconductors, Volume 1

دانلود کتاب کتاب راهنمای فناوری نیمه هادی ها: ساختار الکترونیکی و خواص نیمه هادی ها، جلد 1

Handbook of Semiconductor Technology: Electronic Structure and Properties of Semiconductors, Volume 1

مشخصات کتاب

Handbook of Semiconductor Technology: Electronic Structure and Properties of Semiconductors, Volume 1

ویرایش:  
 
سری:  
ISBN (شابک) : 9783527298341, 9783527621842 
ناشر: Wiley-VCH Verlag GmbH 
سال نشر: 2000 
تعداد صفحات: 833 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 24 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 38,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 11


در صورت تبدیل فایل کتاب Handbook of Semiconductor Technology: Electronic Structure and Properties of Semiconductors, Volume 1 به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب کتاب راهنمای فناوری نیمه هادی ها: ساختار الکترونیکی و خواص نیمه هادی ها، جلد 1 نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب کتاب راهنمای فناوری نیمه هادی ها: ساختار الکترونیکی و خواص نیمه هادی ها، جلد 1

این جلد که ساختار و خواص نیمه هادی ها را پوشش می دهد، تأکید خاصی بر مفاهیم مرتبط با فناوری نیمه هادی دارد. این یک منبع مرجع ارزشمند و بررسی پیشرفته توسط نویسندگان برتر جهان است که مورد علاقه فیزیکدانان و مهندسان در تحقیقات و صنعت الکترونیک است. محتوا:
تئوری باند فصل 1 کاربردی در نیمه هادی ها (صفحات 1-67): Michel Lannoo
فصل 2 ویژگی های نوری و حمل بار (صفحات 69-120): R. G. Ulbrich
فصل 3 ذاتی نقایص نقطه ای در نیمه هادی ها 1999 (صفحات 121-165): جورج دی واتکینز
فصل 4 مراکز عمیق در نیمه هادی ها (صفحات 167-229): هلموت فایشتینگر
فصل 5 نقص نقطه، انتشار (صفحه 1- و رسوب) 290): T. Y. Tan و U. Gosele
فصل 6 دررفتگی (صفحات 291-376): Helmut Alexander و Helmar Teichler
فصل 7 مرزهای دانه در نیمه هادی ها (صفحات 377-451): Jany Thibault, Jeanviere?Luc و Alain Bourret
فصل 8 رابط (صفحات 453-540): R. Hull, A. Ourmazd, W. D. Rau, P. Schwander, M. L. Green and R. T. Tung
فصل 9 خواص مواد سیلیکون آمورف هیدروژنه (صفحات 541) -595): R. A. Street and K. Winer
فصل 10 ویژگی های دمای بالا عناصر انتقالی در سیلیکون (صفحات 597-660): Wolfgang Schroter، Michael Seibt و D ieter Gilles
فصل 11 جنبه های اساسی SiC (صفحه های 661-713): Wolfgang J. Choyke and Robert P. Devaty
فصل 12 مواد جدید: نیمه هادی ها برای سلول های خورشیدی (صفحات 715-769): Hans Joachim Moller< br>فصل 13 مواد جدید: نیترید گالیم (صفحات 771-808): Eicke R. Weber، Joachim Kruger و Christian Kisielowski


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Covering the structure and properties of semiconductors, this volume places particular emphasis on concepts relevant to semiconductor technology. Of interest to physicists and engineers in research and in the electronics industry, this is a valuable reference source and state-of-the-art review by the world's top authors. Content:
Chapter 1 Band Theory Applied to Semiconductors (pages 1–67): Michel Lannoo
Chapter 2 Optical Properties and Charge Transport (pages 69–120): R. G. Ulbrich
Chapter 3 Intrinsic Point Defects in Semiconductors 1999 (pages 121–165): George D. Watkins
Chapter 4 Deep Centers in Semiconductors (pages 167–229): Helmut Feichtinger
Chapter 5 Point Defects, Diffusion, and Precipitation (pages 231–290): T. Y. Tan and U. Gosele
Chapter 6 Dislocations (pages 291–376): Helmut Alexander and Helmar Teichler
Chapter 7 Grain Boundaries in Semiconductors (pages 377–451): Jany Thibault, Jean?Luc Rouviere and Alain Bourret
Chapter 8 Interfaces (pages 453–540): R. Hull, A. Ourmazd, W. D. Rau, P. Schwander, M. L. Green and R. T. Tung
Chapter 9 Material Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon (pages 541–595): R. A. Street and K. Winer
Chapter 10 High?Temperature Properties of Transition Elements in Silicon (pages 597–660): Wolfgang Schroter, Michael Seibt and Dieter Gilles
Chapter 11 Fundamental Aspects of SiC (pages 661–713): Wolfgang J. Choyke and Robert P. Devaty
Chapter 12 New Materials: Semiconductors for Solar Cells (pages 715–769): Hans Joachim Moller
Chapter 13 New Materials: Gallium Nitride (pages 771–808): Eicke R. Weber, Joachim Kruger and Christian Kisielowski





نظرات کاربران