دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Handbook of Semiconductor Technology: Electronic Structure and Properties of Semiconductors, Volume 1
دانلود کتاب کتاب راهنمای فناوری نیمه هادی ها: ساختار الکترونیکی و خواص نیمه هادی ها، جلد 1
مشخصات کتاب
Handbook of Semiconductor Technology: Electronic Structure and Properties of Semiconductors, Volume 1
ویرایش: سری: ISBN (شابک) : 9783527298341, 9783527621842 ناشر: Wiley-VCH Verlag GmbH سال نشر: 2000 تعداد صفحات: 833 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 24 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 47,000
در صورت تبدیل فایل کتاب Handbook of Semiconductor Technology: Electronic Structure and Properties of Semiconductors, Volume 1 به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب کتاب راهنمای فناوری نیمه هادی ها: ساختار الکترونیکی و خواص نیمه هادی ها، جلد 1 نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب کتاب راهنمای فناوری نیمه هادی ها: ساختار الکترونیکی و خواص نیمه هادی ها، جلد 1
این جلد که ساختار و خواص نیمه هادی ها را پوشش می دهد، تأکید
خاصی بر مفاهیم مرتبط با فناوری نیمه هادی دارد. این یک منبع مرجع
ارزشمند و بررسی پیشرفته توسط نویسندگان برتر جهان است که مورد
علاقه فیزیکدانان و مهندسان در تحقیقات و صنعت الکترونیک است.
محتوا:
تئوری باند فصل 1 کاربردی در نیمه هادی ها (صفحات 1-67): Michel
Lannoo
فصل 2 ویژگی های نوری و حمل بار (صفحات 69-120): R. G.
Ulbrich
فصل 3 ذاتی نقایص نقطه ای در نیمه هادی ها 1999 (صفحات 121-165):
جورج دی واتکینز
فصل 4 مراکز عمیق در نیمه هادی ها (صفحات 167-229): هلموت
فایشتینگر
فصل 5 نقص نقطه، انتشار (صفحه 1- و رسوب) 290): T. Y. Tan و U.
Gosele
فصل 6 دررفتگی (صفحات 291-376): Helmut Alexander و Helmar
Teichler
فصل 7 مرزهای دانه در نیمه هادی ها (صفحات 377-451): Jany
Thibault, Jeanviere?Luc و Alain Bourret
فصل 8 رابط (صفحات 453-540): R. Hull, A. Ourmazd, W. D. Rau, P.
Schwander, M. L. Green and R. T. Tung
فصل 9 خواص مواد سیلیکون آمورف هیدروژنه (صفحات 541) -595): R. A.
Street and K. Winer
فصل 10 ویژگی های دمای بالا عناصر انتقالی در سیلیکون (صفحات
597-660): Wolfgang Schroter، Michael Seibt و D ieter
Gilles
فصل 11 جنبه های اساسی SiC (صفحه های 661-713): Wolfgang J.
Choyke and Robert P. Devaty
فصل 12 مواد جدید: نیمه هادی ها برای سلول های خورشیدی (صفحات
715-769): Hans Joachim Moller< br>فصل 13 مواد جدید:
نیترید گالیم (صفحات 771-808): Eicke R. Weber، Joachim Kruger و
Christian Kisielowski
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
Covering the structure and properties of semiconductors, this
volume places particular emphasis on concepts relevant to
semiconductor technology. Of interest to physicists and
engineers in research and in the electronics industry, this is
a valuable reference source and state-of-the-art review by the
world's top authors. Content:
Chapter 1 Band Theory Applied to Semiconductors (pages 1–67):
Michel Lannoo
Chapter 2 Optical Properties and Charge Transport (pages
69–120): R. G. Ulbrich
Chapter 3 Intrinsic Point Defects in Semiconductors 1999 (pages
121–165): George D. Watkins
Chapter 4 Deep Centers in Semiconductors (pages 167–229):
Helmut Feichtinger
Chapter 5 Point Defects, Diffusion, and Precipitation (pages
231–290): T. Y. Tan and U. Gosele
Chapter 6 Dislocations (pages 291–376): Helmut Alexander and
Helmar Teichler
Chapter 7 Grain Boundaries in Semiconductors (pages 377–451):
Jany Thibault, Jean?Luc Rouviere and Alain Bourret
Chapter 8 Interfaces (pages 453–540): R. Hull, A. Ourmazd, W.
D. Rau, P. Schwander, M. L. Green and R. T. Tung
Chapter 9 Material Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon
(pages 541–595): R. A. Street and K. Winer
Chapter 10 High?Temperature Properties of Transition Elements
in Silicon (pages 597–660): Wolfgang Schroter, Michael Seibt
and Dieter Gilles
Chapter 11 Fundamental Aspects of SiC (pages 661–713): Wolfgang
J. Choyke and Robert P. Devaty
Chapter 12 New Materials: Semiconductors for Solar Cells (pages
715–769): Hans Joachim Moller
Chapter 13 New Materials: Gallium Nitride (pages 771–808):
Eicke R. Weber, Joachim Kruger and Christian Kisielowski
