دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Handbook of GaN Semiconductor Materials and Devices
دانلود کتاب کتابچه راهنمای کاربر از مواد و دستگاه های نیمه هادی GaN
مشخصات کتاب
Handbook of GaN Semiconductor Materials and Devices
ویرایش: 1 نویسندگان: Wengang (Wayne) Bi, Haochung (Henry) Kuo, Peicheng Ku, Bo Shen سری: Series in optics and optoelectronics (CRC Press) ISBN (شابک) : 1498747132, 9781498747134 ناشر: CRC Press سال نشر: 2018 تعداد صفحات: 709 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 57 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 33,000
کلمات کلیدی مربوط به کتاب کتابچه راهنمای کاربر از مواد و دستگاه های نیمه هادی GaN: نیمه هادی ها -- کتاب های راهنما، کتابچه های راهنما، و غیره، نیترید گالیوم -- کتاب های راهنما، راهنماها، و غیره، نیترید گالیوم.، نیمه هادی ها.
در صورت تبدیل فایل کتاب Handbook of GaN Semiconductor Materials and Devices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب کتابچه راهنمای کاربر از مواد و دستگاه های نیمه هادی GaN نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب کتابچه راهنمای کاربر از مواد و دستگاه های نیمه هادی GaN
این کتاب به رشد مواد، ساخت دستگاه، کاربرد دستگاه و تجاری‌سازی دیودهای نور سفید با کارآمدی انرژی (LED)، دیودهای لیزری و دستگاه‌های الکترونیک قدرت می‌پردازد. این مقاله با مروری بر اصول اولیه مواد نیمه‌رسانا، فیزیک، تکنیک‌های رشد و مشخصه‌سازی آغاز می‌شود، و سپس بحث مفصلی در مورد مزایا، معایب، مسائل طراحی، پردازش، کاربردها و چالش‌های کلیدی برای دستگاه‌های مبتنی بر GaN ارائه می‌شود. این شامل آخرین تکنیک‌های سنتز مواد با مروری بر فناوری‌های رشد برای زیرلایه‌های GaN و AlN توده‌ای یا آزاد و کاربردهای آن‌ها در الکترونیک، تشخیص، سنجش، اپتوالکترونیک و فوتونیک است.
Wengang. (وین) بیاستاد برجسته صندلی و دانشیار دانشکده اطلاعات و مهندسی برق در دانشگاه فناوری هبی در تیانجین، چین است.
هائو چونگ (هنری) کو استاد برجسته و دانشیار مرکز فوتونیک در دانشگاه ملی چیائو تونگ، هسین-تسو، تایوان، چین است.
پی چنگ کو دانشیار گروه مهندسی برق و علوم کامپیوتر در دانشگاه میشیگان، آن آربور، ایالات متحده آمریکا است.
بو شن استاد Cheung Kong در دانشگاه پکن در چین است.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
This book addresses material growth, device fabrication, device application, and commercialization of energy-efficient white light-emitting diodes (LEDs), laser diodes, and power electronics devices. It begins with an overview on basics of semiconductor materials, physics, growth and characterization techniques, followed by detailed discussion of advantages, drawbacks, design issues, processing, applications, and key challenges for state of the art GaN-based devices. It includes state of the art material synthesis techniques with an overview on growth technologies for emerging bulk or free standing GaN and AlN substrates and their applications in electronics, detection, sensing, optoelectronics and photonics.
Wengang (Wayne) Bi is Distinguished Chair Professor and Associate Dean in the College of Information and Electrical Engineering at Hebei University of Technology in Tianjin, China.
Hao-chung (Henry) Kuo is Distinguished Professor and Associate Director of the Photonics Center at National Chiao-Tung University, Hsin-Tsu, Taiwan, China.
Pei-Cheng Ku is an associate professor in the Department of Electrical Engineering & Computer Science at the University of Michigan, Ann Arbor, USA.
Bo Shen is the Cheung Kong Professor at Peking University in China.
فهرست مطالب
Content: Section Iâ Fundamentals1 III-Nitride Materials and CharacterizationBo Shen, Ning Tang, XinQiang Wang, ZhiZhong Chen, FuJun Xu, XueLin Yang, TongJun Yu, JieJun Wu, ZhiXin Qin, WeiYing Wang, YuXia Feng, and WeiKun Ge2 Microstructure and Polarization Properties of III-Nitride SemiconductorsFernando A. Ponce3 Optical Properties of III-Nitride SemiconductorsPlamen P. Paskov and Bo Monemar4 Electronic and Transport Properties of III-Nitride SemiconductorsYuh-Renn WuSection IIâ Growth and Processing5 Growth Technology for GaN and AlN Bulk Substrates and TemplatesMichael Slomski, Lianghong Liu, John F. Muth, and Tania Paskova6 III-Nitride Metalorganic Vapor-Phase EpitaxyDaniel D. Koleske7 Molecular Beam Epitaxial Growth of III-Nitride Nanowire Heterostructures and Emerging Device ApplicationsShizhao Fan, Songrui Zhao, Faqrul A. Chowdhury, Renjie Wang, and Zetian Mi8 Advanced Optoelectronic Device ProcessingFengyi JiangSection IIIâ Power Electronics9 Principles and Properties of Nitride-Based Electronic DevicesAn-Jye Tzou, Chun-Hsun Lee, Shin-Yi Ho, Hao-Chung (Henry) Kuo, and Jian-Jang Huang10 Power Conversion and the Role of GaNSrabanti Chowdhury11 Recent Progress in GaN-on-Si HEMTKevin J. Chen and Shu Yang12 Reliability in III-Nitride DevicesDavide Bisi, Isabella Rossetto, Matteo Meneghini, Gaudenzio Meneghesso, and Enrico ZanoniSection IV Light Emitters13 Internal Quantum Efficiency for III-Nitrideã »Based Blue Light-Emitting DiodesZi-Hui Zhang, Yonghui Zhang, Hilmi Volkan Demir, and Xiao Wei Sun14 White Light-Emitting Diode: Fundamentals, Current Status, and Future TrendsBingfeng Fan, Yi Zhuo, and Gang Wang15 Current Status and Trends for Green Light-Emitting DiodesJunxi Wang, Zhe Liu, and Ning Zhang16 Ultraviolet Light-Emitting Diodes: Challenges and CountermeasuresJun Hyuk Park, Jong Won Lee, Dong Yeong Kim, and Jong Kyu Kim17 InGaN/GaN Quantum Dot Visible LasersThomas Frost, Guan-Lin Su, John Dallesasse, and Pallab Bhattacharya18 GaN-Based Surface-Emitting LasersKuo-Bin Hong, Shen-Che Huang, Yu-Hsun Chou, and Tien-Chang LuSection V Emerging Applications19 IIIã »V Nitride-Based PhotodetectionChien-Chung Lin, Lung-Hsing Hsu, Yu-Ling Tsai, Hao-Chung (Henry) Kuo, Wei-Chih Lai, and Jinn-Kong Sheu20 Intersubband Optoelectronics Using III-Nitride SemiconductorsCaroline B. Lim, Akhil Ajay, Jonas Lahnemann, David A. Browne, and Eva Monroy21 Lighting CommunicationsYu-Chieh Chi, Dan-Hua Hsieh, Hao-Chung (Henry) Kuo, Sujie Nakamura,Steve Denbaars, and Gong-Ru Lin22 III-Nitride Semiconductor Single Photon SourcesPei-Cheng Ku, Chu-Hsiang Teng, and Hui Deng
