ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Halbleiterphysik: Eine Einführung: Band I / II

دانلود کتاب فیزیک نیمه هادی: مقدمه: جلد I/II

Halbleiterphysik: Eine Einführung: Band I / II

مشخصات کتاب

Halbleiterphysik: Eine Einführung: Band I / II

ویرایش: 1 
نویسندگان:   
سری:  
ISBN (شابک) : 9783322985545, 9783322985538 
ناشر: Vieweg+Teubner Verlag 
سال نشر: 1992 
تعداد صفحات: 694 
زبان: German 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 21 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 49,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب فیزیک نیمه هادی: مقدمه: جلد I/II: نیمه هادی ها، علوم، عمومی



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 8


در صورت تبدیل فایل کتاب Halbleiterphysik: Eine Einführung: Band I / II به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب فیزیک نیمه هادی: مقدمه: جلد I/II نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب فیزیک نیمه هادی: مقدمه: جلد I/II

کتاب درسی «فیزیک نیمه هادی ها» (جلد 40 از مجموعه علوم حالت جامد) که به زبان انگلیسی نوشته و توسط انتشارات Springer-Verlag در سال 1991 منتشر شده است، به زبان آلمانی نیز موجود است. ترجمه را خودم انجام دادم. AniaB برای این کار ترجمه ژاپنی چاپ چهارم توسط یوشیکا شوتن در کیوتو/ژاپن بود که به موجب آن کتاب به دو جلد تقسیم شد. اتفاقاً ترجمه‌های روسی و چینی چاپ اول نیز منتشر شده است که موفقیت بین‌المللی متن را بیشتر نشان می‌دهد. به تبعیت از نسخه ژاپنی، نسخه آلمانی حاضر نیز به دو جلد تقسیم شده است. همانطور که در آنجا، شماره گذاری صفحات و فصول در جلد دوم از جلد اول پیروی می کند. تعداد صفحات بیشتر در مقایسه با نسخه انگلیسی به دلیل فاصله خطوط بیشتر است که به طور قابل توجهی خوانایی متن و درج فرمول ها را در متن بهبود می بخشد. هنگام معرفی یک اصطلاح فنی جدید، اصطلاح انگلیسی معمولاً بعد از آلمانی در پرانتز قرار می گرفت. اصطلاحات ترانزیستور منبع، تخلیه و دروازه ترجمه نشده باقی می‌مانند، زیرا امروزه در ادبیات فنی آلمان بسیار رایج است. جلد اول با فصل 1 تا 10 شامل خواص الکترونیکی نیمه هادی مانند ساختار نواری و آمار حامل های بار و همچنین حمل و نقل بار و انرژی است. در فصل 6، به طور خاص، فرآیندهای پراکندگی که حامل های بار در هنگام عبور از نیمه هادی تحت آن قرار می گیرند، با چنان جزئیاتی از مبانی مورد بررسی قرار می گیرند که هیچ کتاب درسی دیگری نمی تواند آن را پیدا کند.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Das von mir in englischer Sprache geschriebene und vom Springer-Verlag in 5. Auflage 1991 herausgebrachte Lehrbuch "Semiconductor Physics" (Band 40 der Solid State Science-Serie) liegt hiermit auch in deutscher Sprache vor. Die Ubersetzung habe ich selbst besorgt. AniaB dazu war die Herausgabe einer japanischen Ubersetzung der 4. Auflage durch Yoshioka Shoten in Kyoto/Japan, wobei das Buch auf zwei Bande aufgeteilt wurde. Obrigens sind auch russische und chinesische Ubersetzungen der 1. Auflage erschienen, was den internationa len Erfolg des Textes weiter unterstreicht. Nach dem Vorbild der japanischen Ausgabe ist auch die vorliegende deutsche Version auf zwei Bande aufgeteilt worden. Ebenso wie dort schlieBen die Seiten-und die Kapitel-Numerierung von Band II an diejenigen von Band I fortlaufend an. Die groBere Seitenzahl gegenUber der englischen Version ist bedingt durch einen groBeren Zeilenab stand, der die Lesbarkeit des Textes und das EinfUgen von Formeln in den Text wesentlich verbessert. Bei der EinfUhrung eines neuen Fachausdrucks wurde in der Regel der englische Ausdruck hinter dem deutschen in Klammern gesetzt. Die Transistor-Begriffe source, drain und gate bleiben unUbersetzt, da dies in der deutschen Fachliteratur heute so Ublich ist. Der Band I mit den Kapiteln 1 bis 10 enthalt die elektronischen Eigenschaften des Halbleiters wie Bandstruktur und Statistik der Ladungstrager sowie Ladungs- und Energie-Transport. Insbesondere werden im Kapitel 6 die Streuvorgange, denen die Ladungstrager beim Durchgang durch den Halbleiter unterworfen sind, so ausfuhriich von den Grundlagen her behandelt, wie dies in keinem anderen Lehrbuch zu finden ist.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages I-XI
Grundlegende Eigenschaften eines Halbleiters....Pages 1-11
Energieband-Struktur....Pages 12-42
Halbleiter-Statistik....Pages 43-58
Ladungs- und Wärmetransport im nichtentarteten Elektronengas....Pages 59-153
Diffusion von Ladungsträgern....Pages 154-210
Streuprozesse im sphärischen Ein-Tal-Modell....Pages 211-296
Ladungstransport und Streuvorgänge im Vieltal-Modell....Pages 297-356
Ladungstransport im Modell der verbeulten Kugeln....Pages 357-376
Quanten-Effekte in Transport-Erscheinungen....Pages 377-407
Stoßionisation und Lawinendurchbruch....Pages 408-422
Optische Absorption und Reflexion....Pages 423-531
Photoleitung....Pages 532-552
Lichterzeugung durch Halbleiter....Pages 553-583
Eigenschaften der Oberfläche und Grenzfläche....Pages 584-603
Transport in amorphen und organischen Halbleitern sowie persistenten Photoleitern....Pages 604-615
Back Matter....Pages 616-683




نظرات کاربران