دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Halbleiterbauelemente der Hochfrequenztechnik: Laufzeitdioden, Gunn-Elemente, Mikrowellen-Feldeffekttransistoren
دانلود کتاب اجزای نیمه هادی در فناوری فرکانس بالا: دیودهای زمان عبور، عناصر Gunn، ترانزیستورهای اثر میدان مایکروویو
مشخصات کتاب
Halbleiterbauelemente der Hochfrequenztechnik: Laufzeitdioden, Gunn-Elemente, Mikrowellen-Feldeffekttransistoren
ویرایش: 1
نویسندگان: Dr. rer. nat. Andreas Schlachetzki (auth.)
سری: Teubner Studienskripten Elektrotechnik
ISBN (شابک) : 9783519000990, 9783663102458
ناشر: Vieweg+Teubner Verlag
سال نشر: 1984
تعداد صفحات: 261
زبان: German
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 4 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 68,000
کلمات کلیدی مربوط به کتاب اجزای نیمه هادی در فناوری فرکانس بالا: دیودهای زمان عبور، عناصر Gunn، ترانزیستورهای اثر میدان مایکروویو: مهندسی، عمومی
در صورت تبدیل فایل کتاب Halbleiterbauelemente der Hochfrequenztechnik: Laufzeitdioden, Gunn-Elemente, Mikrowellen-Feldeffekttransistoren به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب اجزای نیمه هادی در فناوری فرکانس بالا: دیودهای زمان عبور، عناصر Gunn، ترانزیستورهای اثر میدان مایکروویو نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب اجزای نیمه هادی در فناوری فرکانس بالا: دیودهای زمان عبور، عناصر Gunn، ترانزیستورهای اثر میدان مایکروویو
حدود 25 سال پیش، اولین ایده های قابل اجرا برای تولید نوسانات الکتریکی با فرکانس بالا با نیمه هادی ها پدیدار شد. دوره ای از توسعه آشفته اجزای نیمه هادی به دنبال داشت که لوله ها را که تا آن زمان حتی در فرکانس های بالا نیز غالب بودند، به سمت کاربردهای ویژه با کارایی بالا سوق داد. علاوه بر این، محدودههای فرکانسی که قبلاً غیرقابل دسترسی بودند، برای نیمهرساناها باز شدند. در سال های اخیر، اجزای نیمه هادی برای ناحیه مایکروویو اساساً به بلوغ خود رسیده اند، جدا از ترانزیستورهای اثر میدان، که به سمت فرکانس های بالاتر پیش می روند. این کتاب به اجزای نیمه هادی می پردازد که در محدوده موج سانتی متری و میلی متری استفاده می شوند، اما با محدودیت به اجزای فعال. تمرکز بر روی دیودهای زمان عبور و عناصر Gunn، اجزای نیمه هادی کلاسیک مورد استفاده در فناوری مایکروویو است. هر دو گروه از اجزاء با الکترون های داغ کار می کنند و از زمان عبور الکترون ها در یک ناحیه نیمه هادی مناسب طراحی شده استفاده می کنند. از سوی دیگر، سایر اجزای مایکروویو، مانند دیودهای تونلی یا دیودهای بازیابی پله ای، به دلیل اهمیت محدود آنها مورد بحث قرار نمی گیرند. ترانزیستورهای دوقطبی، مانند ترانزیستورهای اثر میدان، به معنای محدودتر به اجزای مایکروویو تعلق ندارند، اگرچه ترانزیستورهای دوقطبی در حال حاضر با فرکانس قطع 12 گیگاهرتز در دسترس هستند و بنابراین تا محدوده فرکانس بالای 1 گیگاهرتز گسترش می یابند. علاقه به اینجا
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
Vor rund 25 Jahren entstanden die ersten tragfahigen Ideen, mit Halbleitern hochfrequente elektrische Schwingungen zu er zeugen. Es folgte eine Periode sturmischer Entwicklung von Halbleiterbauelementen, die die bis dahin auch bei hohen Fre quenzen dominierenden R5hren auf spezielle Hochleistungsan wendungen abdrangten. Daruberhinaus wurden fur Halbleiter Fre quenzbereiche erschlossen, die bisher unzuganglich waren. In den letzten Jahren haben die Halbleiterbauelemente fur das Mi krowellengebiet im wesentlichen ihre Reife erhalten, abgesehen von den Feldeffekttransistoren, die zu immer h5heren Frequen zen vorstoBen. Dieses Buch behandelt Halbleiterbauelemente, die im Zentimeter und Millimeterwellengebiet eingesetzt werden, allerdings mit der Beschrankung auf aktive Komponenten. Der Schwerpunkt liegt auf den Laufzeitdioden und den Gunn-Elementen, den klassischen Halbleiterbauelementen der Mikrowellentechnik. Beide Gruppen von Bauelementen arbeiten mit heiBen Elektronen und nutzen die Laufzeit der Elektronen durch einen geeignet gestalteten Halb leiterbereich aus. Dagegen werden andere Mikrowellenbauelemen te, wie Tunneldioden oder Step-Recovery-Dioden, wegen ihrer nur begrenzten Wichtigkeit nicht behandelt. Bipolare Transi storen geh5ren ebensowenig wie die Feldeffekttransistoren zu den Mikrowellenbauelementen im engeren Sinn, obwohl bipolare Transistoren jetzt schon mit einer Grenzfrequenz von 12 GHz verfugbar sind und damit weit in das hier interessierende Fre quenzgebiet oberhalb 1 GHz hineinreichen.
فهرست مطالب
Front Matter....Pages N2-7
Einleitung....Pages 9-12
Lawinenlaufzeit-Dioden....Pages 13-115
Elektronen-Transfer-Bauelemente....Pages 116-201
Oszillatoren....Pages 202-220
Anwendungen....Pages 221-227
Mikrowellen-Feldeffekttransistoren....Pages 228-242
Back Matter....Pages 243-261
