Halbleiter-Leistungsbauelemente: Physik, Eigenschaften, Zuverlassigkeit

ویرایش: 2 
نویسندگان: Josef Lutz (auth.)  
سری:  
ISBN (شابک) : 9783642297953, 9783642297960 
ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg 
سال نشر: 2012 
تعداد صفحات: 395 
زبان: German 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 16 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 33,000



قطعات قدرت نیمه هادی قلب الکترونیک قدرت هستند. آنها عملکرد را تعیین می کنند، مدارهای جدید و کم تلفات را ممکن می سازند. از آنجایی که نه تنها فرآیندهای موجود در نیمه هادی ها، بلکه خواص حرارتی و مکانیکی نیز برای کاربرد آنها مهم است، درمان اجزای قدرت نیمه هادی شامل فناوری مونتاژ و اتصال نیز می شود. این کتاب به مبانی فیزیکی می‌پردازد، به فناوری ساخت می‌پردازد، و به جزئیات مربوط به اجزای فردی مانند دیودها، ترانزیستورها، تریستورها، ترانزیستورهای MOS و IGBT می‌پردازد. فن آوری ساخت و ساز و اتصال و همچنین مشکلات حرارتی مکانیکی بررسی شده و مکانیسم های تخریب شناخته شده و اثرات مخرب انواع فردی شرح داده شده است. برای طراحی سیستم، سیستم‌های الکترونیک قدرت به‌عنوان یک کل در نظر گرفته می‌شوند.

ویرایش دوم برخی از روابط بین ترانزیستورها و تریستورها را به طور دقیق‌تری ارائه می‌کند. این نوآوری‌ها و پیشرفت‌های فنی از زمان انتشار نسخه اول را در نظر می‌گیرد. توضیحات برخی از اجزای SiC، پیشرفت‌های بیشتر در IGBT و یافته‌های دیگر در مورد استحکام دیودهای قدرت.

Halbleiter-Leistungsbauelemente sind das Kernstück der Leistungselektronik. Sie bestimmen die Leistungsfähigkeit, sie machen neuartige und verlustarme Schaltungen erst möglich. Da für deren Anwendung nicht nur die Vorgänge im Halbleiter, sondern auch die thermischen und mechanischen Eigenschaften wesentlich sind, beinhaltet die Behandlung der Halbleiter-Leistungsbauelemente auch die Aufbau- und Verbindungstechnik. Das Buch geht auf die physikalischen Grundlagen ein, behandelt die Herstellungstechnologie, geht auf einzelne Bauelemente wie Dioden, Transistoren, Thyristoren, MOS-Transistoren und IGBTs detailliert ein. Aufbau- und Verbindungstechnik sowie thermomechanische Probleme werden behandelt und die bekannten Zerstörungsmechanismen und Störungseffekte einzelner Bauarten werden beschrieben. Für den Systementwurf werden leistungselektronische Systeme als Ganzes betrachtet.

Die 2. bearbeitete Auflage stellt einige Zusammenhänge bei Transistoren und Thyristoren präziser dar. Sie berücksichtigt die technischen Neuerungen und Entwicklungen seit Erscheinen der 1. Auflage.Ergänzt wurde die Beschreibung einiger Bauelemente aus SiC, der Weiterentwicklungen bei IGBTs sowie weitere Erkenntnisse zur Robustheit von Leistungsdioden.

Front Matter....Pages 1-1
Besonderheiten leistungselektronischer Halbleiterbauelemente....Pages 1-4
Halbleiterphysikalische Grundlagen....Pages 5-79
Halbleiterbauelemente....Pages 81-238
Aufbau- und Verbindungstechnik von Leistungsbauelementen....Pages 239-284
Zerstörungsmechanismen in Leistungsbauelementen....Pages 285-324
Durch Bauelemente verursachte Schwingungseffekte und elektromagnetische Störungen....Pages 325-343
Leistungselektronische Systeme....Pages 345-359
Back Matter....Pages 9-9