ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Growth and Properties of Ultrathin Epitaxial Layers

دانلود کتاب رشد و خواص لایه های فوق نازک اپیتاکسیال

Growth and Properties of Ultrathin Epitaxial Layers

مشخصات کتاب

Growth and Properties of Ultrathin Epitaxial Layers

ویرایش: [1 ed.] 
نویسندگان:   
سری: The Chemical Physics of Solid Surfaces 8 
ISBN (شابک) : 0444827684, 9780444827685 
ناشر: Elsevier Science 
سال نشر: 1997 
تعداد صفحات: 1-650
[673] 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 52 Mb 

قیمت کتاب (تومان) : 45,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 7


در صورت تبدیل فایل کتاب Growth and Properties of Ultrathin Epitaxial Layers به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب رشد و خواص لایه های فوق نازک اپیتاکسیال نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب رشد و خواص لایه های فوق نازک اپیتاکسیال

اگرچه در طول 30 سال گذشته علم سطح مدرن پیشرفت ثابتی در درک جنبه های رشد همپایی صورت گرفته است، کار در این زمینه در 5 سال گذشته به شدت تشدید شده است. تعدادی از عوامل به این گسترش کمک کرده است. یکی از گرایش‌های عمومی در علوم سطحی برای مقابله با مشکلات افزایش پیچیدگی بوده است، زیرا اطمینان در روش به دست می‌آید، به عنوان مثال، نقش رابط‌های اکسید/فلز در تعیین خواص بسیاری از کاتالیزورهای پشتیبانی شده عملی در حال حاضر با جزئیات بیشتری مورد بررسی قرار گرفته است. . عامل دوم شناخت اهمیت بالقوه مواد چند لایه مصنوعی نه تنها در دستگاه های نیمه هادی بلکه در سیستم های فلزی/فلزی به دلیل خواص مغناطیسی جدید آنهاست. با این حال، شاید حتی مهم‌تر از هر یک از این حوزه‌های کاربردی، قدرت تازه کشف‌شده میکروسکوپ‌های کاوشگر روبشی، و به‌ویژه میکروسکوپ تونل زنی روبشی (STM)، برای ارائه ابزاری برای مطالعه پدیده‌های رشد همپایه در مقیاس اتمی در مقیاس وسیع باشد. محدوده شرایط این تکنیک‌ها همچنین به احیای علاقه به روش‌های ساخت و بهره‌برداری از سازه‌های مصنوعی (جانبی و لایه‌ای) در مقیاس نانومتری کمک کرده است. وضعیت فعالیت در این زمینه تاکید بر فلزات و اکسیدها به جای نیمه هادی ها است.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Although there has been steady progress in understanding aspects of epitaxial growth throughout the last 30 years of modern surface science, work in this area has intensified greatly in the last 5 years. A number of factors have contributed to this expansion. One has been the general trend in surface science to tackle problems of increasing complexity as confidence is gained in the methodology, so for example, the role of oxide/metal interfaces in determining the properties of many practical supported catalysts is now being explored in greater detail. A second factor is the recognition of the potential importance of artificial multilayer materials not only in semiconductor devices but also in metal/metal systems because of their novel magnetic properties. Perhaps even more important than either of these application areas, however, is the newly-discovered power of scanning probe microscopies, and most notably scanning tunneling microscopy (STM), to provide the means to study epitaxial growth phenomena on an atomic scale under a wide range of conditions. These techniques have also contributed to revitalised interest in methods of fabricating and exploiting artificial structures (lateral as well as in layers) on a nanometre scale.This volume, on Growth and Properties of Ultrathin Epitaxial Layers, includes a collection of articles which reflects the present state of activity in this field. The emphasis is on metals and oxides rather than semiconductors.





نظرات کاربران