ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Granular Nanoelectronics

دانلود کتاب نانوالکترونیک گرانول

Granular Nanoelectronics

مشخصات کتاب

Granular Nanoelectronics

ویرایش: 1 
نویسندگان: , , ,   
سری: NATO ASI Series 251 
ISBN (شابک) : 9781489936912, 9781489936899 
ناشر: Springer US 
سال نشر: 1991 
تعداد صفحات: 584 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 22 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 51,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب نانوالکترونیک گرانول: فیزیک حالت جامد، طیف سنجی و میکروسکوپ، فیزیک ماده متراکم، کریستالوگرافی



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 4


در صورت تبدیل فایل کتاب Granular Nanoelectronics به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب نانوالکترونیک گرانول نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب نانوالکترونیک گرانول



اکنون ابزار فن‌آوری برای نزدیک شدن به مقیاس‌های محدودکننده اساسی الکترونیک حالت جامد وجود دارد که در آن یک حامل منفرد، در اصل، می‌تواند یک بیت واحد را در یک جریان اطلاعات نشان دهد. در این پرتو، چشم انداز ساختارهای شیمیایی یا بیولوژیکی مهندسی شده در مقیاس مولکولی که ممکن است از عملکردهای پردازش اطلاعات پشتیبانی کند، کارگران را برای سال‌ها مجذوب خود کرده است. یکی از عوامل مشترک در همه سوئیچ‌های مولکولی پیشنهادی، از ساختار تونل‌زنی پروتون، تا سیستم‌های طبیعی مانند میکروتوبول، این است که هر ساختار پیشنهادی با موجودیت‌های حامل اطلاعات فردی سروکار دارد. در حالی که این الکترونیک مولکولی آینده با چالش‌های فنی عظیمی مواجه است، همان Iimit در حال حاضر در سیم‌های کوانتومی نیمه‌رسانا و ساختارهای تونل‌زنی کوچک، هم ابررسانا و هم متای معمولی ظاهر می‌شود! دستگاه‌هایی که در آنها حرکت یک قوس eh از طریق مانع تونل‌سازی می‌تواند تغییر ولتاژ کافی برای قطع جریان تونل‌سازی بیشتر ایجاد کند. ممکن است وضعیت فوق را با میکروالکترونیک Si امروزی مقایسه کنیم، که در آن هر بیت به عنوان یک عدد ارج بسیار !، نه لزوماً ثابت، از الکترون‌های درون پالس شارژ کدگذاری می‌شود. مخازن و مخازن مربوط به حامل های بار ممکن است به طور سودآوری مورد بهره برداری قرار گرفته و دستکاری شوند تا جریان های کلان را فراهم کنند که می توانند به راحتی تقویت یا محدود شوند. از طرف دیگر، نیمه هادی مدرن ULSI با اتخاذ یک اصل مقیاس بندی خطی برای کوچک کردن اندازه دستگاه های نیمه هادی منفرد پیشرفت کرده است.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

The technological means now exists for approaching the fundamentallimiting scales of solid state electronics in which a single carrier can, in principle, represent a single bit in an information flow. In this light, the prospect of chemically, or biologically, engineered molccular-scale structures which might support information processing functions has enticed workers for many years. The one common factor in all suggested molecular switches, ranging from the experimentally feasible proton-tunneling structure, to natural systems such as the micro-tubule, is that each proposed structure deals with individual information carrying entities. Whereas this future molecular electronics faces enormous technical challenges, the same Iimit is already appearing in existing semiconducting quantum wires and small tunneling structures, both superconducting and normal meta! devices, in which the motion of a single eh arge through the tunneling barrier can produce a sufficient voltage change to cut-off further tunneling current. We may compare the above situation with today's Si microelectronics, where each bit is encoded as a very !arge number, not necessarily fixed, of electrons within acharge pulse. The associated reservoirs and sinks of charge carriers may be profitably tapped and manipulated to proviele macro-currents which can be readily amplified or curtailed. On the other band, modern semiconductor ULSI has progressed by adopting a linear scaling principle to the down-sizing of individual semiconductor devices.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages i-xii
Lateral Surface Superlattices and the Future of ULSI Microelectronics....Pages 1-18
Introduction to Quantum Transport in Electron Waveguides....Pages 19-41
An Introduction to Charge Quantum Transport in Semiconductors and Numerical Approaches....Pages 43-61
Interference Devices....Pages 63-66
Nanofabrication and Optical Assessment of Quantum Wires and Dots....Pages 67-78
Non-Equilibrium Quantum Dot Transport....Pages 79-83
Field-Effect Controlled Surface Superlattices....Pages 85-102
Non-Equilibrium Carrier Transport in Small Structures....Pages 103-132
Nonequilibrium Green Function Techniques Applied to Hot-Electron Quantum Transport....Pages 133-144
Monte Carlo Algorithms for Quantum Transport....Pages 145-153
Tunneling Between Constrained Dimensionality Systems....Pages 155-164
Granularity in Narrow Wires: Conductance Fluctuations, Diffuse Boundaries and Junction Scattering....Pages 165-179
Thermal and Shot Noise in Open Conductors....Pages 181-194
Network Models of the Quantum Hall Effect....Pages 195-222
Approaches to Quantum Transport in Semiconductor Nanostructures....Pages 223-253
Weak Localization and Phase Breaking Mechanisms of Electron Waves in Quasi One-Dimensional Wires....Pages 255-275
Microwave Studies of Quasi-One Dimensional Wires....Pages 277-286
Noise in Small and Ultra-Small Geometries....Pages 287-295
Dephasing and Non-Dephasing Collisions in Nanostructures....Pages 297-311
The Few-Body Problem in Nanoelectronics....Pages 313-326
Granular Nanoelectronics....Pages 327-342
Some Considerations Related to the Quantization of Charge in Mesoscopic Systems....Pages 343-358
Coulomb Blockade of the Aharonov-Bohm Effect....Pages 359-370
Single-Electronics: Correlated Transfer of Single Electrons in Ultrasmall Junctions, Arrays, and Systems....Pages 371-391
Charging Effects and ‘Turnstile’ Clocking of Single Electrons in Small Tunnel Junctions....Pages 393-412
Molecular Electronics....Pages 413-423
Interfacing to Biological and Molecular Structures....Pages 425-440
Neural and Constrained Interconnect Automata....Pages 441-461
Optical Properties of Short Period Superlattices....Pages 463-489
Novel Technique for Determination of the Landau Level Density of States as a Function of Fermi Energy in the Two-Dimentional Electron Gas....Pages 491-494
Ambipolar Perpendicular Transport in a Semiconductor Slab....Pages 495-498
High Injection Effects in GaAs/AlGaAs Quantum Wells: Spontaneous Recombination and Band-Gap Renormalization....Pages 499-502
Effective-Mass Boundary Conditions for Strained Heterostructures....Pages 503-506
Study of Lower-Dimensional Transport by Electroluminescence....Pages 507-509
Effect of Spin-Orbit Scattering on the Mesoscopic Conductance Fluctuation Amplitude in GaAs/AlGaAs Heterojunctions....Pages 511-514
Monte Carlo Simulation of Lateral Surface Superlattices in a Magnetic Field....Pages 515-518
The Effect of Elastic Scatterers on Mesoscopic Conductance Fluctuations in GaAs/AlGaAs Heterojunctions....Pages 519-521
Scattering in Nearly-Clean Mesoscopic Structures....Pages 523-526
Impact Ionization for Electrons in Si with Monte Carlo Simulation....Pages 527-530
Ballistic Electron Contributions in Vertically Integrated Resonant Tunneling Diodes....Pages 531-534
Elastic and Inelastic Resonant Tunneling in an Imperfect Superlattice....Pages 535-537
Persistent Spin Currents in Nanostructures....Pages 539-542
Negative Differential Resistance in a Double-Constriction Quantum Wire Structure....Pages 543-546
A Numerical Method for the Calculation of Transient Response in Mesoscopic Devices....Pages 547-550
Photoconductive Response of a Quasi-One Dimensional Channel....Pages 551-554
Phase Periodicity and Dissipation in Quantum Dynamics....Pages 555-558
Phase Coherence in Quantum Wires Limited by Quasi-Elastic Phonon Scattering....Pages 559-561
Dephasing by an Asymetric Environment....Pages 563-566
The I-V Characteristic of a Resistively Shunted, Small Capacitance Josephson Junction....Pages 567-570
Study of Single-Electron Tunneling in Point-Contact Tunnel Junctions at Low Temperatures....Pages 571-574
Thermopower in Scanning Tunneling Microscope Experiments....Pages 575-577
Back Matter....Pages 579-590




نظرات کاربران

تمامی حقوق معنوی و مادی وبسایت متعلق به اینترنشنال لایبرری می باشد
نماد اعتماد الکترونیکی