دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: الکترونیک ویرایش: 1 نویسندگان: V.A. Perevostchikov, V.D. Skoupov سری: ISBN (شابک) : 9783540262442, 354026244X ناشر: Springer سال نشر: 2005 تعداد صفحات: 400 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 4 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Gettering Defects in Semiconductors (Springer Series in Advanced Microelectronics) به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب دریافت عیوب در نیمه هادی ها (سری اسپرینگر در میکروالکترونیک پیشرفته) نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
گرفتن نقص در نیمه هادی ها سه هدف اساسی را برآورده می کند: سیستماتیک کردن تجربه و تحقیق در بهرهبرداری از تکنیکهای مختلف دریافت در میکروالکترونیک و نانوالکترونیک؛ ? شناسایی جهات جدید در تحقیق، به ویژه برای ارتقای دیدگاه متخصصان و محققان و متخصصان جوان؛ ? برای پر کردن شکاف در ادبیات معاصر در مورد نظریه نیمه هادی-ماده اساسی. نویسندگان نه تنها به تکنیکهای تثبیتشده دریافت میپردازند، بلکه روندهای معاصر در فناوریهای دریافت را از دیدگاه بینالمللی نیز توصیف میکنند. انواع و خواص عیوب ساختاری در نیمه هادی ها، ایجاد و مکانیسم های تبدیل آنها در طول ساخت شرح داده شده است. تأکید اولیه بر طبقهبندی و توصیف تکنیکهای دریافت خاص است که ویژگی آنها هم از موقعیت آنها در یک فرآیند کلی تکنولوژیکی و هم از رژیمهای کاربردشان ناشی میشود. این کتاب به مهندسان و دانشمندان مواد علاقه مند به نظریه مواد نیمه هادی و همچنین دانشجویان کارشناسی و کارشناسی ارشد در میکروالکترونیک حالت جامد و نانوالکترونیک می پردازد. فهرست جامعی از مراجع جهت مطالعه بیشتر را در اختیار خوانندگان قرار می دهد.
Gettering Defects in Semiconductors fulfills three basic purposes:? to systematize the experience and research in exploiting various gettering techniques in microelectronics and nanoelectronics; ? to identify new directions in research, particularly to enhance the perspective of professionals and young researchers and specialists; ? to fill a gap in the contemporary literature on the underlying semiconductor-material theory. The authors address not only well-established gettering techniques but also describe contemporary trends in gettering technologies from an international perspective. The types and properties of structural defects in semiconductors, their generating and their transforming mechanisms during fabrication are described. The primary emphasis is placed on classifying and describing specific gettering techniques, their specificity arising from both their position in a general technological process and the regimes of their application. This book addresses both engineers and material scientists interested in semiconducting materials theory and also undergraduate and graduate students in solid?state microelectronics and nanoelectronics. A comprehensive list of references provides readers with direction for further reading.
Introduction....Pages 1-4
Basic technological processes and defect formation in the components of device structures....Pages 5-78
Effects of defects on electrophysical and functional parameters in semiconducting structures and devices....Pages 79-125
Techniques for high-temperature gettering....Pages 127-196
Physical foundations for low-temperature gettering techniques....Pages 197-340