ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Gallium Nitride (Ga: N) II

دانلود کتاب گالیم نیترید (Ga: N) II

Gallium Nitride (Ga: N) II

مشخصات کتاب

Gallium Nitride (Ga: N) II

دسته بندی: الکترونیک: رادیو
ویرایش:  
نویسندگان:   
سری: Semiconductors and Semimetals 57 
ISBN (شابک) : 9780127521664, 0127521666 
ناشر: Academic Press 
سال نشر: 1998 
تعداد صفحات: 509 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 22 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 66,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 6


در صورت تبدیل فایل کتاب Gallium Nitride (Ga: N) II به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب گالیم نیترید (Ga: N) II نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب گالیم نیترید (Ga: N) II

از زمان آغاز به کار خود در سال 1966، مجموعه ای از مجلدات شماره گذاری شده به نام نیمه هادی ها و نیمه فلزات از طریق انتخاب دقیق نویسندگان، ویراستاران و مشارکت کنندگان مشهور، خود را متمایز کرده است. مجموعه "ویلاردسون و بیر"، همانطور که به طور گسترده شناخته شده است، موفق به انتشار جلدها و فصل های شاخص متعددی شده است. بسیاری از این مجلدات نه تنها در زمان انتشار تأثیر گذاشتند، بلکه سال‌ها پس از انتشار اصلی‌شان همچنان مورد استناد قرار می‌گیرند. اخیراً، پروفسور Eicke R. Weber از دانشگاه کالیفرنیا در برکلی به عنوان یکی از سردبیران این مجموعه پیوست. پروفسور وبر، متخصص مشهور در زمینه مواد نیمه هادی، بیشتر به ادامه سنت مجموعه در انتشار به موقع، بسیار مرتبط و طولانی مدت کمک خواهد کرد. برخی از مجلدات اخیر، مانند هیدروژن در نیمه هادی ها، نقص در مواد III/V، ریزساختارهای همبسته، دستگاه های ناهمسان ساختاری با سرعت بالا، اکسیژن در سیلیکون، و دیگران واقعاً نوید می دهند که این سنت حفظ و حتی گسترش خواهد یافت. با انعکاس ماهیت واقعاً بین رشته‌ای رشته‌ای که این مجموعه پوشش می‌دهد، حجم‌های نیمه‌رساناها و نیمه‌فلزات مورد توجه فیزیکدانان، شیمی‌دانان، دانشمندان مواد و مهندسان دستگاه در صنعت مدرن بوده و خواهد بود.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Since its inception in 1966, the series of numbered volumes known as Semiconductors and Semimetals has distinguished itself through the careful selection of well-known authors, editors, and contributors. The "Willardson and Beer" Series, as it is widely known, has succeeded in publishing numerous landmark volumes and chapters. Not only did many of these volumes make an impact at the time of their publication, but they continue to be well-cited years after their original release. Recently, Professor Eicke R. Weber of the University of California at Berkeley joined as a co-editor of the series. Professor Weber, a well-known expert in the field of semiconductor materials, will further contribute to continuing the series' tradition of publishing timely, highly relevant, and long-impacting volumes. Some of the recent volumes, such as Hydrogen in Semiconductors, Imperfections in III/V Materials, Epitaxial Microstructures, High-Speed Heterostructure Devices, Oxygen in Silicon, and others promise indeed that this tradition will be maintained and even expanded. Reflecting the truly interdisciplinary nature of the field that the series covers, the volumes in Semiconductors and Semimetals have been and will continue to be of great interest to physicists, chemists, materials scientists, and device engineers in modern industry.



فهرست مطالب

Content: 
Edited by
Page iii

Copyright page
Page iv

Preface
Pages xi-xiii
Jacques I. Pankove, Theodore D. Moustakas

List of Contributors
Pages xv-xvi

Chapter 1 Hydride Vapor Phase Epitaxial Growth of III-V Nitrides Original Research Article
Pages 1-31
Richard J. Molnar

Chapter 2 Growth of III-V Nitrides by Molecular Beam Epitaxy Original Research Article
Pages 33-128
T.D. Moustakas

Chapter 3 Defects in Bulk GaN and Homoepitaxial Layers Original Research Article
Pages 129-156
Zuzanna Liliental-Weber

Chapter 4 Hydrogen in III-V Nitrides Original Research Article
Pages 157-184
Chris G. Van de Walk, Noble M. Johnson

Chapter 5 Characterization of Dopants and Deep Level Defects in Gallium Nitride Original Research Article
Pages 185-207
W. Götz, N.M. Johnson

Chapter 6 Stress Effects on Optical Properties Original Research Article
Pages 209-274
Bernard Gil

Chapter 7 Strain in GaN Thin Films and Heterostructures Original Research Article
Pages 275-317
Christian Kisielowski

Chapter 8 Nonlinear Optical Properties of Gallium Nitride Original Research Article
Pages 319-370
Joseph A. Miragliott, Dennis K. Wickenden

Chapter 9 Magnetic Resonance Investigations on Group III-Nitrides Original Research Article
Pages 371-406
B.K. Meyer

Chapter 10 GaN and AlGaN Ultraviolet Detectors Original Research Article
Pages 407-439
M.S. Shur, M. Asif Khan

Chapter 11 III–V Nitride-Based X-ray Detectors Original Research Article
Pages 441-465
C.H. Qiu, J.I. Pankove, C. Rossington

Index
Pages 467-472





نظرات کاربران

تمامی حقوق معنوی و مادی وبسایت متعلق به اینترنشنال لایبرری می باشد