دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Gallium Nitride (Ga: N) I
دانلود کتاب نیترید گالیم (Ga: N) I
مشخصات کتاب
Gallium Nitride (Ga: N) I
ویرایش: 1st
نویسندگان: Jacques I. Pankove and Theodore D. Moustakas (Eds.)
سری: Semiconductors and Semimetals 50
ISBN (شابک) : 0127521585, 9780127521589
ناشر: Academic Press
سال نشر: 1997
تعداد صفحات: 500
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 23 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 54,000
در صورت تبدیل فایل کتاب Gallium Nitride (Ga: N) I به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب نیترید گالیم (Ga: N) I نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب نیترید گالیم (Ga: N) I
از زمان آغاز به کار خود در سال 1966، مجموعه ای از مجلدات شماره دار معروف به نیمه هادی ها و نیمه فلزات از طریق انتخاب دقیق نویسندگان، ویراستاران و مشارکت کنندگان مشهور خود را متمایز کرده است. موفق به انتشار مجلدات و فصول شاخص متعددی شده است. بسیاری از این مجلدات نه تنها در زمان انتشار تأثیر گذاشتند، بلکه سال‌ها پس از انتشار اصلی‌شان همچنان مورد استناد قرار می‌گیرند. اخیراً، پروفسور Eicke R. Weber از دانشگاه کالیفرنیا در برکلی به عنوان یکی از سردبیران این مجموعه پیوست. پروفسور وبر، متخصص مشهور در زمینه مواد نیمه هادی، بیشتر به ادامه سنت مجموعه در انتشار به موقع، بسیار مرتبط و طولانی مدت کمک خواهد کرد. برخی از مجلدات اخیر، مانند هیدروژن در نیمه هادی ها، عیوب در مواد III/V، ریزساختارهای هم محور، دستگاه های ناهمساختار با سرعت بالا، اکسیژن در سیلیکون، و دیگران در واقع نوید می دهند که این سنت حفظ و حتی گسترش خواهد یافت. ماهیت رشته ای که این مجموعه پوشش می دهد، حجم های نیمه هادی ها و نیمه فلزات مورد توجه فیزیکدانان، شیمیدانان، دانشمندان مواد و مهندسان دستگاه در صنعت مدرن بوده و خواهد بود.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
Since its inception in 1966, the series of numbered volumes known as Semiconductors and Semimetals has distinguished itself through the careful selection of well-known authors, editors, and contributors.The"Willardson and Beer"Series, as it is widely known, has succeeded in publishing numerous landmark volumes and chapters. Not only did many of these volumes make an impact at the time of their publication, but they continue to be well-cited years after their original release. Recently, Professor Eicke R. Weber of the University of California at Berkeley joined as a co-editor of the series. Professor Weber, a well-known expert in the field of semiconductor materials, will further contribute to continuing the series' tradition of publishing timely, highly relevant, and long-impacting volumes. Some of the recent volumes, such as Hydrogen in Semiconductors, Imperfections in III/V Materials, Epitaxial Microstructures, High-Speed Heterostructure Devices,Oxygen in Silicon, and others promise indeed that this tradition will be maintained and even expanded.Reflecting the truly interdisciplinary nature of the field that the series covers, the volumes in Semiconductors and Semimetals have been and will continue to be of great interest to physicists, chemists, materials scientists, and device engineers in modern industry.
فهرست مطالب
Content:
Edited by
Pages ii-iii
Copyright page
Page iv
Preface
Page xi
Jacques I. Pankove, Theodore D. Moustakas
List of Contributors
Pages xiii-xv
Chapter 1 Introduction: A Historical Survey of Research on Gallium Nitride Original Research Article
Pages 1-10
J.I. Pankove, T.D. Moustakas
Chapter 2 Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) of Group III Nitrides Original Research Article
Pages 11-37
S.P. DenBaars, S. Keller
Chapter 3 Growth of Group III–A Nitrides by Reactive Sputtering Original Research Article
Pages 39-54
W.A. Bryden, T.J. Kistenmacher
Chapter 4 Thermochemistry of III–N Semiconductors Original Research Article
Pages 55-101
N. Newman
Chapter 5 Etching of III Nitrides Original Research Article
Pages 103-126
S.J. Pearton, R.J. Shul
Chapter 6 Indium-based Nitride Compounds Original Research Article
Pages 127-166
S.M. Bedair
Chapter 7 Crystal Structure of Group III Nitrides Original Research Article
Pages 167-192
A. Trampert, O. Brandt, K.H. Ploog
Chapter 8 Electronic and Optical Properties of III–V Nitride based Quantum Wells and Superlattices Original Research Article
Pages 193-257
H. Morkoç, F. Hamdani, A. Salvador
Chapter 9 Doping in the III-Nitrides Original Research Article
Pages 259-277
K. Doverspike, J.I. Pankove
Chapter 10 High Pressure Studies of Defects and Impurities in Gallium Nitride Original Research Article
Pages 279-303
T. Suski, P. Perlin
Chapter 11 Optical Properties of GaN Original Research Article
Pages 305-368
B. Monemar
Chapter 12 Band Structure of the Group III Nitrides Original Research Article
Pages 369-408
W.R.L. Lambrecht
Chapter 13 Phonons and Phase Transitions in GaN Original Research Article
Pages 409-429
N.E. Christensen, P. Perlin
Chapter 14 Applications of LEDs and LDs Original Research Article
Pages 431-457
S. Nakamura
Chapter 15 Lasers Original Research Article
Pages 459-472
I. Akasaki, H. Amano
Chapter 16 Nonvolatile Random Access Memories in Wide Bandgap Semiconductors Original Research Article
Pages 473-491
James A. Cooper Jr.
Index
Pages 493-501
نظرات کاربران
کتاب های تصادفی
دانلود کتاب Surreal Lives: The Surrealists 1917-1945
دانلود کتاب Organic Synthesis: The Disconnection Approach
دانلود کتاب eHealth in Deutschland: Anforderungen und Potenziale innovativer Versorgungsstrukturen
