Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion

این کتاب به خوانندگان نشان می دهد که چرا ترانزیستورهای نیترید گالیوم (GaN) در مقایسه با فناوری سیلیکون بالغ، عملکرد بهتری دارند. ترانزیستورهای جدید مبتنی بر GaN که در اینجا توضیح داده شد، هم تبدیل توان با فرکانس بالا و هم با راندمان بالا را امکان پذیر می کنند که منجر به سیستم های قدرت کوچکتر و کارآمدتر می شود. پوشش شامل i) بسترهای GaN و فیزیک دستگاه. ii) ساختار ترانزیستور GaN نوآورانه (جانبی و عمودی). iii) قابلیت اطمینان و استحکام ترانزیستورهای قدرت GaN. iv) تأثیر انگلی بر تبدیل توان مبتنی بر GaN، v) معماری‌های مبدل برق جدید و vi) GaN در تبدیل توان حالت سوئیچ.

This book demonstrates to readers why Gallium Nitride (GaN) transistors have a superior performance as compared to the already mature Silicon technology. The new GaN-based transistors here described enable both high frequency and high efficiency power conversion, leading to smaller and more efficient power systems. Coverage includes i) GaN substrates and device physics; ii) innovative GaN -transistors structure (lateral and vertical); iii) reliability and robustness of GaN-power transistors; iv) impact of parasitic on GaN based power conversion, v) new power converter architectures and vi) GaN in switched mode power conversion.

• Provides single-source reference to Gallium Nitride (GaN)-based technologies, from the material level to circuit level, both for power conversions architectures and switched mode power amplifiers;
  
• Demonstrates how GaN is a superior technology for switching devices, enabling both high frequency, high efficiency and lower cost power conversion;
  
• Enables design of smaller, cheaper and more efficient power supplies.