Fundamentals of Semiconductors: Physics and Materials Properties

این نسخه چهارم از مبانی نیمه هادی ها با ارائه توضیحات مفصل درباره خواص الکترونیکی، ارتعاشی، حمل و نقل و نوری نیمه هادی ها، شکاف بین یک کتاب درسی عمومی فیزیک حالت جامد و مقالات تحقیقاتی را پر می کند. . این رویکرد فیزیکی و شهودی است تا رسمی و شهودی. تئوری هایی برای توضیح نتایج تجربی ارائه شده است. این کتاب درسی با توجه به دانشجویان و محققین نوشته شده است. تاکید آن بر درک خواص فیزیکی Si و نیمه هادی های هماهنگ چهار وجهی مشابه است. توضیحات بر اساس بینش فیزیکی است. هر فصل با مجموعه گسترده ای از جداول پارامترهای مواد، شکل ها و مسائل غنی شده است. بسیاری از این مشکلات \"دست دانش آموز را هدایت می کند\" برای رسیدن به نتایج.

تغییرات عمده ایجاد شده در ویرایش چهارم عبارتند از: پیوستی گسترده در مورد موارد مهم. و در حال حاضر مرکز عمیق به خوبی تثبیت شده است که به عنوان مرکز DX شناخته می شود، مشکلات اضافی و راه حل های بیش از پنجاه مشکل در پایان فصل های مختلف.

برخی از راه‌حل‌ها شامل موارد افزودنی از طریق بحث در مورد موضوعات مورد علاقه فعلی در زمینه فیزیک نیمه‌هادی‌ها هستند، مانند جفت شدن مدار چرخشی و پراکندگی نوار خطی k.

This fourth edition of the well-established Fundamentals of Semiconductors serves to fill the gap between a general solid-state physics textbook and research articles by providing detailed explanations of the electronic, vibrational, transport, and optical properties of semiconductors. The approach is physical and intuitive rather than formal and pedantic. Theories are presented to explain experimental results. This textbook has been written with both students and researchers in mind. Its emphasis is on understanding the physical properties of Si and similar tetrahedrally coordinated semiconductors. The explanations are based on physical insights. Each chapter is enriched by an extensive collection of tables of material parameters, figures, and problems. Many of these problems "lead the student by the hand" to arrive at the results.

The major changes made in the fourth edition include: an extensive appendix about the important and by now well-established deep center known as the DX center, additional problems and the solutions to over fifty of the problems at the end of the various chapters.

Some of the solutions contain extensions via discussion about topics of current interest in the field of semiconductor physics, such as spin-orbit coupling and k-linear band dispersion.