دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1
نویسندگان: Amit Chaudhry (auth.)
سری:
ISBN (شابک) : 9781461468219, 9781461468226
ناشر: Springer-Verlag New York
سال نشر: 2013
تعداد صفحات: 211
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 3 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب مبانی ترانزیستورهای اثر میدانی در مقیاس نانو: الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق، مدارها و دستگاه های الکترونیکی، مدارها و سیستم ها، علم و فناوری در مقیاس نانو، مواد نوری و الکترونیکی
در صورت تبدیل فایل کتاب Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب مبانی ترانزیستورهای اثر میدانی در مقیاس نانو نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
Front Matter....Pages i-xiv
Scaling of a MOS Transistor....Pages 1-24
Nanoscale Effects: Gate Oxide Leakage Currents....Pages 25-36
Nanoscale Effects: Inversion Layer Quantization....Pages 37-60
Dielectrics for Nanoelectronics....Pages 61-72
Germanium Technology....Pages 73-83
Biaxial s-Si Technology....Pages 85-131
Uniaxial s-Si Technology....Pages 133-152
Alternate Structures for Nanoelectronic Applications....Pages 153-167
Graphene Technology....Pages 169-175
Back Matter....Pages 177-201