ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب FinFET Devices for VLSI Circuits and Systems

دانلود کتاب دستگاه های FinFET برای مدارها و سیستم های VLSI

FinFET Devices for VLSI Circuits and Systems

مشخصات کتاب

FinFET Devices for VLSI Circuits and Systems

ویرایش: 1 
نویسندگان:   
سری:  
ISBN (شابک) : 9781138586093, 9780429998072 
ناشر: CRC Press 
سال نشر: 2020 
تعداد صفحات: 339 
زبان:  
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 162 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 34,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 10


در صورت تبدیل فایل کتاب FinFET Devices for VLSI Circuits and Systems به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب دستگاه های FinFET برای مدارها و سیستم های VLSI نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب دستگاه های FinFET برای مدارها و سیستم های VLSI

برای غلبه بر چالش های مقیاس پذیری مداوم دستگاه های ماسفت، FinFET ها به عنوان جایگزین واقعی برای استفاده به عنوان دستگاه نسل بعدی برای فناوری ساخت آی سی ظاهر شده اند. هدف این کتاب ارائه تئوری اساسی و اصول عملکرد دستگاه‌ها و فناوری FinFET، مروری بر معماری و فرآیندهای ساخت دستگاه FinFET، و فرمول‌بندی دقیق ویژگی‌های دستگاه الکترواستاتیک و دینامیکی FinFET برای طراحی و ساخت IC است. بنابراین، این کتاب به مهندسان تمرینی در حال گذار به فناوری FinFET می‌پردازد و نسل بعدی مهندسان دستگاه و کارشناسان دانشگاهی را در زمینه فناوری دستگاه‌های اصلی در گره‌های نانومتری آماده می‌کند.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

To surmount the continuous scaling challenges of MOSFET devices, FinFETs have emerged as the real alternative for use as the next generation device for IC fabrication technology. The objective of this book is to provide the basic theory and operating principles of FinFET devices and technology, an overview of FinFET device architecture and manufacturing processes, and detailed formulation of FinFET electrostatic and dynamic device characteristics for IC design and manufacturing. Thus, this book caters to practicing engineers transitioning to FinFET technology and prepares the next generation of device engineers and academic experts on mainstream device technology at the nanometer-nodes.



فهرست مطالب

1. Introduction

1.1 Fin Field-Effect Transistors

1.2 Overview of MOSFET Devices for Integrated Circuit Manufacturing

1.3 Alternative Device Concepts

1.4 FinFET Devices for VLSI Circuits and Systems

1.5 A Brief History of FinFET Devices

1.6 Summary

References

2. Fundamentals of Semiconductor Physics

2.1 Introduction

2.2 Semiconductor Physics

2.3 Theory of n-type and p-Type Semiconductors in Contact

2.4 Summary

References

3. Multiple Gate Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) System

3.1 Introduction

3.2 Multigate MOS Capacitors at Equilibrium

3.3 MOS Capacitor under Applied Bias

3.4 Multigate MOS Capacitor Systems: Mathematical Analysis

3.5 Quantum Mechanical Effect

3.6 Summary

References

4. Overview of FinFET Device Technology

4.1 Introduction

4.2 FinFET Manufacturing Technology

4.3 Bulk-FinFET Fabrication

4.4 SOI FinFET Process Flow

4.5 Summary

References

5. Long Channel FinFETs

5.1 Introduction

5.2 Basic Features of FinFET Devices

5.3 FinFET Device Operation

5.4 Drain Current Formulation

5.5 Summary

References

6. Small Geometry FinFETs: Physical Effects on Device Performance

6.1 Introduction

6.2 Short-channel Effects on Threshold Voltage

6.3 Quantum Mechanical Effects

6.4 Surface Mobility

6.5 High Field Effects

6.6 Output Resistance

6.7 Summary

References

7. Leakage Currents in FinFETs

7.1 Introduction

7.2 Subthreshold Leakage Currents

7.3 Gate-Induced Drain and Source Leakage Currents

7.4 Impact Ionization Current

7.5 Source-Drain pn-Junction Leakage Current

7.6 Gate Oxide Tunneling Currents

7.7 Summary

References

8. Parasitic Elements in FinFETs

8.1 Introduction

8.2 Source-Drain Parasitic Resistance

8.3 Gate Resistance

8.4 Parasitic Capacitance Elements

8.5 Source-Drain pn-Junction Capacitance

8.6 Summary

References

9. Challenges of FinFET Process and Device Technology

9.1 Introduction

9.2 Process Technology Challenges

9.3 Device Technology Challenges

9.4 Challenges in FinFET Circuit Design

9.5 Summary

References

10. FinFET Compact Modeling for Circuit Simulation

10.1 Introduction

10.2 Compact Device Model

10.3 Common Multiple-Gate Compact FinFET Model

10.4 Dynamic Model

10.5 Process Variability Modeling

10.6 Summary

References





نظرات کاربران