Feature Profile Evolution in Plasma Processing Using On-wafer Monitoring System

این کتاب برای اولین بار درک خوبی از فناوری‌های حکاکی نمایه‌ای که پلاسما را مختل نمی‌کنند، ارائه می‌کند. سه نوع سنسور معرفی شده‌اند: سنسورهای UV روی ویفر، سنسورهای شارژ روی ویفر و سنسورهای شکل غلاف روی ویفر در سیستم پردازش پلاسما و پیش‌بینی پروفایل‌های اچ واقعی بر اساس داده‌های نظارت. خوانندگان با این سنسورها آشنا می شوند، که می توانند شرایط سطح فرآیند پلاسما واقعی مانند تولید نقص ناشی از تابش اشعه ماوراء بنفش، جهت پرواز یون به دلیل ولتاژ شارژ در ساختارهای نسبت تصویر بالا و شرایط غلاف یونی در پلاسما/سطح را اندازه گیری کنند. رابط. نمایه حکاکی پلاسما که به طور واقعی توسط یک شبیه‌سازی رایانه‌ای بر اساس داده‌های خروجی از این حسگرها پیش‌بینی شده است، شرح داده شده است.

This book provides for the first time a good understanding of the etching profile technologies that do not disturb the plasma. Three types of sensors are introduced: on-wafer UV sensors, on-wafer charge-up sensors and on-wafer sheath-shape sensors in the plasma processing and prediction system of real etching profiles based on monitoring data. Readers are made familiar with these sensors, which can measure real plasma process surface conditions such as defect generations due to UV-irradiation, ion flight direction due to charge-up voltage in high-aspect ratio structures and ion sheath conditions at the plasma/surface interface. The plasma etching profile realistically predicted by a computer simulation based on output data from these sensors is described.