مشخصات کتاب

Extended Defects in Germanium: Fundamental and Technological Aspects (Springer Series in Materials Science)

ویرایش: 1 
نویسندگان: Cor Claeys. Eddy Simoen  
سری:  
ISBN (شابک) : 3540856110, 9783540856115 
ناشر: Springer 
سال نشر: 2009 
تعداد صفحات: 317 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 11 مگابایت 

در صورت تبدیل فایل کتاب Extended Defects in Germanium: Fundamental and Technological Aspects (Springer Series in Materials Science) به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب نقص‌های گسترده در ژرمانیوم: جنبه‌های بنیادی و فناوری (سری اسپرینگر در علم مواد) نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب نقص‌های گسترده در ژرمانیوم: جنبه‌های بنیادی و فناوری (سری اسپرینگر در علم مواد)

هدف ارائه یک نمای کلی از فیزیک عیوب توسعه یافته در ژرمانیوم است، به عنوان مثال نابجایی (نقایص خط)، مرزهای دانه، گسل های روی هم، دوقلوها و {311} نقص (عیوب دو بعدی) و رسوبات، حباب ها، و غیره. بخشی را پوشش می دهد که ساختار کریستالوگرافی و سایر خواص فیزیکی و الکتریکی، عمدتاً نابجایی ها را توضیح می دهد. از آنجایی که نابجایی ها برای تغییر شکل پلاستیک ژرمانیوم ضروری هستند، روش هایی برای تجزیه و تحلیل و تصویربرداری از نابجایی ها و ارزیابی ساختار آنها شرح داده شده است. توجه به خواص الکتریکی و نوری، که برای دستگاه های ساخته شده در جنرال الکتریک دررفته مهم هستند، داده می شود. بخش دوم به ایجاد عیوب طولانی در حین پردازش ویفر و دستگاه می پردازد. مسائلی مانند تشکیل نقص در حین کاشت یون، که برای ایجاد اتصالات ضروری است، مورد توجه قرار می گیرد، که بخش اساسی در هر نوع دستگاه است. همچنین در هنگام رسوب لایه های همپای نازک یا ضخیم بر روی سایر بسترها که برای کاربردهای اپتوالکترونیکی و فتوولتائیک مهم هستند، نقص های گسترده ایجاد می شود. به طور خلاصه، این کتاب در نظر گرفته شده است تا درک اساسی از تشکیل نقص گسترده در طول پردازش مواد و دستگاه جنرال الکتریک ارائه دهد، راه‌هایی را برای تشخیص عیوب مضر از کمتر مضر ارائه دهد و باید راه‌هایی را برای مهندسی و کنترل نقص‌ها نشان دهد.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

The aim is to give an overview of the physics of extended defects in Germanium, i.e. dislocations (line defects), grain boundaries, stacking faults, twins and {311} defects (two-dimensional defects) and precipitates, bubbles, etc. The first part covers fundamentals, describing the crystallographic structure and other physical and electrical properties, mainly of dislocations. Since dislocations are essential for the plastic deformation of Germanium, methods for analysis and imaging of dislocations and to evaluate their structure are described. Attention is given to the electrical and optical properties, which are important for devices made in dislocated Ge. The second part treats the creation of extended defects during wafer and device processing. Issues are addressed such as defect formation during ion implantation, necessary to create junctions, which are an essential part in every device type. Extended defects are also created during the deposition of thin or thick epitaxial layers on other substrates, which are important for optoelectronic and photovoltaic applications. In brief, the book is intended to provide a fundamental understanding of the extended-defect formation during Ge materials and device processing, providing ways to distinguish harmful from less detrimental defects and should point out ways for defect engineering and control.

نظرات کاربران

کتاب های تصادفی

دانلود کتاب Thank & Grow Rich : A 30-Day Experiment In Shameless Gratitude And Unabashed Joy

دانلود کتاب Paradakary Urudnaa (Dicionário Wapichana/Português Português/Wapichana)

دانلود کتاب Albrecht Dürer and the Epistolary Mode of Address

دانلود کتاب Trends in colloid and interface science VII

دانلود کتاب Kamishibai Story Theater: The Art of Picture Telling