Evaluation of Advanced Semiconductor Materials by Electron Microscopy

در چند سال اخیر پیشرفت‌های سریعی در تکنیک‌های رشد نیمه‌رساناها مشاهده شده است که طیف گسترده‌ای از ناهم‌ساختارهای با کیفیت بالا را برای دستگاه‌های نیمه‌رسانای جدید تولید کرده است. با نزدیک شدن ابعاد چنین ساختارهایی به سطح نانومتری، مشخص کردن خواص مواد مانند یکنواختی ترکیب، کرنش، وضوح و ناهمواری سطح مشترک و ماهیت عیوب و همچنین تأثیر آنها بر خواص الکتریکی و نوری اهمیت فزاینده‌ای پیدا می‌کند. بسیاری از این اطلاعات توسط میکروسکوپ الکترونی به دست می‌آیند و این نیز منطقه‌ای در حال پیشرفت سریع است. پیشرفت‌هایی برای مطالعات لایه نازک در طیف وسیعی از تکنیک‌ها، از جمله، به عنوان مثال، پراش الکترون پرتو همگرا، میکروآنالیز اتلاف انرژی اشعه ایکس و الکترون و کاتدولومینسانس با وضوح فضایی بالا و همچنین با روش‌های معمولی و با وضوح بالا، صورت گرفته است. پیشرفت‌های مهمی نیز در مطالعه سطوح و پدیده‌های رشد فیلم با هر دو روش میکروسکوپی و پراش رخ داده است. با در نظر گرفتن این تحولات، در اواخر تابستان 1987 درخواستی برای کمیته علمی ناتو برای تأمین بودجه یک کارگاه تحقیقاتی پیشرفته برای بررسی میکروسکوپ الکترونی نیمه هادی های پیشرفته ارائه شد. این مورد متعاقباً برای برنامه 1988 پذیرفته شد و به "کارگاه تحقیقاتی پیشرفته ناتو در ارزیابی مواد نیمه هادی پیشرفته توسط میکروسکوپ الکترونی" تبدیل شد. این کارگاه در هفته 11 تا 17 سپتامبر 1988 در محیط دلپذیر و صمیمی ویلز هال، بریستول، انگلستان برگزار شد و پنجاه و پنج شرکت کننده از چهارده کشور در آن شرکت کردند.

The last few years have ~een rapid improvements in semiconductor growth techniques which have produced an expanding range of high quality heterostructures for new semiconductor devises. As the dimensions of such structures approach the nanometer level, it becomes increasingly important to characterise materials properties such as composition uniformity, strain, interface sharpness and roughness and the nature of defects, as well as their influence on electrical and optical properties. Much of this information is being obtained by electron microscopy and this is also an area of rapid progress. There have been advances for thin film studies across a wide range of techniques, including, for example, convergent beam electron diffraction, X-ray and electron energy loss microanalysis and high spatial resolution cathodoluminescence as well as by conventional and high resolution methods. Important develop­ ments have also occurred in the study of surfaces and film growth phenomena by both microscopy and diffraction techniques. With these developments in mind, an application was made to the NATO Science Committee in late summer 1987 to fund an Advanced Research Work­ shop to review the electron microscopy of advanced semiconductors. This was subsequently accepted for the 1988 programme and became the "NATO Advanced Research Workshop on the Evaluation of Advanced Semiconductor Materials by Electron Microscopy". The Workshop took place in the pleasant and intimate surroundings of Wills Hall, Bristol, UK, during the week 11-17 September 1988 and was attended by fifty-five participants from fourteen countries.