دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش:
نویسندگان: Vivek Bakshi
سری:
ISBN (شابک) : 0819469645, 9780819469649
ناشر: SPIE Publications
سال نشر: 2008
تعداد صفحات: 699
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 41 Mb
در صورت تبدیل فایل کتاب EUV Lithography (SPIE Press Monograph Vol. PM178) به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب لیتوگرافی EUV (مونوگرافی مطبوعاتی SPIE جلد PM178) نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
لیتوگرافی فرابنفش شدید (EUVL) فناوری لیتوگرافی اصلی است که هدف آن تولید تراشه های کامپیوتری فراتر از لیتوگرافی نوری مبتنی بر 193 نانومتر است و پیشرفت های اخیر در چندین جبهه انجام شده است: منابع نور EUV، اپتیک، اندازه شناسی اپتیک، کنترل آلودگی، ماسک ها. و دست زدن به ماسک، و مقاومت می کند. این جلد جامع از مشارکتهای محققان پیشرو EUVL در جهان تشکیل شده است و تمام اطلاعات حیاتی مورد نیاز پزشکان و کسانی که میخواهند در این زمینه معرفی شوند را ارائه میدهد. محتویات عبارتند از: * تاریخچه لیتوگرافی EUV * فناوری منبع EUV (الزامات، توضیحات فناوری، و وضعیت) * اپتیک EUV (طراحی سیستم پروجکشن، پوشش های چند لایه و بسترها) * تکنیک های مختلف اندازه گیری جبهه موج EUV برای آزمایش نوری * آلودگی و کنترل آن در اسکنرهای EUVL (آلودگی اپتیک و اپتیک کلکتور) * اندازه گیری ماسک و ماسک EUV (زیر لایه ها، ساخت خالی، پشته های جاذب و پوشش های رسانای پشتی، الگوسازی، تمیز کردن و ماسک های تغییر فاز) * اصول و توسعه فناوری مقاومت EUV، از جمله LER * طراحی و اجزای اولین MET ها، که توسعه مقاومت را ممکن ساخته است * ملاحظات اساسی طراحی برای یک اسکنر EUVL و توصیف اجزای مختلف یک اسکنر تمام میدان * عملکرد الگوبرداری سیستم EUVL * هزینه مالکیت لیتوگرافی. علاقه به فناوری EUVL همچنان در حال افزایش است و این حجم پایه و اساس مورد نیاز برای درک و بکارگیری این فناوری هیجان انگیز را فراهم می کند.
Extreme ultraviolet lithography (EUVL) is the principal lithography technology aiming to manufacture computer chips beyond the current 193-nm-based optical lithography, and recent progress has been made on several fronts: EUV light sources, optics, optics metrology, contamination control, masks and mask handling, and resists. This comprehensive volume is comprised of contributions from the world's leading EUVL researchers and provides all of the critical information needed by practitioners and those wanting an introduction to the field. Contents include: * The history of EUV Lithography * EUV source technology (requirements, technology descriptions, and status) * EUV optics (projection system design, multilayer coatings, and substrates) * Various EUV wavefront measurement techniques for optical testing *Contamination and its control in EUVL scanners (optics and collector optics contamination) * EUV mask and mask metrology (substrates, blank fabrication, absorber stacks and backside conductive coatings, patterning, cleaning, and phase shift masks) * The fundamentals and development of EUV resist technology, including LER * The design and components of the first METs, which have enabled resist development * The fundamental design considerations for an EUVL scanner and descriptions of a full-field scanner's various components * EUVL system patterning performance * Lithography cost of ownership. Interest in EUVL technology continues to increase, and this volume provides the foundation required for understanding and applying this exciting technology.