مشخصات کتاب

Epitaxial Graphene on Silicon Carbide: Modeling, Characterization, and Applications

ویرایش: 1 
نویسندگان: Gemma Rius. Philippe Godignon  
سری:  
ISBN (شابک) : 9814774200, 9789814774208 
ناشر: Pan Stanford 
سال نشر: 2018 
تعداد صفحات: 261 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 7 مگابایت 

کلمات کلیدی مربوط به کتاب گرافن اپیتاکسیال روی کاربید سیلیکون: مدل‌سازی، مشخصه‌سازی و کاربردها: علم مواد، علم مواد و مواد، مهندسی، مهندسی و حمل و نقل، الکترومغناطیس، الکتریسیته، مغناطیس، فیزیک، علوم و ریاضی، فیزیک حالت جامد، ابررسانایی، فیزیک، علوم و ریاضی، فیزیک، علوم و ریاضیات، علوم و ریاضیات کتاب های درسی، بوتیک تخصصی

در صورت تبدیل فایل کتاب Epitaxial Graphene on Silicon Carbide: Modeling, Characterization, and Applications به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب گرافن اپیتاکسیال روی کاربید سیلیکون: مدل‌سازی، مشخصه‌سازی و کاربردها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب گرافن اپیتاکسیال روی کاربید سیلیکون: مدل‌سازی، مشخصه‌سازی و کاربردها



این اولین کتابی است که منحصراً به گرافن اپیتاکسیال روی کاربید سیلیکون (EG-SiC) اختصاص یافته است. این به طور جامع به تمام جنبه های اساسی مربوط به مطالعه و توسعه فناوری مواد EG و کاربردهای آنها، با استفاده از مطالعات اثر هال کوانتومی و تکنیک های کاوشگر مانند میکروسکوپ تونلی روبشی و تصویربرداری با وضوح اتمی بر اساس میکروسکوپ الکترونی عبوری می پردازد. این وضعیت هنر سنتز EG-SiC را ارائه می دهد و به طور فراوان آن را به عنوان تابعی از ویژگی های بستر SiC مانند پلی تایپ، قطبیت، و برش ویفر و همچنین تکنیک های تهویه درجا و خارج از محل، از جمله H₂ بازپخت پیش رسوب و پولیش مکانیکی شیمیایی. همچنین مطالعات رشد را توصیف می‌کند، از جمله محبوب‌ترین تکنیک‌های مشخص‌سازی، مانند تکنیک‌های تصعید با خلاء فوق‌العاده، فشار جزئی، یا درپوش گرافیتی، برای رسوب‌گذاری کنترل‌شده با کیفیت بالا.

این کتاب شامل مثال‌های مرتبط در مورد تکنیک‌های سنتز و خصوصیات و همچنین پردازش و عملکرد ساخت دستگاه است و آنها را با مدل‌سازی نظری و مطالعات شبیه‌سازی تکمیل می‌کند، که در درک اساسی زیرلایه‌های EG-SiC و پتانسیل آنها مفید است. استفاده در برنامه های الکترونیکی این به جنبه های اساسی EG-SiC با استفاده از مطالعات اثر هال کوانتومی و همچنین تکنیک های کاوشگر، مانند میکروسکوپ تونل زنی روبشی یا تصویربرداری با وضوح اتمی بر اساس میکروسکوپ الکترونی عبوری می پردازد. این شامل فصل‌هایی است که مرورها و دیدگاه‌هایی را درباره وضعیت فعلی هنر متخصصان فیزیک، مهندسی الکترونیک، علم مواد و فناوری نانو از اروپا و آسیا ارائه می‌کند.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

This is the first book dedicated exclusively to epitaxial graphene on silicon carbide (EG-SiC). It comprehensively addresses all fundamental aspects relevant for the study and technology development of EG materials and their applications, using quantum Hall effect studies and probe techniques such as scanning tunneling microscopy and atomic resolution imaging based on transmission electron microscopy. It presents the state of the art of the synthesis of EG-SiC and profusely explains it as a function of SiC substrate characteristics such as polytype, polarity, and wafer cut as well as the in situ and ex situ conditioning techniques, including H₂ pre-deposition annealing and chemical mechanical polishing. It also describes growth studies, including the most popular characterization techniques, such as ultrahigh-vacuum, partial-pressure, or graphite-cap sublimation techniques, for high-quality controlled deposition.  

The book includes relevant examples on synthesis and characterization techniques as well as device fabrication processing and performance and complements them with theoretical modeling and simulation studies, which are helpful in the fundamental comprehension of EG-SiC substrates and their potential use in electronic applications. It addresses the fundamental aspects of EG-SiC using quantum Hall effect studies as well as probe techniques, such as scanning tunneling microscopy or atomic resolution imaging based on transmission electron microscopy. It comprises chapters that present reviews and vision on the current state of the art of experts in physics, electronic engineering, materials science, and nanotechnology from Europe and Asia.

نظرات کاربران

کتاب های تصادفی

دانلود کتاب Introduction to Robotics Mechanics and Control 3rd edition

دانلود کتاب Operational calculus and generalized functions

دانلود کتاب Preparation for Death (Abridged) (with Supplemental Reading: Confession It’s Fruitful Practice) [Illustrated]

دانلود کتاب Encounter with the Divine - A Study in Tiruttontar Puranam

دانلود کتاب Human Rights in the Twentieth Century (Human Rights in History)