مشخصات کتاب

Entwicklung und Optimierung von Prozeßkomponenten zur ionenunterstützten Abscheidung bei PVD-Verfahren

ویرایش: 1 
نویسندگان: Dipl.-Ing. Walter Olbrich (auth.)  
سری: IPA-IAO — Forschung und Praxis 202 
ISBN (شابک) : 9783540585114, 9783642478925 
ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg 
سال نشر: 1994 
تعداد صفحات: 125 
زبان: German 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 4 مگابایت 

کلمات کلیدی مربوط به کتاب توسعه و بهینه سازی مولفه های فرایند برای رسوب گذاری یون در فرآیندهای PVD: است

در صورت تبدیل فایل کتاب Entwicklung und Optimierung von Prozeßkomponenten zur ionenunterstützten Abscheidung bei PVD-Verfahren به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب توسعه و بهینه سازی مولفه های فرایند برای رسوب گذاری یون در فرآیندهای PVD نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب توسعه و بهینه سازی مولفه های فرایند برای رسوب گذاری یون در فرآیندهای PVD

رسوب فیزیکی از فاز گاز (Physical Vapor Deposition، PVD) یک فرآیند تولید فناوری سطح جوان است. با استفاده از فرآیندهای PVD می توان لایه های نازکی در محدوده چند نانومتر تا چند میکرومتر بر روی بسیاری از قطعات کار ایجاد کرد. از این پوشش می توان برای تغییر خاص خواص سطح قطعه کار استفاده کرد. سطح تمام اجزاء به عنوان رابطی با محیط خود عمل می کند و بنابراین در معرض انواع تنش ها قرار می گیرد. این باید بارهای شیمیایی، مکانیکی یا حرارتی را تحمل کند و اغلب یک عملکرد اضافی را به عهده می گیرد که تزئینی، تریبولوژیکی یا از نظر نوری مؤثر است. در بسیاری از موارد، این مناطق وظیفه را می توان با پوشش های PVD پوشاند. آغاز فناوری فرآیند PVD توسعه رسوب بخار حرارتی بود. یک ماده جامد تبخیر می شود و بخار به صورت یک لایه نازک بر روی ماده ای که قرار است پوشش داده شود (سوبسترا) رسوب می کند، اما منطقه کاربرد این فرآیند ساده به سرعت محدود شد زیرا رسوب برای بسیاری از کاربردها دارای خواص ناکافی است، مانند چسبندگی ناکافی یا ساختار لایه نه چندان فشرده. پیشرفت عمده در فرآیندهای PVD، به ویژه در پوشش ابزار، با رسوب به کمک پلاسما به دست آمد. سایر فرآیندهای تولید نیز از پلاسما به عنوان "ابزار" استفاده می کنند: برش پلاسما، تورم پلاسما، فعال سازی پلاسما و تمیز کردن پلاسما. اتم ها و مولکول های برانگیخته و یونیزه شده در پلاسما وجود دارند. این باعث تسریع واکنش های شیمیایی در فضای پلاسما و روی سطح بستر می شود. با شتاب دادن به ذرات یونیزه شده در پلاسما به سمت سطح بستر، می توان یک ذره را در آنجا بمباران کرد.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Die physikalische Abscheidung aus der Gasphase (Physical Vapor Deposition, PVD) ist ein junges Fertigungsverfahren der Obertliichentechnik. Mit PVD-Verfahren lassen sich diinne Schichten im Bereich einiger Nanometer bis zu einigen Mikrometem aufvielen Werkstiicken erzeugen. Durch die Beschichtung lassen sich gezielt die Eigenschaften der Werkstiickober flache veriindem. Die Oberflache dient bei allen Bauteilen als Schnittstelle zu ihrer Umwelt und wird folglich vielfliltig beansprucht. Sie mull chemischen, mechanischen oder thermischen Be lastungen standhalten und iibernimmt oft eine zusatzliche Funktion, die dekorativ, tribologisch oder optisch wirksam ist. Diese Aufgabenfelder lassen sich in vielen Fallen mit PVD-Beschich tungen abdecken. Der Beginn der PVD-Verfahrenstechnik war die Entwicklung des thermischen Aufdampfens. Dabei wird ein fester Stoff verdampft, der Dampf schlagt sich auf dem Beschichtungsgut (Substrat) als diinne Schicht nieder Ill. Dem Einsatzgebiet dieses einfachen Verfahrens waren jedoch schnell Grenzen gesetzt, da der Niederschlag fur viele Anwendungen unzureichende Ei genschaften wie beispieisweise eine ungemlgende Haftung oder eine wenig kompakte Schicht struktur aufWies. Ein groBer Fortschritt bei den PVD-Verfahren, vor aHem in der Werkzeugbe schichtung, wurde erreicht, indem das Abscheiden plasmagestiitzt erfolgt. Auch andere Ferti gungsverfahren verwenden ein Plasma als "Werkzeug": das Plasmaschneiden, das Plasma schweillen, das Plasmaaktivieren und das Plasmareinigen. 1m Plasma sind angeregte und ioni sierte Atome und Molekiile vorhanden. Dadurch werden die chemischen Reaktionen im Plas maraum und an der Substratoberfliiche beschleunigt. Durch ein Beschleunigen der im Plasma entstehenden ionisierten Teilchen in Richtung zur Substratoberfliiche wird dort ein Teilchen beschuB ennoglicht.

فهرست مطالب

Front Matter....Pages 1-14
Einleitung....Pages 15-16
Entwicklungsbedarf in der PVD-Technologie....Pages 17-18
Aufgabenstellung....Pages 19-19
PVD-Verfahrenstechnologie....Pages 20-59
Die überlagert gepulste Biasspannung....Pages 60-69
Wirkungen der überlagert gepulsten Biasspannung auf die Prozeßbedingungen....Pages 70-84
Ergebnisse der Beschichtungsversuche....Pages 85-107
Anwendungsbeispiele....Pages 108-111
Bewertung der Ergebnisse....Pages 112-113
Zusammenfassung....Pages 114-116
Ausblick....Pages 117-117
Literaturverzeichnis....Pages 118-126
Back Matter....Pages 127-127

نظرات کاربران

کتاب های تصادفی

دانلود کتاب Computing and Combinatorics: 6th Annual International Conference, COCOON 2000 Sydney, Australia, July 26–28, 2000 Proceedings

دانلود کتاب Online Fundraising Essentials, Second Edition

دانلود کتاب Numerik 3x9: Drei Themengebiete in jeweils neun kurzen Kapiteln

دانلود کتاب The Coachmen of Nineteenth-Century Paris: Service Workers and Class Consciousness

دانلود کتاب Introducción a la economía: ejercicios y prácticas